Title:diode-A.ec9 Page:22 Date: 2011/02/17 Thu 14:01:32 Schot t kyBar r i erDi ode ■外観図 D1FT10A OUTLI NE Package：1F t ：mm Uni 特 長 ① 煙小型 SMD 品名略号 Type No. Feat ur e lSMD 煙Smal ② （例） ロット記号 Date code ２.５ カソードマーク Cathode mark 100V3A AT 00 00 Si ngl e ① ② （例） 管理番号 Control No. ２.０ ５.０ 捺印表示については捺 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert oourweb s i t e.Asf ort he ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,T er mi nalConnect i on" . mar ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageT emper at ur e 接合部温度 at i onJunct i onT emper at ur e Oper せん頭逆電圧 Maxi mum Rev er s eVol t age Tl ＝2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～ 1 7 ５ ℃ Tj 1 7 5 ℃ 1 0 0 V VRM 出力電流 er ageRect i f i edFor war dCur r ent Av I o プリント基板実装 Ta＝2 5 ℃ Ongl assepoxysubst r at e 1 . 4 5 0 Hz正弦波，抵抗負荷 5 ℃ アルミナ基板実装 i newav e,Res i s t ancel oad Ta＝2 50Hzs Onal umi nas ubs t r at e 1 . 9 3 Tl ＝116℃ せん頭サージ順電流 PeakSur geFor war dCur r ent ●電気的・熱的特性 I FSM 5 0 Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj ＝2 5 ℃ 50Hzs i newav e,Nonr epet i t i v e1cy cl epeakv al ue,Tj =25˚ C El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 A 6 0 A Tl ＝2 5 ℃） I A, F＝1 パルス測定 Pul s emeas ur ement MAX 0 . 7 5 I A, F＝3 パルス測定 Pul s emeas ur ement MAX 0 . 8 6 順電圧 For war dVol t age VF 逆電流 Rev er s eCur r ent I R VR＝1 0 0 V, パルス測定 Pul s emeas ur ement MAX 8 μA 接合容量 Junct i onCapaci t ance Cj f ＝1 MHz , VR＝ 1 0 V TYP 6 0 pF 接合部・リード間 Junct i ont ol ead MAX 2 3 接合部・周囲間，アルミナ基板実装 Junct i ont oambi ent ,Onal umi nas ubs t r at e MAX 1 0 8 接合部・周囲間，プリント基板実装 Junct i ont oambi ent ,Ongl as s epoxys ubs t r at e MAX 1 5 7 θj l 熱抵抗 Ther malRes i s t ance 532P （J 〈2011.2〉） θj a www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V ℃/ W Title:diode-A.ec9 Page:23 Date: 2011/02/17 Thu 14:01:32 D1FT10A ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 順方向特性 逆方向特性 順電力損失曲線 Forward Voltage Reverse Current Forward Power Dissipation Tl＝１７５℃ （MAX） （TYP） Tl＝１７５℃ Tl＝ ２５℃ （MAX） Tl＝ ２５℃ （TYP） ０． ０１ Pulse measurement Per diode ０． ００１ ０ ０． ５ １ １． ５ Reverse Power Dissipation PR〔W〕 VR tp D＝tp/T T Tj＝１７５℃ DC D＝０． ０５ ０． １ ０． ２ ０.３ ０． ３ ０． ５ ０.２ SIN ０． ８ ０.１ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ ３ D＝０． ８ Pulse measurement ２０ ４０ ６０ ０． ３ VR＝50V １ １ ０． ０ ０ ． ０ ． ０ ５ ５ ０５ . １２０ ０ ０ ６ tp １ ５ ０． SIN ０． ３ ０． ２ １ ０． ０． ０５ ０ ０ ４０ ８０ １２０ ４０ ３０ ２０ １０ ２ ５ １０ ２０ Trancient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕 θjl Trancient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕 θjl １０ １ On alumina substrate １００ ４ ５ IO ０ ０ VR ２ T On alumina substrate D＝０． ８ ０． ５ １.５ SIN Soldering land ２mm Conductor layer 35μm Substrate thickness ０． ３ VR＝50V ０． ２ １ D＝tp/T tp DC ０． １ ０.５ ０． ０５ ０ ０ ４０ ８０ １２０ １６０ １８０ Ambient Temperature Ta〔℃〕 f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP １００ １０ ０１ . ０２ . Per diode ０５ . １ ２ ５ １０ ２０ Reverse Voltage VR〔V〕 ５０ １００ １０１ １０２ θ jl θjl １０ １ On alumina substrate ０.１ Soldering land ２mm Conductor layer 35μm Substrate thickness １０-１ ３ θja θja １００ θjl θjl Time t〔s〕 ２ １０００ θja θja １０-２ ５０ Number of Cycles〔cycle〕 Transient Thermal Impedance ００ . １ -４ １０ １０-３ １ １００ 過渡熱抵抗 ０１ . ０.５ １０００ Non-repetitive Tj＝２５℃ ５０ Transient Thermal Impedance １０００ １ Junction Capacitance １０ms １０ms １cycle 過渡熱抵抗 １００ １６０ １８０ Sine wave ６０ Ambient Temperature Ta〔℃〕 ０． １ 接合容量 ７０ ０ １ ０． ０５ ０． ５ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Lead Temperature Tl 〔℃〕 ８０ １６０ １８０ ０． ２ ２ DC ０． ３ Derating Curve Ta-Io ４ ２ SIN ２.５ １.５ D＝０． ８ D＝tp/T T ３ Tj＝１５０℃ ディレーティングカーブ Ta-Io D＝０． ８ ３ tp IO VR＝５０V ５ DC IO ０ VR D＝tp/T T ３.５ ０ ０ １００ Peak Surge Forward Current Capability １５ . ０． ２ ８０ ８０ Reverse Voltage VR〔V〕 せん頭サージ順電流耐量 Soldering land ２mm Conductor layer ２０μm Substrate thickness 0.64t ２ SIN ４０ ０.０１ IO T On alumina substrate DC DC ０ C（TYP） Tl=25° VR D＝tp/T tp ０． ５ Tl=50° C（TYP） ０.１ １２０ ０ ０ Derating Curve Ta-Io Average Rectified Forward Current IO〔A〕 １００ Reverse Voltage VR〔V〕 ディレーティングカーブ Ta-Io ２５ . Tl=75° C（TYP） １ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Reverse Power Dissipation ０.４ Tl=100° C（TYP） ディレーティングカーブ Tl -Io Derating Curve Tl -Io 逆電力損失曲線 ０ １０ ０.００１ ０ ２ Forward Voltage VF〔V〕 Tl=125° C（TYP） IFSM ０． １ Tl=150° C（TYP） １００ Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Reverse Current IR〔μA〕 １ ０５ . Tl=175° C（TYP） １０００ Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 Forward Current IF〔A〕 １０ ４ Forward Power Dissipation PF〔W〕 １００００ Junction Capacitance Cj〔pF〕 ３０ １０３ ００ . １ -４ １０ １０-３ Soldering land ２mm Conductor layer ２０μm Substrate thickness 0.64t １０-２ １０-１ １００ Time t〔s〕 １０１ １０２ １０３ www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . 532P （J 〈2011.2〉） ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。 Notes 1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen. 2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. 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