DI-190参考设计TOPSwitch-HX

DI-190参考设计
TOPSwitch-HX
®
超低空载功耗待机电源
应用
器件
输出功率
输入电压
输出电压
拓扑结构
PC待机/辅助电源
TOP256MN
20 W
100 – 375 VDC
5V
反激式
设计特色
空载和待机功耗的设计。
• 整个输入电压范围内的空载功耗都非常低(小于150 mW)
本设计为DC输入,整流/PFC升压级和EMI滤波由主转换器提供。
• 高效率
不过,也可以将本设计转换为AC输入,只需添加一个输入浪涌热
• 不同输入电压和负载下的效率均大于84%
敏电阻、保险丝、桥式整流器和共模扼流圈即可。考虑到任何其他
• 轻松满足CEC/能源之星2.0
损失的存在,所介绍的效率数据中包括了这些元件 — 1 A保险丝、
• 81%和EU CoC
5 Ω热敏电阻、10 mH共模扼流圈和1 A桥式整流器。C1的额定
• 达到83%的平均效率要求
电压选取为450
• 在0.25 A负载下效率为77%
V,在385
V(标称)输出PFC级馈电时提供裕
量。
• 轻松满足能源之星5.0的2 W输入功率限值
• 在0.60 A负载下效率为81%
电阻R1和R2将标称欠压(UV)锁定和过压(OV)关断分别限制在
• 轻松满足能源之星5.0的4 W输入功率限值
103 VDC和450 VDC。电阻R4、R5和R10设定不同输入电压下的
• 集成的安全及可靠性能:
电流限流点。
• 精确的、自动恢复且具有迟滞特性的过热关断功能使PCB板
的温度在各种条件下均维持在安全范围内
为了优化各种负载下的效率,U1需要在四种模式之一下工作,从空
• 在输出短路及反馈环路开环时进入到自动重启动保护状态
载到满载这四种模式是:多周期调制、固定频率PWM (30 kHz)、
工作原理
变频PWM以及固定频率PWM (66 kHz)。在所有模式下,控制器均
图1所示的电源是一种通用输入的反激式电源,输出为20 W,采用
会在占空比和控制引脚电流之间保持线性关系,以实现各模式之
了TOP256MN器件。典型应用包括PC待机电源以及其他要求超低
间的无缝切换。对于极低的功耗水平,U1以多周期调制模式
(MCM)进行工作,以实现出色的负载效率以及空载和待机工作。
Y1
2.2 nF
VR1
P6KE200A
1,2
11,12
D10
C6
C7
STPS30L
60CT 3300 MF 3300 MF
10 V
10 V
L4
2.2 MH
C4
4.7 nF
1 kV 3
R4
8.6 M7
R5
7.5 M7
100 - 375
VDC
R1
2 M7
D5
FR106
C8
1000 MF
10 V
8,9
4
6
R2
2 M7
D6
BAV20
5
C1
47 MF
450 V
T1
EEL25
D
V
CONTROL
S
5 V, 4 A
R25
91 7
C3
47 MF
50 V
U2B
PC817D
TOPSwitch-HX
U1
TOP256MN
R15
2 k7
C
U2A
PC817D
X
R10
15.4 k7
1%
C2
100 nF
R17
10 k7
1%
R16
22 k7
R6
6.8 7
C5
47 MF
C9
100 nF
25 V
C15
4.7 MF
U3
TL431
R18
10 k7
1%
PI-5175-021109
图 1. 通用输入、20 W输出的PC待机电源,使用TOP256MN器件设计
www.powerint.com
February 2009
PI-5327-021109
87
电阻R16、R17和C9调整反馈环路的频率补偿。电阻R25为
86
增益限制电阻,用于控制环路的直流增益。100 VDC时的系统带
Efficiency (%)
宽为2 kHz,相位裕量45º。400 VDC时的系统带宽为3.6 kHz,
相位裕量60º。
设计要点
• 箝位电容C4与快速二极管D5(FR106,TRR = 500 ns)配合工
作,可重新利用部分漏感能量。从齐纳二极管箝位观察得到的效
率增益约为0.4%。该电容还可以将峰值漏极电压降低约20 V。
85
84
83
82
81
• 光耦器U2具有高CTR值,介于300%至600%之间。这样可减小
从次级拉出的电流量,而这些电流是用于在轻载、待机负载和
80
100
空载条件下使TOPSwitch-HX切换到变频、低频模式或MCM模
式的。
150
200
250
300
350
400
Input Voltage (VDC)
• 本设计中的T1使电源能够在整个输入电压工作范围内以连续导通
图 3. 不同输入电压下测得的满载效率
模式运行。这有助于减小MOSFET RMS电流,从而提高效率。
• 变压器T1使用分为两层的初级绕组,它围绕偏置绕组和次级绕
变压器参数
组绕制而成。这样可降低漏感和初级绕组电容,并提高空载和
待机性能。
• 为了降低空载功耗,偏置绕组圈数经过特意选取,以使偏置电
磁芯材料
EEL25 NC-2H or equivalent, gapped for ALG
of 265 nH/t²
骨架
EEL25, 12 pin Vertical
绕组详情
3 mm margins on both sides of bobbin to meet
safety
Primary-1: 47T × 1, 0.25 mm, tape
Bias: 12T × 1, 0.45 mm, 3 layers, tape
5 V: 5T × 4, 0.45 mm, 3 layers, tape
Primary-2: 47T × 1, 0.25 mm, tape
绕组顺序
Primary (4–3), Bias (6–5), 5 V (11,12–8,9),
Primary (3–2)
初级电感量
2200 mH, ±10%
初级谐振频率
1600 kHz (minimum)
漏感
20 mH (maximum)
压在最差负载和输入电压条件下达到8 V。
• 可选设计点:使用TLV431 (U3)可降低最小阴极电流(从400 μA
调节到55 μA),并可省去R15。这样将额外省去10 mW的空载
功耗。
PI-5326-021109
150
Input Power (mW)
120
90
60
表 1. 变压器参数。(NC = 无连接)
30
0
85
115
145
175
205
235
265
Equivalent Input Voltage (VAC)
图 2. 空载功耗随输入电压的变化
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A
02/09
DI-190