CGH55030F1 / CGH55030P1 30 W，5500-5800 MHz，28V，用于WiMAX的GaN HEMT Cree的CGH55030F1/CGH55030P1是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设 计的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），因而是5.5-5.8 GHz WiMAX 和BWA放大器应用的理想选择。该晶体管采用螺旋下降式法兰封装和焊接式丸 状封装。通过适当的外部匹配调节，CGH55030F1/CGH55030P1也适用于 4.9 - 5.5 GHz应用。 封装类型：44 0196和4401 部件号：CGH 66 55030P1和C GH55030F1 示范放大器在5.5-5.8 GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 5.50 GHz 5.65 GHz 5.80 GHz 单位 小信号增益 9.5 10.0 9.5 dB PAVE = 29 dBm时的EVM 1.1 0.9 0.9 % PAVE = 36 dBm时的EVM 2.2 1.4 1.4 % PAVE = 4 W时的漏极效率 23 24 25 % 10.8 22 9.3 dB 参数 输入回波损耗 注意： 在CGH55030-TB放大器电路中测得，采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，符号长度59， 编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 特点 • 300 MHz瞬时带宽 • 30 W峰值功率容量 修订版本3.3— —2012年4月 • 10 dB小信号增益 • 4 W PAVE < 2.0 % EVM • 4 W平均功率时，25 %效率 • 为WiMAX固定接入802.16-2004 OFDM应用而设计 • 为多载波DOCSIS应用而设计 SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/wireless 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 伏 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 25˚C 功耗 PDISS 14 瓦 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C IGMAX 7.0 mA 25˚C IDMAX 3 A 25˚C 焊接温度 TS 245 ˚C 螺丝扭矩 τ 60 in-oz RθJC 4.8 ˚C/W 85˚C TC -40, +150 ˚C 30秒 最大正向栅极电流 最大漏极电流 1 2 热阻，结点到表面3 表面工作温度 3 注意： 1 确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 3 PDISS = 14 W时对CGH55030F1测得。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) -3.8 -3.0 –2.3 VDC VDS = 10 V, ID = 7.2 mA 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC VDS = 28 V, ID = 250 mA 直流特性 1 饱和漏极电流 IDS 5.8 7.0 – A 漏源击穿电压 VBR 120 – – VDC VGS = -8 V, ID = 7.2 mA GSS 8.5 10.0 – dB VDD = 28 V, IDQ = 250 mA η 19 24 – % VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, PAVE = 4 W 误差矢量幅度 EVM – 2.0 2.5 % VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, PAVE = 4 W 输出失配应力 VSWR – – 10 :1 Y 在所有相角均无损伤， VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, PAVE = 4 W 输入电容 CGS – 9.0 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容 CDS – 2.6 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.4 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 射频特性 （TC = 25˚C，F0 = 5.65 GHz，除非另有说明） 2, 3 小信号增益 漏极效率 VDS = 6.0 V, VGS = 2 V 4 动态特性 注： 1 2 3 封装前在晶片上测得。 在CGH55030-TB测试灯具中测得。 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉冲串，5毫秒脉冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3， PAR = 9.8 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 4 漏极效率 = POUT / PDC。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型WiMAX性能 CGH55030F1和CGH55030P1在CGH55030-TB中的小信号S参数与频率 VDD = 28 V, IDQ = 250 mA 5 12 S21 0 S11 8 -5 6 -10 4 -15 2 -20 S11 (dB) S21 (dB) 10 -25 0 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6.0 6.1 频率（GHz） CGH55030F1和CGH55030P1在CGH55030-TB中的典型EVM和效率与频率 VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, 802.16-2004 OFDM, PAR=9.8 dB, PAVE = 5 W 3.0 30 漏极效率 2.5 29 2.0 28 1.5 27 1.0 26 0.5 25 0.0 5.45 5.50 5.55 5.60 5.65 5.70 5.75 5.80 漏极效率（%） EVM (%) EVM 24 5.85 频率（GHz） 注意： 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉 冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB （在CCDF上的概率为0.01 %时）。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型WiMAX性能 35 12 30 10 25 增益（dB） 14 8 20 5.50GHz (增益) 5.65 GHz (增益) 6 15 5.80 GHz (增益) 漏极效率（%） CGH55030F1和CGH55030P1在CGH55030-TB中的漏极效率和增益与输出功率 VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, 802.16-2004 OFDM, PAR=9.8 dB 5.50 GHz (效率) 4 10 5.65 GHz (效率) 5.80 GHz (效率) 2 5 0 0 15 20 25 30 35 40 输出功率（dBm） 注意： 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉 冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB （在CCDF上的概率为0.01 %时）。 CGH55030F1和CGH55030P1在CGH55030-TB中的典型EVM和漏极效率与输出功率 （在5.50GHz, 5.65 GHz, 5.80GHz, 802.16-2004 OFDM, PAR=9.8 dB时） 14.0 35 5.50 GHz (EVM) 5.65 GHz (EVM) 12.0 30 5.80 GHz (EVM) 5.50 GHz (效率) 25 5.65 GHz (效率) EVM (%) 5.80 GHz (效率) 8.0 20 6.0 15 4.0 10 2.0 5 0.0 漏极效率（%） 10.0 0 15 20 25 30 35 40 输出功率（dBm） 注意： 采用802.16 OFDM，3.5 MHz通道带宽，1/4循环前缀，64 QAM调制脉 冲串，符号长度59，编码类型RS-CC，编码速率类型2/3，PAR = 9.8 dB （在CCDF上的概率为0.01 %时）。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型DOCSIS性能 CGH55030F1和CGH55030P1在CGH55030-TB中的调制误差比与输出功率 CGH55030 EVM vs Power Output - DOCSIS 42 40 调制误差比（dB） 38 36 34 5.50 GHz 32 5.65 GHz 5.80 GHz 30 15 20 25 30 35 40 输出功率（dBm） 注意： MER是电缆系统所用的单位，其与EVM的相关性可用以下等式表示： EVM（%）= 100 x 10 ^ -（（MERdB + MTAdB）/20）。MTA是“最大值与平均值的合成体功率比”， 其值因调制类型而异：MTA = 0（对于BPSK和QPSK）；2.55（对于16QAM和8QAM-DS）； 3.68（对于64QAM和32QAM-DS）；4.23（对于256QAM和128QAM-DS）。 CGH55030F1和CGH55030P1在宽带放大器电路中的EVM与输出功率 CGH55030 EVM vs Power Output - DOCSIS 1.4 5.50 GHz 5.65 GHz 1.2 5.80 GHz EVM (%) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 15 20 25 30 35 40 输出功率（dBm） 注意： 采用DOCSIS，6.0 MHz通道带宽，64QAM，PN23，滤波Alpha 0.18，PAR = 6.7dB。 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 典型性能 K因数 MAG (dB) CGH55030F1/P1的模拟最大可用增益和K因数 频率（GHz） VDD = 28 V, IDQ = 250 mA 典型噪声性能 噪声电阻（欧姆） 最小噪声系数（dB） CGH55030F1/P1的模拟最小噪声系数和噪声电阻与频率 VDD = 28 V, IDQ = 250 mA 频率（GHz） 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 5500 8.0 – j12.4 14.1 – j12.6 5650 8.7 - j13.1 14.7 – j11.7 5800 8.4 - j14.0 15.4 – j11.0 注1. 在440166封装中，VDD = 28V, IDQ = 250 mA。 注2. 阻抗来自CGH55030-TB示范放大器，而非来源于晶体管的源阻抗和负载挽 阻抗数据。 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电装置模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030-TB示范放大器电路材料清单 符号 R1 描述 数量 RES, 1/16W, 0603, 1%, 562 OHMS 1 R2 RES, 1/16W, 0603, 1%, 22.6 OHMS 1 C2 CAP, 0.3pF, +/-0.05pF, 0402, ATC600L 1 C16 CAP, 33 UF, 20%, G CASE 1 C15 CAP, 1.0UF, 100V, 10%, X7R, 1210 1 C8 CAP 10UF 16V钽 1 C9 CAP, 0.4pF, +/-0.05pF, 0603, ATC600S 1 CAP, 1.2pF, +/-0.1pF, 0603, ATC600S 1 C6,C13 C1 CAP,200 PF,0603 PKG, 100 V 2 C4,C11 CAP, 10.0pF, +/-5%, 0603, ATC600S 2 C5,C12 CAP, 39pF, +/-5%, 0603, ATC600S 2 C7,C14 CAP, 330000PF, 0805, 100V, TEMP STABILIZ 2 CONN，SMA，面板安装插口，法兰 2 HEADER RT>PLZ .1CEN LK 5POS 1 J3,J4 J1 - PCB，RO4350B，Er = 3.48，H = 20密耳 1 - CGH55030 1 CGH55030-TB示范放大器电路 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030-TB示范放大器电路示意图 (CGH55030F) 射频输出 射频输入 CGH55030-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030F1和CGH55030P1的典型封装S参数 （小信号，VDS = 28 V，IDQ = 250 mA，角的单位为度） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.917 -157.22 12.62 91.45 0.018 7.56 0.458 -158.97 600 MHz 0.916 -161.92 10.57 87.33 0.018 4.70 0.465 -160.93 700 MHz 0.916 -165.46 9.07 83.78 0.018 2.41 0.472 -162.19 800 MHz 0.916 -168.28 7.94 80.58 0.018 0.51 0.478 -163.04 900 MHz 0.916 -170.61 7.05 77.64 0.017 -1.12 0.485 -163.64 1.0 GHz 0.916 -172.60 6.33 74.88 0.017 -2.55 0.493 -164.09 1.2 GHz 0.917 -175.88 5.24 69.73 0.017 -4.94 0.508 -164.77 1.4 GHz 0.918 -178.57 4.46 64.94 0.017 -6.84 0.525 -165.36 1.6 GHz 0.919 179.09 3.87 60.41 0.016 -8.31 0.542 -165.99 1.8 GHz 0.921 176.98 3.40 56.07 0.016 -9.39 0.559 -166.73 2.0 GHz 0.922 175.03 3.03 51.90 0.015 -10.06 0.577 -167.59 2.2 GHz 0.924 173.17 2.73 47.87 0.014 -10.31 0.594 -168.57 2.4 GHz 0.925 171.39 2.47 43.97 0.014 -10.12 0.610 -169.67 2.6 GHz 0.926 169.65 2.26 40.19 0.013 -9.46 0.626 -170.88 2.8 GHz 0.928 167.93 2.08 36.52 0.013 -8.31 0.642 -172.17 3.0 GHz 0.929 166.24 1.92 32.94 0.013 -6.65 0.656 -173.55 3.2 GHz 0.930 164.54 1.78 29.45 0.012 -4.49 0.670 -175.00 3.4 GHz 0.931 162.85 1.66 26.05 0.012 -1.85 0.683 -176.50 3.6 GHz 0.932 161.14 1.55 22.72 0.012 1.19 0.695 -178.06 3.8 GHz 0.933 159.42 1.46 19.46 0.012 4.55 0.706 -179.66 4.0 GHz 0.933 157.68 1.38 16.27 0.012 8.08 0.716 178.70 4.1 GHz 0.934 156.80 1.34 14.69 0.012 9.87 0.721 177.86 4.2 GHz 0.934 155.91 1.31 13.12 0.012 11.64 0.726 177.02 4.3 GHz 0.934 155.01 1.27 11.57 0.012 13.38 0.730 176.17 4.4 GHz 0.934 154.11 1.24 10.03 0.013 15.08 0.735 175.30 4.5 GHz 0.935 153.20 1.21 8.49 0.013 16.71 0.739 174.44 4.6 GHz 0.935 152.28 1.18 6.97 0.013 18.26 0.743 173.56 4.7 GHz 0.935 151.35 1.16 5.46 0.013 19.72 0.746 172.67 4.8 GHz 0.935 150.41 1.13 3.95 0.014 21.09 0.750 171.78 4.9 GHz 0.935 149.46 1.11 2.46 0.014 22.35 0.753 170.88 5.0 GHz 0.935 148.49 1.08 0.96 0.015 23.50 0.756 169.97 5.1 GHz 0.935 147.52 1.06 -0.52 0.015 24.55 0.760 169.05 5.2 GHz 0.935 146.53 1.04 -2.00 0.016 25.48 0.762 168.12 5.3 GHz 0.935 145.53 1.02 -3.48 0.016 26.30 0.765 167.18 5.4 GHz 0.935 144.52 1.00 -4.96 0.017 27.02 0.768 166.24 5.5 GHz 0.935 143.49 0.99 -6.43 0.018 27.62 0.770 165.28 5.6 GHz 0.935 142.45 0.97 -7.90 0.018 28.12 0.773 164.32 5.7 GHz 0.934 141.39 0.95 -9.37 0.019 28.53 0.775 163.35 5.8 GHz 0.934 140.31 0.94 -10.84 0.020 28.83 0.777 162.36 5.9 GHz 0.934 139.22 0.93 -12.32 0.020 29.05 0.779 161.37 6.0 GHz 0.934 138.12 0.91 -13.79 0.021 29.18 0.781 160.36 请访问以下网址下载“.s2p”格式的该S参数文件：http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless CGH55030F1产品尺寸（封装类型——440166） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 CGH55030P1产品尺寸（封装类型——440196） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金 。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予Cree的任何专利或专利权的任何许可。Cree不对 其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值，仅供参考。这 些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客户的技术专 家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命的应用；若 Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2008-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 12 CGH55030F1_P1 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/wireless