CMPA5585025F 25 W、5.5 - 8.5 GHz GaN MMIC功率放大器 Cree的CMPA5585025F是一款基于单片微波集成电路（MMIC）的氮化镓 （GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比，GaN具有更 加优良的性能，比如说，更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度以及更 高的导热性。与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还可以提供更大的功 率密度和更宽的频带。该MMIC采用10引线金属/陶瓷法兰封装，用以获得 最佳的电气性能和热性能。 部件号：CMPA 5585025F 封装类型：44 0208 在5.8-8.4 GHz频率（TC = 25˚C）下的典型性能 参数 5.8 GHz 6.4 GHz 7.2 GHz 7.9 GHz 8.4 GHz 单位 29.5 24.0 24.0 24.0 22.0 dB 15 23 20 19 19 W 22.5 20.0 18.5 17.5 20.0 dB 30 35 30 25 30 % 小信号增益 输出功率1 1 功率增益 功率附加效率1 注1：以上数据是在-30 dBc、载体频率 = 1.6 MHz、1.6 Msps OQPSK调制（PN23、滤波器Alpha = 0.2）的条件下，在CMPA5585025F-TB 中测得。 应用 • 小信号增益：25 dB • 点对点无线电 • PSAT典型值：35 W • 通信 • 最大工作电压：28 V • 卫星通信上行链路 • 高击穿电压 • 高工作温度 • 尺寸：1.00 x 0.385英寸 修订版本1.6— —2012年7月 特点 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 绝对最大额定值（非同时出现） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 VDC 25˚C 栅源电压 VGS -10、+2 VDC 25˚C 耗散功率 PDISS 55 W 储存温度 TSTG -65、+150 ˚C 工作结温 最大正向栅极电流 焊接温度 1 TJ 225 ˚C IGMAX 10 mA TS 245 ˚C in-oz 25˚C τ 40 热阻，结点到表面 RθJC 1.55 ˚C/W OQPSK，85˚C，PDISS = 55 W 热阻，结点到表面 CW，85˚C，PDISS = 77 W 螺杆扭矩 RθJC 1.80 ˚C/W 表面工作温度 TC -40、+140 ˚C PDISS = 55 W 表面工作温度 TC -40、+85 ˚C PDISS = 77 W 注意： 1 请参考焊接应用说明，网址为：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 电气特性（除非另行说明，否则频率 = 5.5 - 8.5 GHz；TC = 25˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(TH) -3.8 -3.0 -2.3 V 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC IDS 10.6 12.8 – A VDS = 6.0 V，VGS = 2.0 V VBD 84 100 – V VGS = -8 V，ID = 13.2 mA 小信号增益 S21 18.25 24 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， PIN = -20 dBm 输入回波损耗 S11 – 10 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA 输出回波损耗 S22 – 6 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA 输出失配应力 VSWR – – 5:1 Y 所有相角均无损坏，VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， POUT = 25W OQPSK DC特性1 饱和漏极电流 2 漏源击穿电压 VDS = 10 V，ID = 13.2 mA VDS = 28 V，ID = 285 A 射频特性3 注： 1 封装之前直接在晶片上测得。 2 根据PCM数据按比例缩放而得。 3 在CMPA5585025F-TB中测得。 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 2 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 电气特性（续...）（TC = 25˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 功率附加效率 PAE1 20.0 24.5 – % VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 5.8 GHz 功率附加效率 PAE2 17.0 21.0 – % VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 7.2 GHz 功率附加效率 PAE3 16.0 19.0 – % VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 7.9 GHz 功率附加效率 PAE4 17.5 21.5 – % VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 8.4 GHz 功率增益 GP1 19.5 23.0 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 5.8 GHz 功率增益 GP2 17.1 19.0 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 7.2 GHz 功率增益 GP3 17.3 19.5 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 7.9 GHz 功率增益 GP4 18.5 21.5 – dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 8.4 GHz 线性OQPSK ACLR1 – -34.5 –28.5 dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 5.8 GHz 线性OQPSK ACLR2 – -37.5 –30.0 dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 7.2 GHz 线性OQPSK ACLR3 – -31.0 –26.0 dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 7.9 GHz 线性OQPSK ACLR4 – -38.5 –32.5 dB VDD = 28 V，IDQ = 285 mA， 频率 = 8.4 GHz 射频特性1、2、3、4 注： 3 在CMPA5585025F-TB中测得。 2 在1.6 Msps OQPSK调制信号（PN23，滤波器Alpha = 0.2）的条件下测得。 3 在PAVE = 40 dBm的条件下测得。 4 已消除灯具损耗。 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电设备模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 3 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图1. 在-30 dBc、载体频率 = 1.6 MHz条件下的CMPA5585025F线性输出功率、增益和PAE CMPA5585025F Output Power, Gain and PAE at -30 dBc - 1.6 MHz from carrier VDD = 28 V，I = 285 mA，1.6 Msps OQPSK调制 Vdd = 28 V, Idq DQ = 285 mA, 1.6 Msps OQPSK modulation 输出功率（dBm），增益（dB）和PAE（%） 40 35 30 25 20 15 10 C波段 扩展型C波段 5 0 X波段 输出功率 增益 PAE 5.7 5.9 6.1 6.3 6.5 6.7 6.9 7.1 7.3 频率（GHz） 7.5 7.7 7.9 8.1 8.3 8.5 图2. CMPA5585025F的小信号增益典型值及回波损耗与频率之间的关系 （在CMPA5585025F-TB放大器电路中测得） Typical Small Signal Gain and Return Loss vs Frequency of the CMPA5585025F measured in CMPA5585025F-TB Amplifier Circuit. VDS = VDS 28=V，I = 285 mA 28 V, IDS DS= 285 mA 40 小型信号增益，输入和输出回波损耗（dB） 30 20 10 |S21| (dB) |S11| (dB) 0 |S22| (dB) -10 -20 -30 -40 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 频率（GHz） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 4 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图3. 15 W时的CMPA5585025F C波段光谱掩模 CMPA5585025F C-band Spectral Mask at 15 W PAE = 29.1 % @ 5.8 GHz, 28.5 % @ = 6.428.5%，7.2 GHz & 25.6 % @ 7.2 GHz 5.8 GHz时PAE = 29.1%，6.4 GHz时PAE GHz时PAE = 25.6% 50 40 5.8 GHz 30 6.4 GHz 7.2 GHz 幅值（dB） 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -6 -4 -2 0 2 4 6 频率（MHz） CMPA5585025F X-band Spectral Mask at 15 W 图4. 15 W时的CMPA5585025F X波段光谱掩模 PAE = 25.6 % @ 7.9 GHz & 25.3 % @ 8.4 GHz 7.9 GHz时PAE = 25.6%，8.4 GHz时PAE = 25.3% 50 40 7.9 GHz 30 8.4 GHz 幅值（dB） 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -6 -4 -2 0 2 4 6 频率（MHz） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 5 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图5. CMPA5585025F C波段线性输出功率、增益及PAE与平均输出功率之间的关系 CMPA5585025F C-band Linearity, Gain, and PAE vs Average Output Power VDS = 28Vdd V，I = 285 mA，1.6 Msps OQPSK调制 = 28 DSV, Idq = 285 mA, OQPSK, 1.6 Msps 5.8 GHz 偏置6.4 GHz 偏置7.2 GHz 偏置5.8 GHz 增益 6.4 GHz 增益 7.2 GHz 增益 来自中心频率的1.6MHz偏置（dBc） -15 -20 40 5.8 GHz 偏置+ 6.4 GHz 偏置+ 7.2 GHz 偏置+ 5.8 GHz PAE 6.4 GHz PAE 7.2 GHz PAE 35 30 -25 25 -30 20 -35 15 -40 10 -45 5 -50 29 31 33 35 37 39 41 43 45 增益（dB）和功率增益（%） -10 0 平均输出功率（dBm） 图6. CMPA5585025F X波段线性输出功率、增益及PAE与平均输出功率之间的关系 CMPA5585025F X-band Linearity, Gain, and PAE vs Average Output Power VDS = 28Vdd V，I = 285 mA，1.6 Msps OQPSK调制 = 28 DSV, Idq = 285 mA, OQPSK, 1.6 Msps -10 40 7.9 GHz Offset - 7.9 GHz Offset + 8.4 GHz Offset - 8.4 GHz Offset + 7.9 GHz Gain 7.9 GHz PAE 8.4 GHz Gain 8.4 GHz PAE 35 -20 30 -25 25 -30 20 -35 15 -40 10 -45 5 -50 20 25 30 35 40 45 增益（dB）和功率增益（%） 来自中心频率的1.6MHz偏置（dBc） -15 0 平均输出功率（dBm） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 6 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图7. CMPA5585025F EVM与平均输出功率之间的关系 CMPA5585025F EVM vs Output Power Vdd = 28 = 285 mA, 1.6 Msps OQPSK ModulationOQPSK调制 VDS = 28 V，I =V, Idq 285 mA，1.6 Msps DS 10 9 5.8 GHz 8 7.2 GHz 6.4 GHz 7.9 GHz 误差矢量幅度（%） 7 8.4 GHz 6 5 4 3 2 1 0 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 平均输出功率（dBm） 图8. CMPA5585025F - 线性输出功率与平均输出功率之间的关系 CMPA5585025F - Linearity vs Output Power OQPSK, 1.6 Msps, Idq = 285 mA= 285 mA 1.6 Msps OQPSK调制，I DS -10 5.8 GHz 中心频率为1.6 MHz时的偏置（dBc） -15 6.4 GHz 7.2 GHz -20 7.9 GHz 8.4 GHz -25 -30 -35 -40 -45 -50 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 平均输出功率（dBm） 图9. CMPA5585025F线性输出功率与平均输出功率之间的关系 CMPA5585025F Linearity vs Average Output Power VDS = 28 V，I =Idq285 mA，IM3 Vdd = 28 V, = 285 mA, IM3 5 MHz spacing 5 MHz间隔 DS -10 5.8 GHz 6.4 GHz -15 7.2 GHz 7.9 GHz 线性度（dBc） -20 8.4 GHz -25 -30 -35 -40 -45 -50 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 平均输出功率（dBm） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 7 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图10. CMPA5585025F C波段输出功率、增益及PAE与输入功率之间的关系 CMPA5585025F C-band Output Power, Gain and PAE vs Input Power VDS = 28VddV，I 1.2 = 28 V, DS Idq == 1.2 A, CW A，CW 40 35 增益（dB）和PAE（%） 30 25 20 15 10 5 0 0 5 10 5.8 GHz 增益 5.8 GHz PAE 6.4 GHz 增益 6.4 GHz PAE 7.2 GHz 增益 7.2 GHz PAE 15 20 25 30 输入功率（dBm） 图11. CMPA5585025F X波段输出功率、增益及PAE与输入功率之间的关系 CMPA5585025F X-band Output Power, Gain and PAE vs Input Power VDS = 28VddV，I = 1.2 A，CW = 28 V, Idq DS= 1.2 A, CW 40 35 7.9 GHz 增益 7.9 GHz PAE 8.4 GHz 增益 8.4 GHz PAE 增益（dB）和PAE（%） 30 25 20 15 10 5 0 0 5 10 15 20 25 30 输入功率（dBm） 图12. CMPA5585025F - 功率、增益及PAE与频率之间的关系 CMPA5585025F Psat vs Frequency VDS = 28 V，I Vdd = 28 V,DS Idq = = 1.21.2 A, CW A，CW 45 40 饱和输出功率（W） 35 30 25 20 15 Psat 10 增益 5 0 PAE 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 频率（GHz） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 8 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图13. CMPA5585025F - 典型漏极电流与平均输出功率之间的关系 CMPA5585025F Typical Drain Current vs Average Output Power VDS = 28 V，I =V,285 mA，1.6 Msps OQPSK调制 VddDS = 28 Idq = 285 mA, OQPSK, 1.6 Msps 3.5 5.8 GHz 3.0 6.4 GHz 7.2 GHz 7.9 GHz 漏极电流（A） 2.5 8.4 GHz 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 20 25 30 35 40 45 平均输出功率（dBm） -10 图14. CMPA5585025F - 互调失真乘积与音频间隔之间的关系 CMPA5585025F Intermodulation Distortion Products vs Tone Spacing VDS = 28 ==285 mA，中心频率 7.9 GHz Vd V，I = 28 V,DSIdq 285 mA, Center Freq = 7.9=GHz -15 互调失真（dBc） -20 IM3- IM5- IM7- IM3+ IM5+ IM7+ -25 -30 -35 -40 -45 -50 0.1 1 10 100 双音间隔（MHz） 注意：由于测试夹具上偏置组件的影响，音频间隔大于20 MHz时，IM5和IM7呈发散状态。 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 9 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图15. CMPA5585025F - AM-AM CMPA5585025F AM-AM VDS =Vdd 28= V，I = 285 mA 28 V, Idq DS = 285 mA 26 5.8 GHz 24 7.2 GHz 7.9 GHz S21幅值（dBm） 22 8.4 GHz 20 18 16 14 12 10 10 12 14 18 20 22 24 输入功率（dBm） 26 28 30 32 34 30 32 34 图16. CMPA5585025F - 标准化AM-PM CMPA5585025F Normalized AM-PM VDS = 28 V，I = 285 mA DS= 285 mA Vdd = 28 V, Idq 25 5.8 GHz 20 7.2 GHz 7.9 GHz 8.4 GHz 15 S21相位（度） 16 10 5 0 -5 -10 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 输入功率（dBm） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 10 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F的典型性能 图17. CMPA5585025F EVM与平均输出功率之间的关系 VDS = 28 V，IDS = 285 mA，256 QAM 5.0 4.5 4.0 误差矢量幅度（%） 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 6.4 EVM (%) 1.0 7.9 EVM (%) 8.4 EVM (%) 0.5 0.0 7.2 EVM (%) 20 25 30 35 输出功率（dBm） 40 45 图18. CMPA5585025F线性输出功率与平均输出功率之间的关系 VDS = 28 V，IDS = 285 mA，IM3、IM5、IM7的5 MHz间隔 0 -10 线性度（dBc） -20 -30 IM3 7900 IM5 7900 IM7 7900 -40 -50 -60 20 25 30 35 40 45 输出功率（dBm） 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 11 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F耗散功率下降曲线 CMPA5585025F Power Dissipation De-Rating Curve 90 80 70 功耗（W） 60 50 40 30 注1 20 10 0 0 25 50 75 100 125 150 最高表面温度（°C） 175 200 225 250 注1. 超出最大表面工作温度的区域（见第2页）。 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 12 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F-TB公版放大器电路物料清单 编号 C1，C3，C7，C8， C10，C13 描述 数量 电容，1.0 uF，+/-10%，1210，100V，X7R 6 电容，33000 pF，0805，100V，X7R 6 C11，C14 电解电容，3.3UF，80V，FK，SMD 2 R1，R2 电阻，0.0 Ω，1/16W，0402，SMD 2 J1，J2 连接器，SMA，面板安装插孔，法兰，钝脚4孔， 20MIL 2 J3 连接器，晶体支架，RT>PLZ，0.1CEN LK 9POS 1 PCB，TACONIC，RF-35P-0200-CL1/CL1 1 CMPA5585025F 1 C2，C4，C5，C6，C9，C12 Q1 CMPA5585025F-TB公版放大器电路 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 13 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F-TB公版放大器电路 电线 栅极偏置2 射频输入 输入 漏极偏置 输出 栅极偏置1 漏极偏置 射频输出 CMPA5585025F-TB公版放大器电路外形 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 14 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F-TB公版放大器电路 如图所示，要通过CMPA5585025F测试夹具配置实现对设备VG1 / VG2的独立控制，必须在电阻R1正上 方留出一个微带线切口。然后，将由引脚9向VG1供电，由引脚8向VG2供电。 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 15 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CMPA5585025F产品尺寸（封装类型 — 440208） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M ‒ 1994规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 英寸 DIM 最小 注 最大 TYP TYP TYP TYP 6. 漏极偏置 2. 栅极偏置 7. 漏极偏置 3. 射频输入 8. 射频输出 TYP TYP 4. 栅极偏置 9. 漏极偏置 TYP TYP 5. 栅极偏置 10. 漏极偏置 TYP TYP 数量 1 第2阶段栅极偏置 2 第2阶段栅极偏置 3 射频输入 4 第1阶段栅极偏置 5 第1阶段栅极偏置 6 漏极偏置 7 漏极偏置 8 射频输出 9 漏极偏置 10 漏极偏置 11 光源 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 16 最小 引脚： 1. 栅极偏置 11. 光源 引脚编号 毫米 最大 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 编号系统 CMPA5585025F 封装 输出功率（W） 频率上限（GHz） 频率下限（GHz） Cree MMIC功率放大器产品线 参数 值 单位 频率下限 5.5 GHz 频率上限1 8.5 GHz 25 W 法兰 - 输出功率 封装 表1. 注1：频码中使用字母字符来表示大于9.9 GHz 的值。具体值见表2。 字符代码 代码值 A 0 B 1 C 2 D 3 E 4 F 5 G 6 H 7 J 8 K 9 示例： 1A = 10.0 GHz 2H = 27.0 GHz 表2. 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 17 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 本文所列规格随时可能出现更改，恕不另行通知。Cree, Inc.相信本数据手册中所含的信息是准确、可靠的。然而，如若使用此信息导致 侵犯第三方的专利或其他权利，Cree对此不承担任何责任。Cree并未就其专利或专利权授予默示许可或其他形式的许可。Cree对于其产 品针对任何特定用途的适用性不作任何担保、表示或保证。所给出的“典型”参数是Cree对大量产品预计的平均值，此数据仅供参考。 在不同的应用中，这些数值会与表中所列数据有所不同，实际性能也会随着时间的推移而变化。所有工作参数均应由客户的技术专家针对 每项具体应用进行验证。Cree产品无意用作也未授权用作以下应用中的部件，事实上也未针对类似应用而设计：植入人体的外科植入物或 者用于支撑或延续生命的应用；Cree产品故障会导致人员伤亡的应用；以及规划、建设、维护或直接运作核设施的应用。CREE和CREE 徽标是Cree, Inc.的注册商标。 有关详细信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/wireless Sarah Miller 市场营销 Cree射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 市场营销 Cree射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2011-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、 产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。 18 CMPA5585025F Rev 1.6 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf