J532 D6FEC4ST

Schottky Barrier Diode
Twin
■外観図　OUTLINE
Package：FE
D6FEC4ST
Unit : mm
40V 6A
特 長
品名略号
Type No.
●SMD
●超低lR
●AEC-Q101準拠
6EC4
T
00
00
ロット記号
（例）
Date code
管理番号
（例）
Control No.
Feature
●SMD
●Ultra Low lR
●Based on AEC-Q101
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
For details of the outline dimensions, refer to our web site. As for the
marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”.
■定格表　RATINGS
●絶対最大定格　Absolute Maximum Ratings（指定のない場合はTc=25℃／unless otherwise specified）
項　目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operating Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
記号
条　件
規格値
単位
Tstg
－55～175
℃
Tj
175
℃
40
V
Symbol
Conditions
Ratings
VRM
Io
50Hz 正弦波, 抵抗負荷, Ta＝25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta＝25℃
4
50Hz 正弦波, 抵抗負荷, 一素子当りの出力電流平均値 Io/2, Tc＝158℃
50Hz sine wave, Resistance load, Rating for each diode Io/2, Tc＝158℃
6
I FSM
50Hz 正弦波, 非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj＝25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj＝25℃
I FSM1
tp＝1ms, Tj＝25℃, 非繰り返し
tp＝1ms, Tj＝25℃, Non-repetitive
Unit
A
90
A
155
A
●電気的・熱的特性　Electrical Characteristics（指定のない場合はTc=25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IF＝3A,
IF＝3A,
パルス測定, 一素子当りの規格値
Pulse measurement, per diode
Max.
0.74
IR
VR＝40V,
VR＝40V,
パルス測定, 一素子当りの規格値
Pulse measurement, per diode
Max.
8
μA
Cj
f＝1MHz, VR＝10V, 一素子当りの規格値
f＝1MHz, VR＝10V, per diode
Typ.
93
pF
θjc
接合部・ケース間
Junction to case
Max.
4
θja
接合部・周囲間　※1
Junction to ambient　※1
Max.
60
V
℃/W
※1 基板条件はディレーティングカーブ[Ta-Io]参照
（J532-p〈2016．02〉I2）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
D6FEC4ST
■特性図　CHARACTERISTIC DIAGRAMS
順方向特性
Forward Voltage
逆方向特性
Reverse Current
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
10000
10
6
Tc=175℃ [TYP]
1000
Forward Power Dissipation　PF〔W〕
30
Reverse Current　IR〔μA〕
100
1
Tc=175℃ [MAX]
Tc=175℃ [TYP]
Tc= 25℃ [MAX]
Tc= 25℃ [TYP]
0.01
0.5
1
1.5
Forward Voltage　VF〔V〕
2
VR
D=tp/T
DC
D=0.05
0.1
0.2
0.3
0.3
0.2
0.5
0.1
0
0
SIN
0.8
10
10
15
20
25
30
Reverse Voltage　VR〔V〕
20
30
Reverse Voltage　VR〔V〕
40
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
T
0.5
6
SIN
0.3
4
0.2
0.1
2
0.05
20
40
60
80
100 120 140
Case Temperature　Tc〔℃〕
160
Peak Surge Forward Current　IFSM1〔A〕
10ms 10ms
1cycle
non-repetitive
sine wave　Tj=25℃
20
1
Tj =175℃
tp
40
T
D=tp/T
10
DC
5
ガラエポ基板
D=0.8
プリントランド(リード部) 1.5mm×2.5mm
プリントランド(ヒートシンク部) 7mm□
導体厚 35μm
ガラエポ基板厚 t=1.6mm
0.5
4
SIN
Io
0
0
0.3
3 0.2
2
VR
tp
T D=tp/T
VR=20V
0.1
0.05
1
20
40
60
80
100 120 140
Ambient Temperature　Ta〔℃〕
160
180
80
60
40
20
25
50
75
100
125
Junction Temperature　Tj〔℃〕
150
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
10
100
1
0.1
10-4
Io
2
4
6
8
Average Rectified Forward Current　Io〔A〕
0
0
Transient Thermal Impedance　θja〔℃／W〕
Junction Capacitance　Cj〔pF〕
1素子当り
f=1MHz
TI=25℃
TYP
1
10
Reverse Voltage　VR〔V〕
2
0
0
10
Pulse Width　tp〔ms〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
100
10
0.1
50
0
1
100
接合容量
Junction Capacitance
1000
0.1
0.05
100
tp
non-repetitive
sine wave
Tj=25℃
200
Transient Thermal Impedance　θjc〔℃／W〕
10
Number of Cycles〔cycle〕
3
せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度
Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature
100
40
0
1
0.3
0.2
6
180
150
60
0.5
ディレーティングカーブ
Derating Curve
D=tp/T
D=0.8
IFSM
Peak Surge Forward Current　IFSM〔A〕
VR
8
250
80
tp
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
120
100
SIN
4
0
0
40
Io
0
VR=20V 0
DC
0
0
50
35
Average Rectified Forward Current　Io〔A〕
T
5
ディレーティングカーブ
Derating Curve
Average Rectified Forward Current　Io〔A〕
Reverse Power Dissipation　PR〔W〕
tp
0.4
0.001
0
10
Tj =175℃ 0
Tc=50℃ [TYP]
0.1
5
Pulse measurement per diode
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
0.5
Tc=75℃ [TYP]
1
0.01
Pulse measurement per diode
0.001
0
Tc=100℃ [TYP]
10
Peak Surge Forward Current Derating〔％〕
0.1
Tc=125℃ [TYP]
IFSM1
Forward Current　IF〔A〕
Tc=150℃ [TYP]
DC
D=0.8
10-3
10-2
10-1
100
Time　t〔s〕
101
102
103
10
1
ガラエポ基板
0.1
10-4
プリントランド(リード部) 1.5mm×2.5mm
プリントランド(ヒートシンク部) 7mm□
導体厚 35μm
ガラエポ基板厚 t=1.6mm
10-3
10-2
10-1
100
Time　t〔s〕
101
102
103
＊Sine waveは50Hzで測定しています。
＊50Hz sine wave is used for measurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J532-p〈2016．02〉I2）
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負
いません。
6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの
ではありません。
7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同
法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。
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Notes
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2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard
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for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or
malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted
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into the following three applications according the quality grade.
【Standard applications】
Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and
measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics,
machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
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