超低功耗LDO 线性稳压器

APPLICATION NOTE
超低功耗 LDO 线性稳压器
上海英联电子科技有限公司 杨永华 徐宁
一、前言
在智能终端高速发展的今天,如何延长电池的使用寿命就成为了电子设计人员的重要课题。
目前市面上的 MCU 等处理器处于休眠模式时,功耗可以达到 1uA 以内。由于设备大部分时间处
于休眠状态,因此线性稳压器 LDO 的静态工作电流就决定了电池的使用寿命。
上海英联电子推出了 UM153XX、UM154XX 系列超低静态工作电流的 LDO,其典型值仅有 1.2uA
(Vin=5V)。适用于穿戴式产品、便携式产品以及需要备份电池供电的设备,可以有效延长电
池使用寿命。
二、UM153XX、UM154XX 的重要参数
英联的 UM153XX、154XX 系列是超低静态工作电流的电压稳压器(其原理框图见图 1),可使用
1μF 以上的陶瓷电容器作为输出电容。输入电压范围:2.2V~5.5V,输出电压范围为 1.3V~5V。
图 1 超低静态工作电流 LDO 的原理框图
UM153XX 系列提供两种封装供客户选择,SOT23-3、SOT89-3,与市面同类型芯片兼容。UM154XX
系列带有使能管脚,封装为 SOT23-5。,其主要参数如表 1 所示:
表 1 特性参数表
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIN
Input Voltage Range
2.2
5.5
V
VOUT
Output Voltage Range
1.3
5.0
V
IQ
Quiescent Current
3
μA
△VOUT
Load Regulation
IENH
Enable High Current
VIN=VOUT+1V(VIN≥3V),
1mA≤IOUT≤100mA
VEN=5.5V
IENL
Enable Low Current
VEN=0V
IOUT
Output Current
ILIIMT
Current Limit
IOUT=0mA,VIN=5.0V
1.2
10
mV
1
μA
1
μA
VIN≥3V
100
mA
VIN≥3.5V
200
mA
300
mA
1、静态电流 Iq
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静态电流为输出电流与输如电流的差,LDO 的效率与输入、输出电压和静态工作电流有关。
效率可由以下公式算出:
V I
效率
100%
I I
V
由公式可看出,当 LDO 处于轻负载情况下,静态电流就显得尤为重要,Iq 值越小,效率越
高。图 2 为 UM153XX 系列 LDO 的 Iq 值在不同输入电压情况下与同类低功耗 LDO 的对比,由图 2
可看出,UM153XX 在低压供电情况下,有明显的优势。
Supply Current vs. Input Voltage
Supply Current (uA)
15
12
9
UM153XX
其它产品
6
3
0
2.2 2.6
3
3.4 3.8 4.2 4.6
5
图 2 静态工作电流随输入电压变化图
2、动态负载调整(△VOUT)
当输入电压一定时,输出电压随负载电流的变化而产生的变化量。只要负载电流变化缓慢,
大多数 LDO 都能轻松地保持输出电压接近恒定不变。然而,当负载电流快速改变时,输出电压
也将随之改变。当负载电流发生变化时,输出电压的改变量决定负载瞬态性能。当负载电流由
1mA 瞬时变为 100mA 时,UM153XX 系列 LDO 的输出电压变化量仅为 10mV。
图 3 负载瞬态响应
3、压差(△VDO)
压差可表示为Vdrop,是指保持电压稳定所需的输入电压与输出电压之间的最小差值。当输
入电压下降到一定程度时,输出电压将不能维持在一恒定值。其具体算法如下:
输入电压为VIN = VOUT(s)+1.0 V时的输出电压值为VOUT3,缓慢降低输入电压(VIN),当
输出电压降至为VOUT3的98%时,此时的输入电压(VIN1)与输出电压的差即为输入输出电压差:
Vdrop = VIN1-(VOUT3×0.98)
压差应尽可能小,以使功耗最小,效率最高。负载电流和结点温度会影响这个压差。最大
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压差值应在整个工作温度范围和负载电流条件下加以规定。在非调整区域,Vdrop的值呈线性变
化,图4为UM15333的压差随输出电流变化的曲线图。
图4
Vdrop 曲线图
4、过载电流保护
UM153XX系列LDO为了保护输出晶体管免受过大的输出电流,以及VOUT管脚—GND管脚之间短
路的影响,内置了过载电流保护电路。最大限流300mA,负载电流小于限流时,输出电压即可恢
复为正常值。
三、应用注意事项:
1、电容的选择:
输出电容及其等效串联电阻 ESR,将影响环路稳定性和对负载电流瞬态变化的响应性能。为
了确保输出的稳定性,如果使用 1μF 输出电容,请尽量选用 ESR 值为 0.3Ω 或以下的,推荐 X7R
或 X5R 陶瓷电容。另外,LDO 要求使用输入和输出电容来滤除噪声和控制负载瞬态变化,输入电
容器因应用电路的不同所需要的容值也不同。电容值越大,LDO 的瞬态响应性能越好,缺点是会
延长启动时间。在电源的阻抗偏高的情况下,当 IC 的输入端未接电容或所接电容值很小时,会
发生振荡,请加以注意。
2、封装的选择:
SOT23-3 的最大额定功率为 0.4W,SOT89-3 的最大额定功率为 1W,SOT23-5 的最大额定功率
为 0.6W。请注意输入、输出电压以及负载电流的使用条件,避免 IC 内的功耗超过封装的容许功
耗。
3、PCB 布线:
重点要考虑噪声、纹波和散热问题,尽可能将输出电容(CL)接在 VOUT-VSS 管脚的附近,
将输入电容(CIN)接在 VIN-VSS 管脚的附近,LDO 和电容要使用同一铜层铺地,尽量增加地面
积。
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2
2
1
1
1
2
1
6
2
0
1
5
2
3
4
1
3
1
0
6
5
4
2
1
0
0
推荐 Layout
不推荐的 Layout
图3
PCB 布线设计
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