250A Avg 800 Volts

THYRISTOR
■回路図
250A Avg 800 Volts
CIRCUIT
■外形寸法図
PHT250N8
OUTLINE DRAWING
Dimension:[mm]
■最大定格 Maximum Ratings
項 目
Parameter
くり返しピークオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
Non Repetitive Peak Off-State Voltage
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目
Parameter
平均オン電流
Average On-State Current
実効オン電流
RMS On-State Current
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間積
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
Mounting Torque
主端子部
Terminal
記号
Symbol
耐圧クラス Grade
PHT250N8
単位
Unit
VDRM
800
V
VDSM
900
V
VRRM
800
V
VRSM
900
V
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
250
A
390
A
50Hz 正弦半波,1 サイクル,非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
4000
A
2~10ms
80000
A2s
100
A/μs
PGM
5
W
PG(AV)
1
W
IGM
2
A
VGM
10
V
VRGM
5
V
Tjw
-40 ~ +125
℃
Tstg
-40 ~ +125
℃
2000
V
M5
2.4 ~ 2.8
N・m
M5
2.4 ~ 2.8
N・m
Io (AV)
条 件
Conditions
商用周波数180°通電
Half Sine Wave
Tc=85℃
IT(RMS)
ITSM
I2t
di/dt
Viso
F
VD=2/3 VDRM, ITM=2・Io, Tj=125℃
IG=300mA, diG/dt =0.2A/μs
端子-ベース間,AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
サーマルコンパウンド塗布
Greased
■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage
記号
Symbol
特性値(最大)
Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max
条 件
Conditions
単位
Unit
IDM
Tj = 125℃, VDM= VDRM
80
mA
IRM
Tj = 125℃, VRM= VRRM
80
mA
VTM
Tj = 25℃, ITM= 800A
1.43
V
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
IGT
VD= 6 V, IT= 1A
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD= 6 V, IT= 1A
VGD
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
0.25
V
dv/dt
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
500
V/μs
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間
Delay Time
立ち上がり時間
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance
接触熱抵抗
Thermal Resistance
質 量 --- 約250 g
Approximate Weight
tq
Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs
t gt
td
Tj =-40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =-40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs
tr
300
150
80
5
3
2
mA
V
200
μs
6
μs
2
μs
4
μs
IL
Tj =25℃
150
mA
IH
Tj =25℃
100
mA
Rth(j-c)
Rth(c-f)
接合部-ケース間
Junction to Case
ケース-フィン間,サーマルコンパウンド塗布
Case to Fin, Greased
0.1
℃/W
0.1
℃/W
1アーム当りの値 Value Per 1 Arm.
■定格・特性曲線