FastRecover yDi ode Si ngl e ■外観図 D1FK100 OUTLI NE Package：1F 1000V1A t ：mm Uni ① 品名略号 Type No. Feat ur e ② ロット記号（例） Date code ２.５ 特 長 煙小型 SMD 煙高耐圧 煙低ノイズ K0 00 00 カソードマーク Cathode mark ① ② 管理番号（例） Control No. ５.０ ２.０ 煙 Smal lSMD 煙 Hi ghVol t age s e 煙 LowNoi 外形図については新電元 We bサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert oourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,T er mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合は Tl ＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageT emper at ur e 接合部温度 Oper at i ngJunct i onT emper at ur e せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 ℃ Tj 1 5 0 ℃ 1 0 0 0 V VRM 出力電流 Av er ageRect i f i edFor war dCur r ent I o Ta＝ 2 5 ℃ アルミナ基板実装 Onal umi nas ubs t r at e 0 . 6 2 5 0 Hz正弦波，抵抗負荷 Ta＝ 2 5 ℃ プリント基板実装 Ongl assepoxysubst r at e 50Hzs i newav e,Res i s t ancel oad 0 . 4 7 1 . 0 Tl ＝9 7 ℃ せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent ●電気的・熱的特性 順電圧 For war dVol t age A I FSM 5 0 Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C 2 0 A I FSM1 t p＝1 ms正弦波 , 非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ t p=1msSi newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C 5 5 A El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合は Tl ＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） VF パルス測定 Pul s emeas ur ement MAX 2 . 1 V 1 0 0 0 V,パルス測定 Pul s emeas ur ement MAX 1 0 μA I A, F＝ 1 逆電流 Rev er s eCur r ent I R VR＝ 逆回復時間 Rev er s eRecov er yTi me t r r I . 5A, I . 0 A, 0 . 2 5I F＝0 R＝1 R MAX 7 5 ns 接合容量 Junct i onCapaci t ance Cj f ＝1 MHz , VR＝1 0 V TYP 7 . 5 pF 接合部・リード間 Junct i ont ol ead MAX 2 3 接合部・周囲間， アルミナ基板実装 Junct i ont oambi ent ,Onal umi nas ubs t r at e MAX 1 0 8 接合部・周囲間， プリント基板実装 Junct i ont oambi ent ,Ongl as s epoxys ubs t r at e MAX 1 5 7 θj l 熱抵抗 Ther malRes i s t ance 532p （J 〈2013.04〉） θj a www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / ℃/ W D1FK100 ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 順方向特性 逆方向特性 順電力損失曲線 Forward Voltage Reverse Current Forward Power Dissipation Tl＝125℃ （TYP） Tl＝100℃ （TYP） １０ Tl＝75℃ （TYP） Tl＝50℃ （TYP） １ Tl＝25℃ （TYP） ０.１ ０.０１ Pulse measurement １ ３ ２ ディレーティングカーブ Ta-Io ０.７ DC ０.６ ５ ０ ０ Derating Curve Ta-Io ディレーティングカーブ Ta-Io Derating Curve Ta-Io ０． ５ ０.５ SIN ０.４ Soldering land ２mm Conductor layer 35μm Substrate thickness ０． ３ VR＝VRM ０． ２ ０.３ ０． ０． １ １ ０.２ ０． ０５ ０.１ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ Ambient Temperature Ta〔℃〕 ８００ １０００ IO VR １ D＝tp/T tp T On alumina substrate DC Ｄ= Ｄ=０． ０． ８ ０.８ ０． ５ Soldering land ２mm Conductor layer ２０μm Substrate thickness 0.64t SIN ０.６ VR＝VRM ０． ３ ０． ２ ０.４ ０． ０． １ １ ０.２ ０． ０５ ０ ０ １６０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ Ambient Temperature Ta〔 ℃〕 せん頭サージ順電流耐量 せん頭サージ順電流耐量 Peak Surge Forward Current Capability Peak Surge Forward Current Capability IFSM Sine wave ２５ １０ms１０ms １cycle Non-repetitive Tj＝２５℃ ２０ １５ １０ ５ ０ １ １０ Number of Cycles〔cycle〕 ７０ D＝tp/T T D＝０． ８ ２.５ ２ ０． ０５ １.５ ０． ２ ０． １ SIN ０． ３ ０.５ ０ ０ ０.２ ０.４ ０.６ ０.８ １.０ ディレーティングカーブ Tl-Io Derating Curve Tl-Io １.５ Ｄ= Ｄ=０． ０． ８ １ ５０ ４０ ３０ ２０ １０ １０ Pulse Widｔ ｈ tp 〔ms〕 ０． ２ ０.５ ０． １ ０． ０５ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ Lead Temperature Tl〔 ℃〕 ８０ ６０ ４０ ２０ ０ ０ Transient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕 θjl Transient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕 θjl Junction Capacitance Cj〔pF〕 θja ２５ ５０ ７５ １００ １２５ １５０ Junction Temperature Tj〔℃〕 θja １００ θjl θjl １０ １ on glass-epoxi substrate ０.１ ０.０１ １０−4 １６０ １０００ １０００ １０ １０００ VR＝30V １００ １００ １００ D＝tp/T T ０． ５ SIN ０． ３ Transient Thermal Impedance １０ IO tp 過渡熱抵抗 Reverse Voltage VR〔V〕 １.６ VR DC Transient Thermal Impedance １ １ １.４ ０ ０ ２ 過渡熱抵抗 １０ １.２ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Junction Capacitance f＝１MHz Tl＝２５℃ TYP ０． ５ １ 接合容量 １００ DC Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature Sine wave Non-repetitive Tj＝２５℃ ０ 1 ３ １６０ tp ６０ １００ IO tp せん頭サージ順電流減少率─接合部温度 ８０ I(tp)FSM ３０ Tj＝１５０℃ ３.５ １２００ ０ ０ Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 ０ ０ ６００ IO T on glass-epoxi substrate Ｄ=０． Ｄ=０． ８ ４００ Reverse Voltage VR〔V〕 VR D＝tp/T tp ２００ Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ４ Forward Voltage VF〔V〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 ０.１ ０ Pulse measurement ０.００１ ０ Forward Power Dissipation PF〔W〕 １ １００ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Tl＝１５０℃ （MAX） （TYP） Tl＝１５０℃ （MAX） Tl＝ ２５℃ Tl＝ ２５℃ （TYP） Tl＝150℃ （TYP） Peak Surge Forward Current Derating〔%〕 Reverse Current I〔 R μA〕 Forward Current IF〔A〕 ４ １０００ １０ １０−2 １０−1 １０0 Time t〔s〕 １０1 １０2 on glass-epoxi substrate ０.１ Soldering land ２mm Conductor layer 35μm Substrate thickness １０−3 １ １０3 ０.０１ １０−4 Soldering land ２mm Conductor layer ２０μm Substrate thickness 0.64t １０−3 １０−2 １０−1 １０0 Time t〔s〕 １０1 １０2 １０3 ＊ Si newa veは 5 0 Hzで測定しています。 ＊ 50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 532p （J 〈2013.04〉 ） ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。 Notes 1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen. 2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. 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