CMPA2735075F 75 W、2.7 - 3.5 GHz GaN MMIC 功率放大器 Cree 的 CMPA2735075F 是一款基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。与硅或砷化镓相比，GaN 具有更出色的性能，包括 更高的击穿电压、更饱和的电子漂移速度和更高的热传导性。与硅和砷化镓晶体管 相比，GaN HEMT 还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包含两级反应 性匹配放大器设计方法，可实现非常宽的带宽。该单片微波集成电路 (MMIC) 可 在小规格螺旋下降式封装中实现极高的带宽。 部件号：CMPA 2735075F 封装类型：78 0019 在 2.7-3.5 GHz 频率 (TC = 25˚C) 下的典型性能 2.7 GHz 2.9 GHz 3.1 GHz 3.3 GHz 3.5 GHz 单位 27 29 29 28 27 dB 59 76 89 90 83 W 功率增益 @ PSAT1 21 23 24 24 23 dB PAE @ PSAT1 43 54 56 56 56 % 参数 小信号增益 饱和输出功率，P 1 SAT 注 ：PSAT 指设备开始吸收正向栅极电流（范围：2-8 mA）时的射频输出功率。 1 2012 年 4 月 修订版本 1.1 - 特点 • • • • • • 应用 27 dB 小信号增益 • 民用和军用脉冲雷达放大器 PSAT 典型值：80 W 最高 28 V 工作电压 高击穿电压 高温工作 0.5" x 0.5" 总产品尺寸 图 1. 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/wireless 1 25˚C 时的绝对最大额定值（非同时出现） 参数 符号 额定值 单位 漏源电压 VDSS 84 VDC VDC 栅源电压 VGS -10，+2 储存温度 TSTG -65，+150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C 正向栅极电流 IG 28 mA 螺杆扭矩 T 40 in-oz RθJC 2.5 ˚C/W 热阻，结点到表面（已封装）1 电气特性（频率 = 2.9 GHz 到 3.5 GHz，除非另有说明；TC = 25˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(TH) -3.8 -3.0 -2.3 V 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC 饱和漏极电流1 IDS 19.6 27.4 – A VDS = 6.0 V，VGS = 2.0 V 漏源击穿电压 VBD 84 100 – V VGS = -8 V，ID = 28 mA 小信号增益1 S21 – 29 – dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 2.9 GHz 小信号增益2 S21 26.5 29 – dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.1 GHz 小信号增益3 S21 26 27 – dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.5 GHz 输出功率1 POUT – 76 – W VDD = 28 V，IDQ = 700 mA， PIN = 28 dBm，频率 = 2.9 GHz 输出功率2 POUT 66 82 – W VDD = 28 V，IDQ = 700 mA， PIN = 28 dBm，频率 = 3.1 GHz 输出功率3 POUT 66 85 – W VDD = 28 V，IDQ = 700 mA， PIN = 28 dBm，频率 = 3.5 GHz 功率附加效率1 PAE – 54 – % VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 2.9 GHz 功率附加效率2 PAE 45 54 – % VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.1 GHz 功率附加效率3 PAE 45 53 – % VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.5 GHz 功率增益1 GP – 23 – dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 2.9 GHz 功率增益2 GP 20 21 – dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.1 GHz 功率增益3 GP 20 21 – dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.5 GHz 输入回波损耗1 S11 – -11 -8 dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.1 GHz 输入回波损耗2 S11 – -16 -10 dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.5 GHz 输出回波损耗1 S22 – -9 –4 dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.1 GHz 输出回波损耗2 S22 – -17 –10 dB VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 3.5 GHz 输出失配应力 VSWR – – 5：1 Y 在所有相角均无损伤， VDD = 28V，IDQ = 700mA，POUT = 75W CW 直流特性 VDS = 10 V，ID = 28 mA VDD = 28 V，IDQ = 700 mA，频率 = 2.9 GHz 射频特性2,3 注： 1 根据 PCM 数据按比例缩放而得。 2 所有数据脉冲均在 CMPA2735075F-TB 中测得。 3 脉冲宽度= 300 μS，暂载率 = 20%。 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 2 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CMPA2735075F 的典型性能 在 CMPA2735075F-TB 放大器电路中测得的 CMPA2735075F 的增益和输入回波损耗与频率。 V = 28 Small V，ISignal = Performance 700 mA CGH2735075 DS DS 40 10 35 5 0 25 -5 20 -10 IRL (dB) 15 -15 10 -20 5 输入回波损耗 (dB) Input Return Loss (dB) Gain 增益(dB) (dB) 增益 Gain(dB) (dB) 30 -25 S21 (dB) S11 (dB) 0 -30 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 频率 (GHz)(GHz) Frequency 在 CMPA2735075F-TB 放大器电路中测得的 CMPA2735075F 的输出功率、增益和功率附加效率与频率。 VDS = 28 V，IDS = 700 mA，脉冲宽度 =vs300 μS，暂载率 = 20% CGH2735075 Pout, PAE and Pgain Frequency 100 Output Power (dBm) 输出功率 (dBm) 50 90 49 80 输出功率 (dBm) Output Power (dBm) 48 70 PAE (%) 47 60 46 50 45 40 44 PAE (%) (%) (dB) PAE & 和增益 Gain (dB) 51 30 增益 Gain(dB) (dB) 43 20 42 10 41 0 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 4.0 4.1 Frequency (GHz) 频率 (GHz) 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 3 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型脉顶倾斜性能 CMPA2735075F Pulsed Power Performance 49.7 49.6 300 us 5 % 300 us 10 % 300 us 20 % 300 us 25 % 1 ms 5 % 1 ms 10 % 1 ms 20 % 1 ms 25 % 5 ms 5 % 5 ms 10 % 5 ms 20 % 5 ms 25 % 49.5 Output Power (dBm) 输出功率 (dBm) 49.4 49.3 49.2 49.1 49.0 脉宽 占空比 (%) 衰减 (dB) 10 us 5-25 0.30 50 us 5-25 0.30 100 us 5-25 0.30 300 us 5-25 0.35 1 ms 5-25 0.40 5 ms 5-25 0.55 48.9 48.8 48.7 -1 0 1 2 3 4 5 6 Time (ms) 时间 (ms) 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 4 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CMPA2735075F-TB 示范放大器电路材料清单 符号 描述 数量 C1 CAP，15000pF，100V，0805，X7R 1 C2 CAP，1000uF，20%，50V，ELECT，MVY，SMD 1 R1 RES，1/8W，1206，+/-5%，0 OHMS 1 R2 RES，1/16W，0603，+/-5%，10K OHMS 1 L1 FERRITE，22 OHM，0805，BLM21PG220SN1 1 J1，J2 连接器，N 型，阴，带 0.500 SMA 法兰 2 J3 连接器，HEADER，RT>PLZ .1CEN LK 9POS 1 J4 连接器，SMB，直式插口，SMD 1 PCB，TACONIC，RF-35-0100-CH/CH 1 CMPA2735075F 1 Q1 说明 1 CMPA2735075F 使用 2.0 密耳厚金线连接到 PCB 上。 CMPA2735075F-TB 示范放大器电路 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 5 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CMPA2735075F-TB 示范放大器电路示意图 栅极偏置 输入 射频输入 输出 栅极偏置 射频输出 CMPA2735075F-TB 示范放大器电路平面图 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 6 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CMPA2735075F 产品尺寸（封装类型——780019） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M - 1982 规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金 英寸 最小 最大 毫米 最小 最大 注 （障碍） 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 7 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 部件号系统 CMPA2735075F 包装 功率输出 (W) 频率上限 (GHz) 频率下限 (GHz) Cree MMIC 功率放大器产品线 参数 值 单位 频率下限 2.7 GHz 频率上限 3.5 GHz 输出功率 75 W 法兰 - 封装 表 1. 注 ： 频率 代码中 使用 的字母 字符 表示值大 于 9.9 GHz。各个值请参阅表 2。 字符代码 代码值 A 0 B 1 C 2 D 3 E 4 F 5 G 6 H 7 J 8 K 9 示例： 1A = 10.0 GHz 2H = 27.0 GHz 表 2. 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 8 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 免责声明 本文所列规格随时可能出现更改，恕不另行通知。Cree，Inc. 认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree 不对此类 信息的使用或由此产生的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予 Cree 的任何专利或专利 权的任何许可。Cree 不对其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是 Cree 根据大量数据得出的 平均预期值，仅供参考。这些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作 参数均应由客户的技术专家进行验证。Cree 产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支 持或维持生命的应用；若 Cree 产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。CREE 和 CREE 徽标均是 Cree，Inc. 的注册商标。 如需更多信息，请联系： Cree，Inc. 4600 Silicon Drive Durham，North Carolina，USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标均是 Cree, Inc. 的注册商标。 其他商标、产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 9 CMPA2735075F 修订版本 1.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless