DI-176参考设计TinySwitch-III

DI-176参考设计
TinySwitch-III
®
20 W空调电源
应用
器件
输出功率
输入电压
输出电压
拓扑结构
空调
TNY279PN
20 W
200 – 400 VDC
12 V, 15 V
反激式
TNY279PN器件使用在反激式拓扑结构中。在U1的内部MOSFET导
通期间,在变压器T1初级绕组上的电流会线性增大。电流在初级侧
不断增大时,能量会储存在变压器中。一旦流经MOSFET的电流达
到 器 件 的 电 流 限 流 点 , 或 者 达 到 D C MAX, M O S F E T 将 关 断 。
进入导通周期的反激部分。在此期间,在次级绕组上产生
电压,储存在变压器中的能量被传输到输出电容和负载。
设计特色
•
设计简单,元件数量少
•
极高效率:在输入电压范围内效率均大于80%
•
一个隔离输出,一个初级侧基准输出,非常适合白色家电应用
•
迟滞热关断保护
工作原理
图1中所示的TinySwitch-III电源可以提供20W的输出功率。15 V输
出能够提供最大50 mA的电流,由于它以U1内部的MOSFET源极
(初级侧)为基准,因此通常用于为无刷直流(BLDC)电机的初级
侧驱动器供电。12 V稳压隔离输出能够提供最大1.6 A的电流,可
用于驱动微控制器、继电器和步进电机。
该电源使用大容量输入电容C1,为BLDC电机维持提供恒压源。
因为假定在进行所有必要的EMI滤波和AC整流之后将放置该电
源,所以设计中并没有显示这些元件。然而,Y电容C10作为
EMI滤波的一部分有必要在设计中予以显示。
在电源进入反激状态时,使用一个RCD缓冲吸收电路将使漏极节点
的电压维持在器件的BVDSS限值以下。缓冲吸收电路由快速阻断二极
管D1、电容C2和电阻R1构成。
二极管D2对15 V次级输出进行整流,而电容C4对其进行滤波和
平滑。电感L1与电容C6和C7一起构成一个后级滤波器,用于消除
开关频率纹波。电阻R2充当假负载,用于改善空载时的稳压。
二极管D3和D4对12 V输出进行整流,而电容C5对输出进行滤波。
电感L2与电容C8和C9一起构成后级滤波器,用于减小此输出的开
关频率纹波。
D3
UG4D
L2
12 MH
2A
T1
EE22
2
C2
10 nF
630V
R1
82 k7
2W
D1
1N4937
C1
330MF
450 V
D4
UG4D
7
4
200 - 400
VDC
6
C5
1000 MF
35 V
D2
UG2D
12 V, 1.6 A
C8
1000MF
25 V
C9
0.1 MF
ISO_RTN
L1
12 MH
15 V, 50 mA
10
9
C6
330MF
25 V
C4
470MF
25 V
C7
0.1MF
R2
700 7
1/2 W
PRI_RTN
D
R3
220 7
TinySwitch-III
U1
TNY279PN
EN/UV
BP
S
C3
10MF
50V
U2B
PC817A
U2A
PC817A
C10
4.7 nF
250 VAC
R4
1 k7
VR1
BZX55C11
11 V
PI-5010-032808
图 1. 20 W、使用TNY279PN的反激式电源
www.powerint.com
March 2008
反馈电路连接到12 V输出上。电阻R3调整整个反馈环路的增益。
设计要点
电阻R4通过大约1 mA的电流来偏置稳压管参考电压VR1。
•
使用TinySwitch-III的开/关控制电路可以实现输出稳压。在每个内
•
将串联二极管和33 kΩ电阻从15 V输出连接至BP引脚可以大幅
降低空载输入功耗。
部时钟周期的上升沿都会对EN/UV引脚流出的电流进行采样。
D1要选择快速二极管而不能选择超快二极管,通过恢复部分漏
感能量来提高效率。
如 果 该 电 流 超 过 1 1 5 m A , 则 随 后 的 开 关 周 期 将 被 禁 止 (跳
•
U1的可选电流限流点允许对电流限流点和器件大小进行优化,
过),否则周期将被使能。在每个时钟周期内,这一过程都会重
以适应环境温度。例如,在本设计中,可以通过将旁路电容
复进行。通过调节使能脉冲与禁止脉冲的比率,可以保持
C3从10 mF更改为0.1 mF以使用TNY280PN器件。
稳压。这样还可以优化整个负载范围内的变压器效率。
•
双二极管(D3和D4)可以降低损耗和提高效率。而单二极管的
使用符合电气要求。
PI-5011-022708
Efficiency (%)
90
磁芯材料
PC40EE22-Z or equivalent, gapped for ALG of
127 nH/t²
骨架
EE22, Vertical
绕组详情
Primary: 40T, 0.3 mm, 3 layers tape
Secondary-1: 9T × 2, 0.4 mm T.I.W., 2 layers
tape
Secondary-2: 10T, 0.5 mm T.I.W., 3 layers tape
Primary: 40T, 0.3 mm, 3 layers tape
绕组顺序
Primary (2–3), Secondary-1 (7–6), Secondary-2
(9–10), Primary (3–4)
初级电感量
812 mH, ±7%
初级谐振频率
800 kHz (minimum)
漏感
60 mH (maximum)
80
70
60
265
325
390
Input Voltage (VDC)
图 2. 满载效率随输入电压的变化
PI-5012-031008
0.6
Power Consumption (W)
变压器参数
表 1. 变压器参数。(AWG = 美国线规,TIW = 三层绝缘线)
0.4
0.2
0
265
325
390
Input Voltage (VDC)
图 3. 空载输入功耗
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A
03/08
DI-176