200Ａ Ａvg 800 Ｖolts ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ ■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 PGH200N8 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ 総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Ｍaximum Ratings 項 目 Parameter 記号 Symbol 平均出力電流 Average Rectified Output Current Io (AV) 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 Isolation Voltage ベース部 Mounting 締付トルク 主端子部 Mounting Torque Terminal ゲート端子部 Gate Terminal Tjw 条件 Conditions TC= 102℃（電圧印加なし） 三相全波整流 Non-Biased for Thyristor 3-Phase Full TC= 77℃（電圧印加あり） Wave Rectified Biased for Thyristor 125～150℃はｻｲﾘｽﾀ部に順阻止電圧を 印加しない事 Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor Tstg Viso 端子－ベース間，AC 1 分間 Terminal to Base, AC 1min. ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Greased F 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 200 A 200 -40 ～ +150 ℃ -40 ～ +125 ℃ 2000 V Ｍ6 2.5 ～ 3.5 Ｍ6 2.5 ～ 3.5 M4 1.2 ～ 1.6 Ｎ・ｍ ■熱特性 Thermal Characteristics 項 目 Parameter 記号 Symbol 接触熱抵抗 Thermal Resistance Rth(c-f) 条件 Conditions ｹｰｽ－ﾌｨﾝ間(ﾄｰﾀﾙ)､ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Case to Fin , Total , Greased 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 0.06 ℃/Ｗ ■ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.) 最大定格 Maximum Rating 項 目 Parameter くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage 非くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧 *1 *1 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 項 目 Parameter サージ順電流 Surge Forward Current 電流二乗時間積 I Squared t 許容周波数 Allowable Operating Frequency 記号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit VRRM 800 V VRSM 900 V 記号 Symbol *1 *1 IFSM I2t f 条件 Conditions 50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 2～10ms 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 2000 A 20000 A2ｓ 400 Hz *1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm. ■ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.) 電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter ピーク逆電流 Peak Reverse Current ピーク順電圧 Peak Forward Voltage 記号 Symbol *1 *1 熱抵抗 Thermal Resistance 条件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 20 mA IRM Tj = 125℃, VRM= VRRM VFM Tj = 25℃, IFM= 200A 1.32 V Rth(j-c) 接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ) Unction to Case , Total 0.07 ℃/Ｗ *1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm. ■サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 Arm.) 最大定格 Maximum Rating 項 目 Parameter くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧 *2 Repetitive Peak Off-State Voltage 非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧 *2 Non-Repetitive Peak Off-State Voltage 記号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit VDRM 800 V VDSM 900 V *2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor 項 目 Parameter サージオン電流 Surge On-State Current 電流二乗時間績 I Squared t 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current ピークゲート電力損失 Peak Gate Power 平均ゲート電力損失 Average Gate Power ピークゲート電流 Peak Gate Current ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage 記号 Symbol IＴSM 条件 Conditions 50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 4000 A 80000 A2ｓ 100 A/μs PGM 5 W PG(AV) 1 W IGM 2 A VGM 10 V VRGM 5 V I2t di/dt 2～10ms VD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃ IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs 電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter ピークオフ電流 Peak Off-State Current ピークオン電圧 Peak Off-State Voltage 記号 Symbol 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min Typ Max 条 件 Conditions 単位 Unit IDM Tj = 125℃, VDM= VDRM 30 mA VTM Tj = 25℃, ITM= 200A 1.20 V トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT VD= 6 V, IT= 1A トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger VGT VD= 6 V, IT= 1A VGD Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM 0.25 V dv/dt Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM 500 V/μs 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage ターンオフ時間 Turn-Off Time ターンオン時間 Turn-On Time tq t gt Tj=－40℃ Tj= 25℃ Tj=125℃ Tj=－40℃ Tj= 25℃ Tj=125℃ Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs 300 150 80 5.0 3.0 2.0 mA V 150 μs 6 μs 項 目 Parameter 記号 Symbol 遅れ時間 Delay Time 立ち上がり時間 Rise Time ラッチング電流 Latching Current 保持電流 Holding Current 熱抵抗 Thermal Resistance td 条 件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min Typ Max 単位 Unit 2 μs 4 μs Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs tr IL Tj =25℃ 150 mA IH Tj =25℃ 100 mA Rth(j-c) 接合部－ケース間 Junction to Case 0.22 ℃/W ■質量 Approximate Weight －－－ 約 ４５０ｇ ■定格・特性曲線 順 電 圧 特 オ 性 電 圧 特 性 PGH200N8 5000 PGH200N8 (per Arm) 2000 ン ON-STATE CURRENT VS. VOLTAGE FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE 1000 2000 500 1000 時 順 電 流 （Ａ） 瞬 時 100 オ ン 電 50 流 （Ａ） 20 INSTANTANEOUS ON-STATE CURRENT (A) 瞬 INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A) 500 200 200 100 50 20 Tj=25°C Tj=25°C Tj=150°C 10 Tj=150°C 10 5 5 2 2 0 1 2 3 4 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) 瞬 時 順 電 圧 （Ｖ） 5 0 1 2 3 4 INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (V) 瞬 時 オ ン 電 圧 （Ｖ） 5 6 Non D. NON－Biased Biased Bi Thyristor DiodePer1Arm. 過 渡 熱 抵 抗 特 性 Transient Thermal Impedance PGH200N8(Diode Per 1 Arm.) 過 渡 熱 抵 抗 （ﾟC/W） Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W) 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 Time t (s) 時間 過 渡 熱 t (s) 抵 抗 特 性 Transient Thermal Impedance PGH200N8(Thyristor) 過 渡 熱 抵 抗 （ﾟC/W） Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W) 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 Time t (s) 時間 t (s) 0.5 1 2 5 10