C3D04060F–碳化硅肖特基二极管 VRRM = 600 V Z-Rec™ 整流器（全隔离式封装） IF(AVG)= 4 A Qc 特点 • • • • • • • • • = 8.5 nC 封装 600 伏肖特基整流器 针对 PFC 升压二极管应用进行优化 零反向恢复电流 零正向恢复电压 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 正向电压 (VF) 的正温度系数 全隔离式外壳 TO-220-F2 优点 引脚 1 • • • • • • 外壳 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 无额外的隔离要求 引脚 2 应用 • • • 部件号 封装 标记 C3D04060F TO-220-F2 C3D04060 开关电源 功率因数校正 --典型 PFC Pout：150W-300W 电机驱动器 最大额定值 D04060F 技术数据表：C3 Rev. D 符号 参数 值 单位 测试条件 VRRM 反向重复峰值电压 600 V VRSM 反向浪涌峰值电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF(AVG) 平均正向电流 4 A TC=95˚C，直流 IFRM 正向重复峰值浪涌电流 21 13 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 30 25 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 110 A TC=25˚C，tP=10 µs，脉冲 Ptot 功率耗散 13.1 5.7 W TC=25˚C TC=110˚C -55 至 +175 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TJ，Tstg 工作结温和存储温度 TO-220 安装扭矩 注 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 VF 正向电压 1.5 1.8 1.7 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 100 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C QC 总电容电荷 8.5 nC VR = 600 V, IF = 4 A di/dt = 500 A/μS TJ = 25°C C 总电容 251 22 21 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 200 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz 注 IF = 4 A TJ=25°C IF = 4 A TJ=175°C 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC 热阻，结到外壳 11.5 °C/W 典型性能 8.0 8 1010 88 5.0 5 D1_25C D1_75C 4.0 4 D1_125C D1_175C 3 3.0 R IF Forward Voltage (A) 6.0 6 IF 正向电流 (A) 99 TJ = 25°C TJ = 75°C TJ = 125°C TJ = 175°C 2.0 2 1.0 1 0.0 0 77 66 D4_25C D4_75C 55 D4_125C D4_175C 44 33 TJ = 25°C TJ = 75°C 22 TJ = 125°C TJ = 175°C 11 0.0 0.0 0.5 0.5 1.0 1.0 1.5 1.5 2.0 2.0 VF Forward Voltage (V) VF 正向电压 (V) 图 1.正向特征 2 IRI 反向电流 (μA) Reverse Current (uA) 7.0 7 C3D04060F Rev. D 2.5 2.5 3.0 3.0 00 00 100 200 100 200 300 300 400 500 400 500 600 700 800 900 600 700 800 900 1000 1000 VR Reverse Voltage VR 反向电压 (V) (V) 图 2.反向特征 典型性能 C3D04060F Current Derating D3_4A_FP 120 120 12 12 20% 占空系数* 30% 占空系数* 50% 占空系数* 70% 占空系数* 直流 8080 C 电容 (pF) 88 C Capacitance (pF) 100 100 10 10 F(PEAK) (A)Current (A) 峰值正向电流 IF(PEAK)I Peak Forward 14 14 66 6060 D3_4A_FP 4040 44 2020 22 0 00 0 25 50 25 50 75 75 100 125 100 TC 外壳温度 (°C) TC Case *Temperature 频率 > 1KHz 125 (°°C) 150 150 175 1 1 175 10 10 VR 图 3.电流降额 100 100 1000 1000 VR Reverse 反向电压 (V) Voltage (V) 图 4.电容与反向电压的关系 热阻抗 (°C/W) 1E1 1E0 E-1 E-2 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 时间 (s) 图 5.瞬态热阻抗 3 C3D04060F Rev. D 1E0 1E1 1E2 1E3 典型性能 16 14 12 功率耗散 (W) 10 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 175 TC 外壳温度 (°C) 图 6.功率降额 封装尺寸 封装 TO-220-F2 E A F 位置 B G C H P L D S T M N 引脚 1 外壳 引脚 2 4 C3D04060F Rev. D 英寸 毫米 最小 最大 最小 A .177 .193 4.5 最大 4.9 B .092 .108 2.34 2.74 6.9 C .248 .272 6.3 D .098 .114 2.5 2.9 E .390 .406 9.9 10.3 3.4 F .118 .134 3.0 G .122 .137 3.1 3.5 H .617 .633 15.67 16.07 L .039 .055 1.0 1.4 M .016 .031 0.4 0.8 N .185 .217 4.7 5.5 P 0 .154 0 3.9 S .476 .508 12.1 12.9 T .016 .031 0.4 0.8 注： 1. 尺寸 L、M、T 适用于浸焊表面处理 建议的焊盘布局 TO-220-F2 部件号 封装 标记 C3D04060F TO-220-F2 C3D04060 二极管型号 Diode Model CSD10060 T = VT+If*RT VfVf T = VT + If*RT -3 -3 V 0.98+(T * -1.8*10 VTT==0.92 + (Tj * J-1.35*10 ) ) -4 -3 R 0.10+(T 9.16*10 RTT==0.052 + (Tj *J*0.29*10 ) ) 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT RT 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值)，或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制 使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 © 2009-2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标， Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 5 C3D04060F Rev. D 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]