NJU77902 ２回路入り 高出力 入出力フルスイング CMOS オペアンプ ■ 概要 NJU77902 は高出力電流を特徴とする入出力フルスイング CMOS オペアンプです。容量性負荷に対して安定な特性を有 し、1000mA の出力電流で迅速にコンデンサを充放電できる ように設計されています。さらに大電流時でも低飽和出力特 性が得られるため、バッファ用途で用いるアプリケーション に最適です。 ■ 特徴 ●出力ピーク電流 ●入出力フルスイング特性 ●スルーレート ●耐負荷容量安定性 ●動作電源電圧範囲 ●サーマルシャットダウン回路内蔵 ●カレントリミット回路内蔵 ●RF ノイズ耐性 ●外形 ●CMOS 構造 ■外形 NJU77902KW2 （ESON8-W2） ：1000mA typ. ：9 V/μs typ. ：6V ～ 18V ：ESON8-W2 (3.0mm×3.0mm) ■ アプリケーション ●Vcom ドライバ ●その他高電力用途 ■ 端子配列 (Top View) 1 2 3 4 A B (Bottom View) 8 8 1 7 7 2 6 6 5 5 Exposed Pad 3 4 ピン配置 1. A OUTPUT 2. A -INPUT 3. A +INPUT 4. VSS 5. B +INPUT 6. B –INPUT 7. B OUTPUT 8. VDD NJU77902KW2 Exposed Pad について Exposed Pad は、ＩＣの VSS 端子と同電位になるように接続してください。 ※ 新日本無線ではレールツーレール、Rail-to-Rail をフルスイングと呼びます。 Ver.2014-08-28 -1- NJU77902 ■ 絶対最大定格 (指定無き場合には Ta=25˚C) 項目 記号 電源電圧 消費電力 出力尖頭電流 同相入力電圧範囲 差動入力電圧範囲 動作温度 保存温度 VDD PD IOP VICM VID Topr Tstg 定格 単位 20.0 V mW mA V V ˚C ˚C 560(注 1), 750(注 2), 910(注 3), 2500(注 4) 1000 V S S -0.3 ~ V D D +0.3 18(注 5) -40 ~ +85 -55 ~ +150 (注 1) 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ (注 2) 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad 使用 (注 3) 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ (注 4) 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad 使用 (4 層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用) (注 5) 入力電圧は、電源電圧が 18V 以下の場合は電源電圧と等しくなります。 ■ 推奨動作電圧 (Ta=25˚C) 項目 記号 条件 単位 電源電圧 VDD 6.0 ～ 18.0 V ■ 電気的特性 指定無き場合には VDD=15V, VSS=0V,VIC=7.5V,RL=10kΩto VDD/2,Ta=25˚C 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 VOH1 VOH2 VOL1 RL = 10kΩ Isource = 200mA RL = 10kΩ 14.8 14.2 - 14.9 14.5 0.1 0.2 V V V VOL2 Isink = 200mA - 0.5 0.8 V VIO RS = 50Ω - 1 10 mV DC 特性 最大出力電圧 入力オフセット電圧 入力バイアス電流 IB - 1 - pA 入力オフセット電流 IIO - 1 - pA 電圧利得 AV 65 90 - dB 同相信号除去比 CMR 50 75 - dB 電源電圧除去比 SVR VDD = 6V 18V 60 75 - dB 同相入力電圧範囲 VICM CMR ≥ 50dB 0 - 15 V 消費電流 IDD 無信号時, RL = open - 7.0 9.0 mA ユニティゲイン周波数 ft CL = 10pF - 3 - MHz 位相余裕 ΦM CL = 10pF - 50 - deg nV/√Hz VO = 13V/2V, RL=10kΩ VIC = 0V 7.5V VIC = 7.5V 15V AC 特性 入力換算雑音電圧 VNI f = 1kHz, RS = 100Ω - 80 - 全高調波歪率+ノイズ THD＋N GV = 6dB, CL = 10pF, fin = 1kHz, PO = 0.1W - 0.02 - % 出力電力 PO fin=1kHz, CL=10pF, THD≤5% - 3 - mW チャンネルセパレーション CS f = 1kHz - 120 - dB 応答特性 出力ピーク電流 IOP ( 注 6) - 1000 - mA スルーレート SR GV = 0dB, CL = 10pF, Vin = 4Vpp, ( 注 7) 5 9 - V/μs （注 6）出力ソース電流または出力シンク電流の小さいほうの値を出力ピーク電流とします。 （注 7）正または負のスルーレートの遅いほうの値を、スルーレート値とします。 -2- Ver.2014-08-28 NJU77902 アプリケーション情報 パッケージパワーと消費電力、出力電力 IC はIC 自身の消費電力（内部損失）によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊します。この許容値は許容 損失PD（=消費電力の最大定格）と呼ばれています。図１にNJU77902のPDの周囲温度Ta 依存性を示します。この図の特性は、次の ２点から得ることができます。１点目は25℃におけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当します。もう１点はこれ以上の発熱を許 容できない、つまり許容損失０W の点です。この点は、IC の保存温度範囲Tstg の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とするこ とで求めることができます。これら２点を結び、25℃以下を25℃と同じPDとすることで図１の特性を得ることができます。なお、これら の２点間のPDは次式で表されます。 許容損失 PD Tj max Ta [W] （Ta=25℃～Ta=Tjmax） ja ここでθja は熱抵抗であり、パッケージ材料（樹脂、フレーム等）に依存します。 次にIC自身の消費電力を導きます。IC の消費電力は、次式で表されます。 消費電力=（電源電圧VDD）×（消費電流IDD）－（出力電力Po） この消費電力がPDをこえない条件でNJU77902を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容損失PDに注意し、 余裕のある熱設計することをお勧めいたします。 PD [mW] 4 層基板 Expose Pad 有り サーマルビア有り 2500mW 4 層基板 Expose Pad 無し サーマルビア無し 910mW 2 層基板 Expose Pad 有り サーマルビア無し 750mW 2 層基板 Expose Pad 無し サーマルビア無し 560mW -40 25 85 最大動作温度 Ta [℃] 150 最大保存温度 図１ NJU77902 の許容損失 PD の周囲温度特性 Ver.2014-08-28 -3- NJU77902 ■特性例 消費電流 対 周囲温度特性 消費電流 対 電源電圧特性 RL=OPEN 20 20 18 18 16 16 14 14 Ta=-40℃ 12 消費電流 [mA] 消費電流 [mA] RL=OPEN 10 Ta=25℃ 8 VDD=18V 12 VDD=15V 10 8 6 6 4 VDD=6V 4 Ta=85℃ 2 2 0 0 2 4 6 8 10 12 電源電圧 [V] 14 16 18 0 -60 20 -30 入力オフセット電圧 対 電源電圧特性 10 8 8 6 6 入力オフセット電圧 [mV] 入力オフセット電圧 [mV] Ta=85℃ Ta=25℃ 0 -2 Ta=-40℃ -4 -2 -4 -8 -10 8 10 12 14 電源電圧 [V] 16 18 -10 -60 20 電源電圧変動除去比 対 周囲温度特性 VDD=6V -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 電源電圧除去比 対 周波数特性 RL=OPEN V D D = 1 5 V, Gv= 4 0 dB, T a= 2 5 ℃ 100 120 V DD 1Vpp 振動 90 100 80 電源電圧除去比 [dB] 電源電圧変動除去比 [dB] VDD=15V 0 -8 6 150 2 -6 4 120 VDD=18V 4 -6 2 90 RL=OPEN 10 2 30 60 周囲温度 [℃] 入力オフセット電圧 対 周囲温度特性 RL=OPEN 4 0 80 60 40 70 60 V S S 1Vpp 振動 50 40 30 20 20 10 0 -60 -4- 0 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 10 100 1k 周波数 [Hz] 10k 100k Ver.2014-08-28 NJU77902 入力オフセット電圧 対 出力電圧特性 入力オフセット電圧 対 出力電圧特性 V D D =15V, V SS =0V, R L =10kΩ 8 8 6 6 4 Ta=85℃ 2 0 Ta=25℃ -2 V D D =6V, V SS =0V, R L =10kΩ 10 入力 オ フ セ ッ ト電圧 [m V] 入力 オ フ セ ッ ト電圧 [m V] 10 Ta=-40℃ -4 4 2 Ta=85℃ 0 -2 Ta=25℃ -4 -6 -6 -8 -8 Ta=-40℃ -10 -10 0 1.5 3 4.5 6 7.5 9 出力電圧 [V] 10.5 12 13.5 0 15 1 2 3 出力電圧 [V] 4 5 6 5 6 電圧利得 対 周囲温度特性 R L =10kΩ 140 120 V DD =15V 電圧利得 [dB] 100 80 V DD =6V 60 40 20 0 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 入力オフセット電圧 対 同相入力電圧特性 8 8 6 6 4 Ta=85℃ 2 0 Ta=25℃ -2 V D D =6V, V SS =0V 10 入力 オ フ セ ッ ト電圧 [m V] 入力 オ フ セ ッ ト電圧 [m V] 入力オフセット電圧 対 同相入力電圧特性 V D D =15V, V SS =0V 10 Ta=-40℃ -4 4 Ta=25℃ 0 -2 Ta=-40℃ -4 -6 -6 -8 -8 -10 Ta=85℃ 2 -10 0 1.5 Ver.2014-08-28 3 4.5 6 7.5 9 10.5 同相入力電圧 [V] 12 13.5 15 0 1 2 3 4 同相入力電圧 [V] -5- NJU77902 同相入力信号除去比 対 周囲温度特性 同相入力信号除去比 対 周囲温度特性 V D D =15V, V SS =0V 100 Vcm=0～7.5V 90 Vcm=0～3V 90 80 80 同相入力信号 除 去比 [d B] 同相入力信号 除 去比 [dB] V D D =6V, V SS =0V 100 70 60 Vcm=7.5～15V 50 40 30 70 60 Vcm=3～6V 50 40 30 20 20 10 10 0 0 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 120 150 同相入力信号除去比 対 周波数特性 Vc m = 1 Vpp, G v= 4 0 dB, T a= 2 5 ℃ 100 90 V DD =15V 同相入力信号除去比 [dB] 80 70 60 V DD =6V 50 40 30 20 10 0 10 100 1k 周波数 [Hz] 10k 100k 入力バイアス電流 対 周囲温度特性 入力バイアス電流 対 周囲温度特性 VD D = 1 5 V 1.E+05 1.E+04 入力バイアス電流 [pA] 1.E+04 入力バイアス電流 [pA] VD D = 6 V 1.E+05 1.E+03 1.E+02 INP 1.E+01 1.E+03 1.E+02 INP 1.E+01 INM INM 1.E+00 1.E+00 1.E-01 1.E-01 -60 -6- -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 Ver.2014-08-28 NJU77902 最大出力電圧 対 出力シンク電流 最大出力電圧 対 出力シンク電流 V D D =1 5V , V s s =0 V , V i n += 0V , V i n- =1 V 2 V D D =6V , V s s =0V , V i n+=0V , V i n-=1V 3 1.8 2.5 1.6 Ta= 8 5 ℃ 1.2 Ta= 2 5 ℃ 1 Ta= - 4 0 ℃ 0.8 Ta= 85 ℃ 2 最大出 力電 圧 [V ] 最 大出力電圧 [V ] 1.4 Ta= 25 ℃ 1.5 Ta=- 40 ℃ 1 0.6 0.4 0.5 0.2 0 0 0 1 00 2 00 3 00 出力シ ンク 電流 [m A ] 4 00 5 00 0 最大出力電圧 対 出力ソース 電流 200 300 出 力シ ンク 電流 [m A ] 40 0 500 400 500 最大出力電圧 対 出力ソース 電流 V DD = 0V , V s s =- 1 5 V , V i n + =0 V , V i n -= - 1V 15 100 V DD =0V , V s s =-6V , V i n+=0V , V i n-=-1V 6 1 4 .8 5.5 1 4 .6 5 Ta=- 4 0℃ 1 4 .2 14 最大 出 力電圧 [V ] 最 大出力 電圧 [V ] 1 4 .4 Ta= 25 ℃ 1 3 .8 Ta= 85 ℃ Ta=- 40℃ 4.5 Ta=25℃ 4 1 3 .6 Ta= 85℃ 1 3 .4 3.5 1 3 .2 13 3 0 100 200 300 出力 ソ ー ス 電 流 [m A ] 400 500 0 100 200 300 出 力ソ ー ス 電流 [mA ] 最大飽和電圧 対 周囲温度特性 最大飽和電圧 対 周囲温度特性 Isin k= 2 0 0 m A Isou r c e = 2 0 0 m A 0 1.4 -0.1 1.2 出力 飽 和電圧 [V D D - V ] 出力 飽 和電圧 [V ] -0.2 1 V DD = 6 V 0.8 0.6 0.4 V DD = 1 5 V VDD =15V -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 V DD =6V -0.7 -0.8 0.2 -0.9 -1 0 -60 -30 Ver.2014-08-28 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -7- NJU77902 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) VDD=15V, Gv=open, RL to 7.5V VDD =6V, Gv=open, RL to 3V 15 6 14.5 85℃ 5.5 85℃ 25℃ -40℃ 最大出力電圧 ［V］ 最大出力電圧 ［V］ 25℃ 14 13.5 13 12.5 5 -40℃ 4.5 4 3.5 12 3 10 100 1k 負荷抵抗［Ω］ 10k 100k 10 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 2.5 2.5 2 2 最大出力電圧 ［V］ 最大出力電圧 ［V］ 3 85℃ 25℃ 1 85℃ 1 25℃ 0.5 -40℃ 0.5 0 1k 負荷抵抗［Ω］ 10k 0 100k 10 100 V D D = 1 5 V, T a= 2 5 ℃ 入 力 オ フ セ ッ ト 電 圧 [m V ] 入 力 オ フ セ ッ ト 電 圧 [m V ] 5 0 -5 Isource 10 Isink 5 0 -5 -10 Isource -15 -15 -20 -20 0 -8- 100k 15 10 -10 10k V D D = 6 V, Ta= 2 5 ℃ 20 Isink 15 1k 負荷抵抗［Ω］ 入力オフセット電圧 対 出力電流 入力オフセット電圧 対 出力電流 20 100k 1.5 -40℃ 100 10k VDD =6V, Gv=open, RL to 3V 3 10 1k 負荷抵抗［Ω］ 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) VDD =15V, Gv=open, RL to 7.5V 1.5 100 10 20 30 40 50 出力電流 [mA] 60 70 80 0 10 20 30 40 50 出力電流 [mA] 60 70 80 Ver.2014-08-28 NJU77902 開ループ電圧利得 対 周波数特性 開ループ電圧利得 対 周波数特性 V+ / V- = ±7 .5 V, G v= 2 0 dB, Vi n = - 3 0 dBm , RL= 1 0 kΩ, T a= 2 5 ℃ CL= 1 0 pF 180 CL= 1 0 pF CL= 1 0 n F CL= 1 0 0 pF CL= 1 0 u F CL= 1 0 n F CL= 1 0 0 pF CL= 1 0 u F 30 20 90 20 90 10 45 10 45 0 0 -45 -90 -20 -90 -135 -30 -135 -180 100M -40 -45 -20 -30 1k 10k 100k 1M 10M 1k 10k 100k 1M 周波数 [Hz] 周波数 [H z] V+ / V- = ±3 V, RL= 1 0 kΩ, Vi n = - 3 0 dBm , G v= 2 0 dB, T a= 2 5 ℃ 40 40 35 35 30 Ta= 8 5℃ 利得余裕 [dB] 25 利得余裕 [dB] Ta= 8 5℃ Ta= - 40 ℃ 25 20 Ta=2 5℃ 15 Ta= - 40 ℃ 10 20 Ta= 25 ℃ 15 10 5 5 0 0 -5 -5 -10 -10 10p 100p 1n 10n 100n 負荷容量 [F] 1u 10u 10p 100u 100p 位相余裕 対 負荷容量特性 80 70 70 1u 10u 100u Ta= 25 ℃ 60 Ta= 25 ℃ Ta= -4 0℃ 位相余裕 [deg] 50 40 10n 100n 負荷容量 [F] V+ / V- = ±3 V, RL= 1 0 kΩ, Vi n= - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB, Ta= 2 5 ℃ 80 60 1n 位相余裕 対 負荷容量特性 V+ / V- = ±7 .5 V, RL= 1 0 kΩ, Vin = - 3 0 dBm , G v= 2 0 dB, T a= 2 5 ℃ 位相余裕 [deg] -180 100M 10M 利得余裕 対 負荷容量特性 利得余裕 対 負荷容量特性 V+ / V- = ±7 .5 V, RL= 1 0 kΩ, Vin = - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB, Ta= 2 5 ℃ 30 135 -10 -10 -40 位相 [de g] 0 0 電圧利得 [dB] 135 30 電圧利得 [dB ] V+ / V- = ± 3 V, G v= 2 0 dB, Vin = - 3 0 dBm , RL= 1 0 kΩ , T a= 2 5 ℃ 40 180 位相 [deg] 40 Ta= 85 ℃ 30 20 50 30 Ta=8 5℃ 20 10 10 0 0 -10 Ta=- 4 0℃ 40 -10 10p 100p Ver.2014-08-28 1n 10n 100n 負荷容量 [F] 1u 10u 100u 10p 100p 1n 10n 100n 負荷容量 [F] 1u 10u 100u -9- 利得余裕 対 負荷容量特性 利得余裕 対 負荷容量特性 V+ / V- = ±7 . 5 V, RL= 1 0 kΩ, Vi n = - 3 0 dBm , G v= 2 0 dB V+ / V- = ±3 V, RL= 1 0 kΩ, Vi n = - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB 50 50 40 40 30 30 CL=1 0 pF 20 利得余裕 [dB] 利得余裕 [dB] NJU77902 CL= 10 n F CL=1 0pF 10 10 0 0 -10 CL=1 0 nF 20 -10 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -60 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 V+ / V- = ±3 V, RL= 1 0 kΩ, Vin = - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB 90 90 80 80 CL= 10 pF 70 70 CL=1 0pF 60 位相余裕 [deg] 60 位相余裕 [deg] 0 位相余裕 対 負荷容量特性 位相余裕 対 負荷容量特性 V+ / V- = ±7 . 5 V, RL= 1 0 kΩ, Vin = - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB 50 40 30 CL= 10 u F 20 50 40 CL= 10 n F 30 CL=1 0u F 20 CL=1 0n F 10 10 0 0 -10 -10 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 -60 150 ユニティゲイン周波数 対 負荷容量特性 6 6 ユニティゲイン周波数 [MHz] 7 CL= 10 pF 4 3 CL= 1 0n F 2 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 V+ / V- = ±3 V, RL= 1 0 kΩ, Vin = - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB 7 5 -30 ユニティゲイン周波数 対 負荷容量特性 V+ / V- = ±7 . 5V, RL= 1 0 kΩ, Vin = - 3 0 dBm , Gv= 2 0 dB ユニティゲイン周波数 [MHz] -30 CL= 10 u F 1 5 CL= 10 pF 4 3 2 CL= 10 nF CL= 10 uF 1 0 0 -60 - 10 - -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 Ver.2014-08-28 NJU77902 パルス応答特性(Rise) パルス応答特性(Rise) V+ / V- = ±7 . 5 V, T a= 2 5 ℃, R L = 1 0 kΩ V+ / V- = ±3 V, T a= 2 5 ℃, R L = 1 0 kΩ 12 10 4 12 2 10 4 2 Vin 0 -2 6 -2 C L = 1 0u F 4 -4 2 -6 0 -2 C L = 10 nF 4 -6 -8 0 -8 -10 -2 -10 C L = 1 0 0pF -4 -12 0 20 40 時間 [us] 60 -4 80 -12 -40 0 40 80 時間 [us] パルス応答特性(Fall) パルス応答特性(Fall) V+ / V- = ±3 V, T a= 2 5 ℃, R L = 1 0 kΩ 160 4 12 4 2 10 2 8 0 8 6 -2 6 10 C L =1 0 nF -6 2 出力電圧 [V] -4 4 入力電圧 [V] Vin 出力電圧 [V] 120 V+ / V- = ±7 . 5 V, T a= 2 5 ℃, R L = 1 0 kΩ 12 Vin 0 -2 -4 4 C L = 1 0 nF 2 -8 0 -10 -2 -8 -10 C L = 1 0 0pF -4 -12 0 20 40 時間 [us] 60 -4 80 -12 -40 0 スルーレ ート 対 周囲温度特性 12 40 80 時間 [us] 120 160 スルーレ ート 対 周囲温度特性 V+ / V- = ±7 . 5 V, Vin = 4 Vpp, R L = 1 0 kΩ, C L = 1 0 pF 15 -6 C L = 10 uF C L = 1 0 0pF -20 0 -2 C L = 1 0u F V+ / V- = ±3 V, Vi n = 4 Vpp, R L = 1 0 kΩ, C L = 1 0 pF 15 12 Fall スルーレ ート [V/us] スルーレ ート [V/us] -4 2 C L = 1 0 0pF -20 C L = 1 0u F 9 Rise 6 3 9 Fall 6 Rise 3 0 0 -60 Ver.2014-08-28 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 -60 -30 0 30 60 周囲温度 [℃] 90 120 150 - 11 - 入力電圧 [V] C L =1 0 nF 8 出力電圧 [V] 出力電圧 [V] 6 0 入力電圧 [V] 8 入力電圧 [V] Vin NJU77902 ボルテージフォロア ピーク特性 ボルテージフォロア ピーク特性 V+ / V- = ±3 V, G v= 0 dB, Vin =- 3 0 dBm , RL= 1 0 kΩ, T a= 2 5 ℃ V+ / V- = ±7 . 5 V, Gv= 0 dB, Vi n = - 3 0 dBm , RL= 1 0 kΩ, T a= 2 5 ℃ 20 20 CL=1 0 n F CL=10nF 15 15 CL=10uF CL= 1 0 u F 10 CL= 10 0 pF 5 電 圧 利得 [dB ] 電 圧 利得 [ dB ] 10 CL= 1 0 pF 0 -5 5 CL=100pF 0 CL=10 pF -5 -10 - 10 -15 - 15 - 20 -20 1k 10 k 1 00 k 1M 周波数 [Hz] 10M 100M 180 190 1k 1 0k 100k 1M 周波数 [H z] 10M 1 00M 消費電流 対 周囲温度特性 R L = OPEN 10 9 8 消費電流 [m A ] 7 V DD =6V 6 V DD =15V 5 4 3 2 1 0 140 150 160 170 周囲温度 [℃] 入寮換算雑音電圧 対 周波数特性 チャンネルセパレーション 対 周波数特性 Gv= 4 0 dB, Ta= 2 5 ℃ 160 Rs= 1 0 0 Ω, Rf= 1 0 kΩ, T a= 2 5 ℃ 10000 140 入力 換 算雑音 電 圧 [nV/√ Hz] チ ャ ン ネ ル セ パ レ ーション [dB] 150 V DD =6V 130 120 110 V DD =15V 100 V DD =15V 1000 100 V DD =6V 10 90 1 80 10 - 12 - 100 1k 周波数 [Hz] 10k 100k 1 10 100 周波数 [Hz] 1k 10k Ver.2014-08-28 NJU77902 出力ピーク電流 特性 出力ピーク電流 特性 V D D = 1 5 V, Gv= 0 dB, Vi n = 7 . 5 V(DC ), T a= 2 5 ℃ V D D = 6 V, G v= 0 dB, Vi n = 3 V(DC ), T a= 2 5 ℃ 3500 10 C L =10nF 2500 0 C L =100nF 1200 3 C L =1nF C L =10nF 900 出力電圧 2000 6 出力電圧 [V] 5 C L =1nF 出力電圧 [V] 3000 1500 -5 0 C L =100nF 出力電圧 -10 出力電流 出力電流 [mA] -15 C L =10nF C L =1nF 500 -20 -25 0 -500 -30 -2 0 2 4 時間 [μ秒] 6 -3 出力電流 C L =100nF 1000 600 出力電流 [mA] 1500 C L =10nF -9 0 -300 -12 -2 0 出力ピーク電流 特性 35 C L =1nF -500 出力電流 [mA] 出力電流 [mA] 0 30 C L =10nF C L =100nF -1000 25 出力電流 18 0 15 C L =1nF C L =10nF -300 20 9 -3000 5 -3500 0 -900 6 C L =1nF -1200 3 -1500 8 出力電圧 [V] 10 出力電圧 [V] -2500 6 C L =10nF 15 C L =1nF 2 4 時間 [μ秒] C L =100nF 出力電圧 C L =10nF 12 C L =100nF -600 C L =100nF -2000 8 300 出力電流 -1500 1400 6 V D D = 6 V, G v= 0 dB, Vi n = 3 V(DC ), T a= 2 5 ℃ 40 0 2 4 時間 [μ秒] 出力ピーク電流 特性 V D D = 1 5 V, Gv= 0 dB, Vi n = 7 . 5 V(DC ), T a= 2 5 ℃ 出力電圧 -6 C L =1nF 8 500 -2 C L =100nF 300 0 -2 0 2 4 時間 [μ秒] 過電流保護回路動作 過電流保護回路動作 R L = 1 Ω, G v= OPEN, T a= 2 5 ℃ R L = 1 Ω, Gv= OPEN, T a= 2 5 ℃ 1400 6 8 1200 1200 1000 出力 シ ン ク 電流 [m A ] 出力 ソ ース電流 [m A] V D D =15V V D D =6V 800 600 400 200 V DD =15V 1000 V DD =6V 800 600 400 200 R L =1Ω R L =1Ω 0 0 -50 Ver.2014-08-28 0 50 100 時間 [msec] 150 200 -50 0 50 100 時間 [msec] 150 200 - 13 - NJU77902 10 全高調波歪率 対 出力電力特性 全高調波歪率 対 出力電力特性 V D D = 1 5 V, Gv= 2 0 dB, R L = 1 0 kΩ, C L = 1 0 pF, T a= 2 5 ℃ V D D = 6 V, Gv= 2 0 dB, R L = 1 0 kΩ, C L = 1 0 pF, Ta= 2 5 ℃ 10 全高調波歪率 ＋ ノイズ [%] 全高調波歪率 ＋ ノイズ [%] 1 0.1 f=10kHz 0.01 1 0.1 f=10kHz 0.01 f=1kHz f=1kHz f=100Hz f=100Hz 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 出力電力 [m W] 1 10 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 出力電力 [m W] 消費電力 対 出力電力特性 R L = 6 4 Ω, Ta= 2 5 ℃, f= 1 kHz, BT L 1 THD=10% THD=1% 1.8 10 消費電力 対 出力電力特性 R L = 3 2 Ω, Ta= 2 5 ℃, f= 1 kHz, ス テ レオ 2 1 V D D =15V 0.9 THD=1% 1.6 0.8 1.4 0.7 THD=10% V DD =12V 消費 電 力 [W ] 消費 電 力 [W ] V DD =15V 1.2 1 0.8 0.6 0.5 V DD =12V 0.4 V D D =9V 0.6 0.3 V D D =9V 0.4 0.2 0.2 V DD =6V 0 0.2 V D D =6V 0.1 0 0.4 0.6 出力電力 [W/ch] 0.8 1 0 0 0.5 1 1.5 出力電力 [W] 2 2.5 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 - 14 - Ver.2014-08-28