Cree C4D20120A 碳化硅肖特基二极管- Zero Recovery

C4D10120A–碳化硅肖特基二极管
VRRM=1200 V
Z-Rec™ 整流器
IF
=10 A
Qc = 66 nC
特点
•
•
•
•
•
封装
1.2kV 肖特基整流器
零反向恢复电流
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
优点
•
•
•
•
•
TO-220-2
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
外壳
引脚 2
应用
•
•
•
开关电源
功率因数校正
电机驱动器
部件号
封装
标记
C4D10120A
TO-220-2
C4D10120
最大额定值(除非另外说明,否则 TC=25°C)
符号
值
单位
测试条件
VRRM
反向重复峰值电压
1200
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
1300
V
VR
直流反向峰值电压
1200
V
14
A
TC=135˚C,无交流分量
IF(AVG)
.D10120A Rev
技术数据表:C4
参数
最大直流电流
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
47
31.5
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
IFSM
正向不重复浪涌电流
71
59.5
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
Ptot
功率耗散
136
59
W
TC=25˚C
TC=110˚C
Tc
最高外壳温度
135
˚C
TJ
工作结温范围
-55 至
+175
˚C
Tstg
存储温度范围
-55 至
+135
˚C
1
8.8
Nm
lbf-in
TO-220 安装扭矩
注
M3 螺丝
6-32 螺丝
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com/power
1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
VF
正向电压
1.5
2.2
1.8
3
V
IR
反向电流
30
55
250
350
μA
VR = 1200 V TJ=25°C
VR = 1200 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
66
nC
VR = 1200 V, IF = 10A
di/dt = 200 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
754
45
38
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 800 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
IF = 10 A TJ=25°C
IF = 10 A TJ=175°C
1.注:这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
RθJC
典型
最大
1.1
热阻,结到外壳
单位
测试条件
注
°C/W
典型性能
600.00
20
18
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
14
500.00
IR (μA)
IR Reverse
Current (µA)
IF (A) Current
IF Forward
16
12
10
8
6
4
400.00
300.00
200.00
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
100.00
2
0.00
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VF Forward
VF (V)Voltage
图 1.正向特征
2
C4D10120A Rev. -
3
3.5
0
500
1000
1500
VR Reverse
VR (V)Voltage
图 2.反向特征
2000
典型性能
160.0
70
140.0
60
10%
30%
50%
70%
直流
120.0
100.0
40
PTot (W)
IF(peak) (A)
50
占空系数
占空系数
占空系数
占空系数
30
80.0
60.0
20
40.0
10
20.0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
25
175
50
75
TC ˚C
100
125
150
175
TC ˚C
图 4.功率降额
图 3.电流降额
800
70
700
60
600
50
500
C (pF)
Qrr (nC)
40
30
20
400
300
200
10
100
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.1
VR (V)
3
图 5.恢复电荷与反向电压的关系
C4D10120A Rev. -
1
10
100
VR (V)
图 6.电容与反向电压的关系
1000
10
热阻抗 (˚C/W)
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
时间 (S)
图 7.瞬态热阻抗
二极管型号
Diode Model CSD04060
Vf T =VVfTT=
+ If*R
VT+If*R
T
T
-3
V
VTT==0.965
+ (Tj *J*-1.3*10
) -3)
0.98+(T
-1.71*10
-3
RTT==0.096
+ (Tj * 1.06*10
) -4
0.040+(T
J* 5.32*10 )
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
4
C4D10120A Rev. -
RT
1
10
封装尺寸
封装 TO-220-2
A
P
F
J
C
英寸
位置
X
S
E
Y
1 2
G
T
Z
最小
最大
A
.381
.410
9.677
10.414
B
.235
.255
5.969
6.477
D
B
D
最大
CP OS
Q
U
A
E B
F C
G D
E
H
F
J
G
L H
Inc hes
.100
M in
M ax
.223
.395
.410
.590 .255
.235
M illim eters
.120
2.540
M in
M ax
.337
5.664
10.033 10.414
.615
14.986
5.969
6.477
.102.143 .112
.153
2.591
.337
8.560
1.105 .337 1.147
.590
.610
14.986
.500
.550
.149
.153
3.785
R 0.197
1.127
1.147
28.626
.025 .550 .036
.530
13.462
R 0.010
.045
M J
H
V
L
M
W
N
N L
M
P
N
Q
P
S Q
.028
.195
.045
.165
.195
.048
.170
.0483°
.054
T S
T
U
U
V
V
WW
3° 3°
5°
3°
5°
X X
Y Y
Z
引脚 1
z
外壳
引脚 2
毫米
最小
3°
.036
.055
.205
.180
3°
5°
.094
.100
.110
.014.014 .021
3° 3°
5°
.395
.385 .410
.130
.150
.130
3.632
2.845
3.048
8.560
15.621
3.886
8.560
28.067
29.134
15.494
12.700
13.970
3.886
R 0.197
29.134
.635
.914
13.970
.055 R 0.2541.143
1.397
.711
.205
1.143
.185
4.953
.054
4.318
6°
1.219
.914
4.953
1.397
4.191
5.207
1.219
4.572
3°
1.371
5.207
6°3°
3°
6°
3°
.110
2.54
.025
.356
5°3°
5°
3°
5°
2.388
2.794
.356
.533
6°
5.5°
3°
5°3°
5.5°
10.414
9.779
3.810
3.302
10.414
10.033
.410
3.302
.150
4.699
1.372
6°
6°
2.794
.635
3.810
注:
1. 尺寸 L、M、W 适用于浸焊表面处理
建议的焊盘布局
TO-220-2
部件号
封装
标记
C4D10120A
TO-220-2
C4D10120
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟
关于在电气和电子设备中限制使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 © 2006-2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree、Cree 徽标和 Zero Recovery 都是 Cree,
Inc. 的注册商标。
5
C4D10120A Rev. -
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传真:+852 2422 2737
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