10A Avg. ■最大定格 120 Volts SBD NB10HSA12 Maximum Ratings ■OUTLINE DRAWING(mm) Item Symbol Conditions Unit く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 120 V 平 均 整 流 電 流 Average Rectified Forward Current IO 実 効 順 電 流 R.M.S. Forward Current サ ー ジ 順 電 流 Surge Forward Current 動 作 接 合 温 度 範 囲 Operating Junction Temperature Range 保 存 温 度 範 囲 Storage Temperature Range I F(RMS) ■電気的・熱的特性 I FSM 10 A 50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し 50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive A T jw −40∼＋150 ℃ T stg −40∼＋150 ℃ Symbol 電 流 I RM 電 圧 V FM 熱 抵 Thermal Resistance A A 11.1 100 2.7 ■APPROX. NET WEIGHT:0.06 g Electrical/ Thermal Characteristics Item ピ ー ク 逆 Peak Reverse Current ピ ー ク 順 Peak Forward Voltage 50Hz、正弦半波通電抵抗負荷 50Hz Half Sine Wave Resistive Load ＊1 Ta=27℃*2 VRM=60V Tl=87℃ VRM=60V (Tl:lead Temperature) 抗 R th(j-a) R th(j-l) Conditions 一素子あたり Tj＝25℃, VRM＝120V, Per Diode 一素子あたり Tj＝25℃, IFM＝5A, Per Diode 接合部･周囲間 ＊2 （ガラエポ基板実装） Junction to Ambient 接合部･リード間 − Junction to Lead Min. Typ. Max. Unit − − 100 μA − − 0.86 V − − 60 ℃/W − 7 ℃/W ＊1 カソードコモン動作による/Common Cathode Operation ＊2 プリント基板実装/Glass-Epoxy Substrate mounted (Soldering Lands= 2.0 × 1.5 mm, 2.0 × 3.5 mm , Both Sides) ■定格・特性曲線 FIG.1 FIG.2 FIG.3 FIG.4 FIG.5 FIG.6 FIG.7 FIG.8