DI-116参考设计TinySwitch-III - Power Integrations - AC

DI-116参考设计
TinySwitch-III
®
28 W多路输出电源,空载功耗<50 mW
应用
器件
输出功率
输入电压
输出电压
拓扑结构
DVD / 机顶盒
TNY280PN
25 W (28 W PK)
90 - 265 VAC
5 V / 12 V / -12 V / -24 V
反激式
在每一个使能开关周期,U1内部的MOSFET导通,电流流过变压
设计特色
•
设计简单、低成本、元件数量少
器T1初级绕组。当初级电流达到MOSFET限流点时,MOSFET关
•
低空载功耗:265 VAC输入时的空载功耗<50 mW
断,变压器T1中的能量被传送到次级。
•
低待机功耗:5 V、5 mA负载时的待机功耗<90 mW
•
高效率:90 VAC输入时的效率>74%
•
即使输出接到安全地,相对于EN55022B的传导EMI限值,仍有
初级箝位电路(D5、VR3、R1、R2和C3)将峰值漏极电压控制
在内部MOSFET的700 V击穿电压之下。
>10 dBµV的EMI裕量
输出过压保护(OVP)通过U2、R12、R13、VR1和VR2来实现。
•
简单的输出过压锁存关断电路,在故障状态下保护负载
如果由于U3故障造成反馈环路开路,VR1或VR2会使U2导通,
•
导通时间延长提供了28 ms的保持时间
使得流进U1 BP/M引脚的电流超过6.5 mA,U1进入锁存状态。
VR1和VR2的值决定了锁存发生时的输出电压。一旦被触发,
工作方式
图1所示的DVD或机顶盒电源是用TNY280PN(U1)设计的一个反激式
输入断电再上电就会使OVP锁存复位。
转换器。在这个设计中,10 µF的C4电容选择了U1的增强限流点,
为了减小空载功耗和提高轻载效率,变压器的辅助偏置绕组通过
在启动或负载瞬态(DVD开仓)时可使电源输出28 W的峰值功率。
电阻R3给U1供电。
C6
330 pF R3
100 V 16 Ω
C18
1 nF
250 VAC
VR3
BZY97C200
200 V
C3
1 nF
1 kV
D1, D2
1N4937
2
3
F1
2A
L1
10 mH
C1
47 µF
400V
8
C9
1 nF
50 V
6
R2 NC
200 Ω
1/2 W
R1
560 Ω
RV1
90-265
VAC 275 VAC
T1
7
9
C2
47 µF
400V
R4
10 Ω
C14
2.2 µF
50 V
4
C5
1 µF
100 V
D
D3,D4
1N4007GP
EN/UV
BP/M
S
C4
10 µF
50 V
U3-B
PC817D
R3
100 kΩ
+12 V,
1.15 A
VR2
BZX79-B4V7
4.7 V 2%
C13
100 nF
50 V
+5 V,
2.1 A
RTN
R11
10 Ω
C15
100 nF
50 V
R8
56 Ω
R12
100 Ω
R7
10 Ω
R9
1 kΩ
U3-A
EE25
TinySwitch-III
U1
TNY280PN
VR1
1N5244B
14 V
C11
220 µF
10 V
R6
10 Ω
D10
BAV20
D6
BAV21
5
VR4
BZX79C8
220 µF B8V2
8.2 V
16 V
L2
3.3 µH
L3
3.3 µH
C12
C10
D8
2.2 µF SB530 2200 µF
50 V
10 V
D9
BAV20
10
D5
FR107
C7
680 µF
16 V
D7 SB360
R14
15 kΩ
1%
C16
220 nF
U2-B
50 V
PC817D
C17
1 µF
50 V
-12 V,
20 mA
-24 V,
15 mA
R13
1 kΩ
U2-A
R15
115 kΩ
1%
C18
100 nF
50 V
RTN
U4
TL431
2%
R10
3 kΩ
R16
10 kΩ
1%
PI-4416-122007
图 1. 25 W连续、28 W峰值多输出电源
www.powerint.com
December 2007
设计要点
•
•
RCD箝位。在满载时,VR3限制了C3两端的最大电压。在轻载
或空载时,随着有效开关频率的降低,VR3阻止C3全部放电,
以防止箝位网络成为一个大的负载。D5使用快速而不是超快二
选择VR1和VR2的值以限制在开环故障下的最大电压。电阻
R13提供了一个偏置电流以便使齐纳管在接近它们的测试电流
由D5、R1、VR3、R2和C3组成的初级箝位是一个优化的
时工作。这个偏置电流也是一个假负载。
•
为了提高交叉调整率,电源反馈取自5 V和12 V,通过R14和R15
接到电压参考U4。
极管,可以把一些漏感能量回送到输出,提高了效率。
70
变压器参数
EN55022B Limits
QP
60
PI-4413-090606
80
磁芯材料
EE25 N67 or equivalent, gapped for ALG of
105 nH/t²
骨架
5+5 pin vertical (Yih-Hwa YW-360-02B)
绕组细节
Bias: 27T, 29 AWG
Primary: 105T, 32 AWG
Shield: 2T, 100 mm × 9 mm × 1 mil Cu foil
+5 V: 5T, 2 × 24 AWG T.I.W.
+12 V: 6T, 25 AWG T.I.W.
-12 V: 11T, 32 AWG T.I.W.
-24 V: 11T, 32 AWG T.I.W.
绕线顺序(引脚号)
1 mm tape margin, bias (4-5), tape, Primary
(3- 2), Shield (2-NC), tape, +5 V (6-7), +12 V
(8-6), tape, -12 V (7-10), -24 V (10-9), tape
电感
Primary: 1.15 mH - 0/+ 10%
Leaksage: 70 μH (max)
AV
50
dBµV
40
30
QP
20
AV
10
0
-10
-20
0.15
1.0
10.0
MHz
图 2. 最差情况下的EMI结果(输出接到安全地)
100.0
表 1. 变压器设计参数(AWG = 美国绕线规格,TIW = 三层绝缘线,
NC = 无连接)
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B
12/07
DI-116