C4D10120A–碳化硅肖特基二极管 VRRM=1200 V Z-Rec™ 整流器 IF =10 A Qc = 66 nC 特点 • • • • • 封装 1.2kV 肖特基整流器 零反向恢复电流 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 优点 • • • • • TO-220-2 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 引脚 1 外壳 引脚 2 应用 • • • 开关电源 功率因数校正 电机驱动器 部件号 封装 标记 C4D10120A TO-220-2 C4D10120 最大额定值（除非另外说明，否则 TC=25°C） 符号 值 单位 测试条件 VRRM 反向重复峰值电压 1200 V VRSM 反向浪涌峰值电压 1300 V VR 直流反向峰值电压 1200 V 14 A TC=135˚C，无交流分量 IF(AVG) .D10120A Rev 技术数据表：C4 参数 最大直流电流 IFRM 正向重复峰值浪涌电流 47 31.5 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 IFSM 正向不重复浪涌电流 71 59.5 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 Ptot 功率耗散 136 59 W TC=25˚C TC=110˚C Tc 最高外壳温度 135 ˚C TJ 工作结温范围 -55 至 +175 ˚C Tstg 存储温度范围 -55 至 +135 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TO-220 安装扭矩 注 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/power 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 注 VF 正向电压 1.5 2.2 1.8 3 V IR 反向电流 30 55 250 350 μA VR = 1200 V TJ=25°C VR = 1200 V TJ=175°C QC 总电容电荷 66 nC VR = 1200 V, IF = 10A di/dt = 200 A/μs TJ = 25°C C 总电容 754 45 38 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 800 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz IF = 10 A TJ=25°C IF = 10 A TJ=175°C 1.注：这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 RθJC 典型 最大 1.1 热阻，结到外壳 单位 测试条件 注 °C/W 典型性能 600.00 20 18 TJ=-55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ = 125°C TJ =175°C 14 500.00 IR (μA) IR Reverse Current (µA) IF (A) Current IF Forward 16 12 10 8 6 4 400.00 300.00 200.00 TJ=-55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ = 125°C TJ =175°C 100.00 2 0.00 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 VF Forward VF (V)Voltage 图 1.正向特征 2 C4D10120A Rev. - 3 3.5 0 500 1000 1500 VR Reverse VR (V)Voltage 图 2.反向特征 2000 典型性能 160.0 70 140.0 60 10% 30% 50% 70% 直流 120.0 100.0 40 PTot (W) IF(peak) (A) 50 占空系数 占空系数 占空系数 占空系数 30 80.0 60.0 20 40.0 10 20.0 0.0 0 25 50 75 100 125 150 25 175 50 75 TC ˚C 100 125 150 175 TC ˚C 图 4.功率降额 图 3.电流降额 800 70 700 60 600 50 500 C (pF) Qrr (nC) 40 30 20 400 300 200 10 100 0 0 200 400 600 800 1000 0 0.1 VR (V) 3 图 5.恢复电荷与反向电压的关系 C4D10120A Rev. - 1 10 100 VR (V) 图 6.电容与反向电压的关系 1000 10 热阻抗 (˚C/W) 1 0.1 0.01 0.001 0.0001 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 时间 (S) 图 7.瞬态热阻抗 二极管型号 Diode Model CSD04060 Vf T =VVfTT= + If*R VT+If*R T T -3 V VTT==0.965 + (Tj *J*-1.3*10 ) -3) 0.98+(T -1.71*10 -3 RTT==0.096 + (Tj * 1.06*10 ) -4 0.040+(T J* 5.32*10 ) 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT 4 C4D10120A Rev. - RT 1 10 封装尺寸 封装 TO-220-2 A P F J C 英寸 位置 X S E Y 1 2 G T Z 最小 最大 A .381 .410 9.677 10.414 B .235 .255 5.969 6.477 D B D 最大 CP OS Q U A E B F C G D E H F J G L H Inc hes .100 M in M ax .223 .395 .410 .590 .255 .235 M illim eters .120 2.540 M in M ax .337 5.664 10.033 10.414 .615 14.986 5.969 6.477 .102.143 .112 .153 2.591 .337 8.560 1.105 .337 1.147 .590 .610 14.986 .500 .550 .149 .153 3.785 R 0.197 1.127 1.147 28.626 .025 .550 .036 .530 13.462 R 0.010 .045 M J H V L M W N N L M P N Q P S Q .028 .195 .045 .165 .195 .048 .170 .0483° .054 T S T U U V V WW 3° 3° 5° 3° 5° X X Y Y Z 引脚 1 z 外壳 引脚 2 毫米 最小 3° .036 .055 .205 .180 3° 5° .094 .100 .110 .014.014 .021 3° 3° 5° .395 .385 .410 .130 .150 .130 3.632 2.845 3.048 8.560 15.621 3.886 8.560 28.067 29.134 15.494 12.700 13.970 3.886 R 0.197 29.134 .635 .914 13.970 .055 R 0.2541.143 1.397 .711 .205 1.143 .185 4.953 .054 4.318 6° 1.219 .914 4.953 1.397 4.191 5.207 1.219 4.572 3° 1.371 5.207 6°3° 3° 6° 3° .110 2.54 .025 .356 5°3° 5° 3° 5° 2.388 2.794 .356 .533 6° 5.5° 3° 5°3° 5.5° 10.414 9.779 3.810 3.302 10.414 10.033 .410 3.302 .150 4.699 1.372 6° 6° 2.794 .635 3.810 注： 1. 尺寸 L、M、W 适用于浸焊表面处理 建议的焊盘布局 TO-220-2 部件号 封装 标记 C4D10120A TO-220-2 C4D10120 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值)，或者依照欧盟 关于在电气和电子设备中限制使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 © 2006-2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree、Cree 徽标和 Zero Recovery 都是 Cree, Inc. 的注册商标。 5 C4D10120A Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]