暂定 CGHV22200 200 W，1800-2200 MHz，用于LTE的GaN HEMT Cree的CGHV22200是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的氮化镓 （GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），因而CGHV22200F是1.8 - 2.2 GHz LTE、4G电信和BWA放大器应用的理想选择。该晶体管采用陶瓷／金属法兰封装。 封装类型：44 0162和4401 61 部件号：CGH V22200F和C GHV22200P 示范放大器在1.8-2.2GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 1.8 GHz 2.0 GHz 2.2 GHz 单位 47 dBm时的增益 16.6 19.2 18.1 dB 47 dBm时的ACLR -37.4 -37.4 -35.6 dBc 47 dBm时的漏极效率 31.5 31.9 34.8 % 参数 注意： 在CGHV22200-TB放大器电路中测得，采用WCDMA 3GPP测试模型1，64 DPCH，45%限幅，PAR = 7.5 dB（在CCDF上的概 率为0.01 %时）。IDS = 1.0 A 特点 • 1.8 - 2.2 GHz工作频率 • 50 W PAVE时，-35 dBc ACLR • 50 W PAVE时，31-35 %效率 • 可应用高度DPD修正 修订版本0.1— —2012年10月 • 18 dB增益 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 单位 漏源电压 VDSS 125 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C 工作结温3 TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 32 mA 25˚C 最大漏极电流1 IDMAX 14 A 25˚C TS 245 ˚C 焊接温度2 τ 80 in-oz 热阻，结点到表面3 RθJC 1.22 ˚C/W 85˚C, PDISS = 96 W 热阻，结点到表面4 RθJC 1.54 ˚C/W 85˚C, PDISS = 96 W TC -40, +150 ˚C 螺丝扭矩 表面工作温度5 注意： 1 确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：http://www.cree.com/rf/document-library 3 对CGHV22200P测得。 4 对CGHV22200F测得。 5 同时请参阅第6页的功耗降额曲线。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 栅极阈值电压 VGS(th) 栅极静态电压 VGS(Q) 条件 -3.8 -3.0 -2.3 VDC VDS = 10 V, ID = 32 mA – -2.7 – VDC VDS = 50 V, ID = 1.0 A 直流特性1 饱和漏极电流2 IDS 24 28.8 – A VDS = 6.0 V, VGS = 2.0 V 漏源击穿电压 VBR 125 – – VDC VGS = -8 V, ID = 32 mA 射频特性 （TC = 25˚C，F0 = 2.17 GHz，除非另有说明） 3 PSAT – 240 – W VDD = 50 V, IDQ = 1.0 A 脉冲漏极效率3 η – 65 – % VDD = 50 V, IDQ = 1.0 A, POUT = PSAT 增益6 G – 18.0 – dB VDD = 50 V, IDQ = 1.0 A, POUT = 47 dBm ACLR – -36.7 – dBc VDD = 50 V, IDQ = 1.0 A, POUT = 47 dBm η – 34.5 – % VDD = 50 V, IDQ = 1.0 A, POUT = 47 dBm VSWR – – 10 :1 Y 在所有相角均无损伤，VDD = 50 V，IDQ = 1.0 A，POUT = 200 W脉冲 饱和输出功率3,4 WCDMA线性6 漏极效率6 输出失配应力3 动态特性 输入电容7 CGS – 97 – pF VDS = 50 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容7 CDS – 13.4 – pF VDS = 50 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.94 – pF VDS = 50 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 注： 1 封装前在晶片上测得。 2 从PCM数据中测得。 3 脉冲宽度= 100 µS，暂载率= 10%。 4 PSAT被定义为IG=3 mA峰值。 5 在CGHV22200-TB中测得。 6 单载波WCDMA，3GPP测试模型1，64 DPCH，45%限幅，PAR=7.5 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 7 包括封装和内部匹配元件。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 图1. - 在CGHV22200-TB放大器电路中测得的CGHV22200 Small Signal Gain and Return Losses vs. Frequency for CGHV22200F measured in CGV22200F-TB Amplifier Circuit 的小信号增益和回波损耗与频率 VDD = 50 V, IDQ=1.0 A VDD = 50 V, IDQ = 1.0 A 25 20 15 幅值（dB） 10 5 0 -5 -10 -15 S11 -20 S21 S22 -25 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000 2100 2200 2300 2400 2500 2600 2700 2800 频率（MHz） VDS 图2. - 在CGHV22200-TB放大器电路中测得的CGHV22200 Figure 2. - Typical Pulsed Measurements vs Input Power 的典型增益和漏极效率与输入功率。 of the CGHV22200 measured in CGHV22200-TB Amplifier Circuit. = 50 V, IDQ = 1.0 A, Freq = 2.1 GHz, = 50 V, IDQ = 1.0 VDS A，频率 = μs, 2.1 = 100 µs，暂载率 = 10 % Pulse Width = 100 DutyGHz，脉冲宽度 Cycle= 10 % 350 70 Pout 增益 漏极效率 效率 输出功率（W） 250 60 50 Pout 200 40 150 30 增益 100 20 50 10 0 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 增益（dB）和漏极效率（%） 300 0 输入功率（dBm） 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 VDD -10 图3. - 典型WCDMA传输特性 Transfer Characteristics = 50 V, IWCDMA = 1.0 A, 1c WCDMA, PAR = 7.5 dB DS 3GPP 64DPCHC 7.5 PAR 40 ACLR 1.8 GHz ACLR 2.0 GHz -15 35 ACLR 2.2 GHz 增益1.8 GHz 增益2.0 GHz 30 增益2.2 GHz 效率1.8 GHz 效率2.0 GHz 效率2.2 GHz ACLR（dBc） -25 25 -30 20 -35 15 -40 10 -45 5 -50 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 增益（dB）和漏极效率（%） -20 0 输出功率（dBm） VDD 图4. - 在CGHV22200-TB放大器电路中测得的CGHV22200 的典型增益、漏极效率和ACLR与频率 CGHV22200 Linearity at Pave = 47 dBm over Frequency Vdd =A, 50 P V,AVE Idq = = 150 A, 1c WCDMA 7.5 dB PAR PAR = 7.5 dB = 50 V, IDS = 1.0 W, 1c WCDMA, 40 -20 35 漏极效率 -25 增益 25 漏极效率 ACLR 20 增益 -30 15 10 ACLR（dBc） 增益（dB）和漏极效率（%） 30 -35 ACLR 5 0 1 .8 1 .9 2 .0 2 .1 2 .2 -40 频率（GHz） 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 图5. - CGHV22200频谱屏蔽（PAVE = 47 dBm时），带或不带DPD CGHV22200F Spectral Mask at Pave = GHz，1 47 dBm with without 7.5 DPD PAR VDD=50，I =1.0 A，频率=2.14 C and WCDMA DQ Vdd=50, Idq=1 A, Freq=2.14 GHz, 1 C WCDMA 7.5 PAR 0 -10 -20 -30 未修正 -40 已修正 -50 -60 -70 -80 2.125 2.13 2.135 2.14 2.145 2.15 2.155 频率（GHz） 图6. - CGHV22200的典型线性（在DPD下）与输出功率 Typical Linerity under DPD vs. Output Power 50V,A，频率=2.14 1.0A, 2.14 GHz, 1ch WCDMAC7.5 PAR VDD=50，IDQ=1.0 GHz，1 WCDMA 7.5 PAR 35 5 效率 增益_未修正 30 -5 增益_已修正 效率_已修正 ACP_未修正 25 -15 ACP_已修正 20 -25 增益 15 -35 ACP未修正 10 邻道功率（dBc） 增益（dB）和漏极效率（%） 效率_未修正 -45 ACP修正 5 0 -55 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 -65 平均输出功率（dBm） 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 图7. - 互调失真产品与输出功率 CGHV22200 Intermodulation Distortion Products vs Output Power 频率= 2.1 GHz，VDD = 50 1.0Spacing A，音频间隔 Freq. 2.1 Ghz , Vdd = 50V，IDQ V, Idq = 1 A,=Tone = 100 kHz= 100 kHz。 0 -IMD3 -10 +IMD3 -IMD5 +IMD5 互调失真（dBc） -20 -IMD7 +IMD7 -30 -40 -50 -60 -70 -80 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 输出功率（dBm） 图8. - 功耗降额曲线 100 90 440161 包装 80 440162 包装 70 功耗（W） 60 注1 50 40 30 20 10 0 0 25 50 75 100 125 最高表面温度（°C） 150 175 200 225 250 注1. 超过最高表面工作温度的部分（参阅第2页）。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 源阻抗和负载阻抗 D Z源 Z负载 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 1800 10.6 - j7.3 2.7 + j0.6 1900 8.1 - j7.4 2.8 + j0.7 2000 6.1 - j6.6 2.9 + j0.8 2100 4.7 - j5.5 2.8 + j0.8 2200 3.7 - j4.3 2.6 + j0.8 注1：VDD = 50 V，IDQ = 1.0 A。在440162封装中。 注2：阻抗来自CGHV22200-TB示范电路，而非来源于晶体管的源阻抗和负载挽阻抗数据。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGHV22200-TB示范放大器电路材料清单 符号 描述 R1 RES, 1/16 W, 0603, 1%, 10.0 OHMS 1 R2 RES, 1/16 W, 0603, 1%, 5.1 OHMS 1 C4, C14, C24 CAP, 470 pF, 5%, 100 V, 0603, X 3 C6,C16, C26 CAP, 1.0 UF, 100 V, 10%, x7R, 121 3 CAP, 100 UF, 20%, 160 V, ELEC 2 C7 CAP，10 UF，16 V，钽，2312 1 C1, C2, C3, C13, C23 CAP, 10.0 pF, 5%, 0603, ATC 5 CAP, 33000 pF, 0805, 100 V, X7R 3 CAP, 10 pF, 5%, 250 V, 0805, A 1 C17, C27 C5, C15, C25 C11 J1, J2 CONN, N, FEM, W/.500 SMA FLNG 2 J3 HEADER RT>PLZ .1CEN LK 9POS 1 PCB, CGHV22200F, RO4350,0.020” THK 1 2-56 SOC HD SCREW 1/4 SS 4 #2 SPLIT LOCKWASHER SS 4 CGHV22200 1 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 数量 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGHV22200-TB示范放大器电路示意图 射频输出 射频输入 CGHV22200-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGHV22200F产品尺寸（封装类型——440162） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 毫米 英寸 最小 针脚1. 针脚2. 针脚3. 最大 最小 最大 栅极 漏极 光源 CGHV22200P产品尺寸（封装类型——440161） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和 公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 针脚1. 栅极 针脚2. 漏极 针脚3. 光源 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 部件号系统 CGHV22200F 封装 功率输出（W） 上频率（GHz） Cree GaN高压 参数 值 单位 上频率 2.2 GHz 功率输出 200 W 封装 法兰 - 1 表1. 1 注 ：频率代码中使用的字母字符表示值大于 9.9 GHz。各个值请参阅表2。 字符代码 代码值 A 0 B 1 C 2 D 3 E 4 F 5 G 6 H 7 J 8 K 9 示例： 1A = 10.0 GHz 2H = 27.0 GHz 表2. 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予Cree的任何专利或专利权的任何许可。Cree不对 其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值，仅供参考。这 些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客户的技术专 家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命的应用；若 Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 12 CGHV22200暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf