2SC3852/3852A シリコンNPNエピタシャルプレーナ型トランジスタ 6 V IEBO VEB＝6V IC 3 A V(BR)CEO IC＝25mA 1 V 100 μA 100max 60min A hFE VCE＝4V, IC＝0.5A 500min PC 25(Tc＝25℃) W VCE(sat) IC＝2A, IB＝50mA 0.5max V Tj 150 ℃ fT VCE＝12V, IE＝−0.2A 15typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝10V, f＝1MHz 50typ pF 1.35±0.15 VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) 1.0 10 –5 15 –30 0.8typ I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE =4V) 3 8mA 1mA 1 3A 2A 0.5mA I C =1A 0 0 1 2 3 4 5 0 0.001 6 0.005 0.01 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 0.05 0.1 0.5 0 1 h FE – I C 特性（代表 例 ） (V C E =4V) 1000 500 0.1 0.5 1 3 2 5 ˚C 500 – 3 0 ˚C 100 0.01 0.1 コレクタ電流 I C (A) 1 3 0.5 V CB =10V I E =–2A 1 10 30 1m s DC 放 熱 板 付 0.5 20 大 1 限 コレクタ電流 I C (A) m s 無 10 10 0m s 10 Typ 1000 P c – Ta定 格 10 5 20 100 時間 t(ms) AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） (V CE =12V) 度） 1 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性 （代表 例 ） 30 0.5 最大許容損失 P C (W) 100 0.01 過渡熱抵抗 θ j -a ( ˚C/W) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C 遮断周波数 f T (MH Z ) 5 2000 Typ 度） θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 2000 1.0 1.1 0.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 1000 0 ベース電流 I B (A) ス温 ス温 ケー 0.5 ケー 1 2 ˚C （ 2mA 1.0 ） 3mA 温度 2 ース 5mA コレクタ電流 I C (A) 1.2typ （ケ =1 3.0typ 製品質量 約2.0g イ．品名 ロ．ロット番号 B C E 1.0 A コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V) IB 2m tf (μs) V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（ 代 表 例 ） 3 tstg (μs) 5˚C 20 IC (A) 12 20 2.4±0.2 2.2±0.2 コレクタ電流 I C (A) RL (Ω) 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） VCC (V) 4.0±0.2 1.35±0.15 −30 Tstg ø3.3±0.2 イ ロ V 80min C（ IB 80 0.8±0.2 VCB＝ VEBO 4.2±0.2 2.8 c0.5 ±0.2 ICBO 10.1±0.2 μA 10max V 80 単位 3.9 60 規 格 値 2SC3852 2SC3852A 試 験 条 件 25˚ VCEO 記 号 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記号 単 位 2SC3852 2SC3852A VCBO V 80 100 16.9±0.3 ■絶対最大定格 用途：ソレノイド、モータ駆動、シリーズレギュレータ、一般用 外形図 FM20(TO220F) (Ta＝25℃) 13.0min High hFE LOW VCE (sat) 10 放熱板なし 自然空冷 0.1 0 –0.005 –0.01 –0.05 –0.1 エミッタ電流 I E (A) 78 放熱板なし 0.05 –0.5 –1 –2 3 5 10 50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 100 0 0 50 100 周囲温度 Ta( ˚C) 150