データシート

2SC3852/3852A
シリコンNPNエピタシャルプレーナ型トランジスタ
6
V
IEBO
VEB=6V
IC
3
A
V(BR)CEO
IC=25mA
1
V
100
μA
100max
60min
A
hFE
VCE=4V, IC=0.5A
500min
PC
25(Tc=25℃)
W
VCE(sat)
IC=2A, IB=50mA
0.5max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−0.2A
15typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
50typ
pF
1.35±0.15
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
1.0
10
–5
15
–30
0.8typ
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
3
8mA
1mA
1
3A
2A
0.5mA
I C =1A
0
0
1
2
3
4
5
0
0.001
6
0.005 0.01
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
0.05
0.1
0.5
0
1
h FE – I C 特性(代表 例 )
(V C E =4V)
1000
500
0.1
0.5
1
3
2 5 ˚C
500
– 3 0 ˚C
100
0.01
0.1
コレクタ電流 I C (A)
1
3
0.5
V CB =10V
I E =–2A
1
10
30
1m
s
DC
放
熱
板
付
0.5
20
大
1
限
コレクタ電流 I C (A)
m
s
無
10
10
0m
s
10
Typ
1000
P c – Ta定 格
10
5
20
100
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
度)
1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 (代表 例 )
30
0.5
最大許容損失 P C (W)
100
0.01
過渡熱抵抗 θ j -a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
遮断周波数 f T (MH Z )
5
2000
Typ
度)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
2000
1.0 1.1
0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
1000
0
ベース電流 I B (A)
ス温
ス温
ケー
0.5
ケー
1
2
˚C (
2mA
1.0
)
3mA
温度
2
ース
5mA
コレクタ電流 I C (A)
1.2typ
(ケ
=1
3.0typ
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
1.0
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
IB
2m
tf
(μs)
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
3
tstg
(μs)
5˚C
20
IC
(A)
12
20
2.4±0.2
2.2±0.2
コレクタ電流 I C (A)
RL
(Ω)
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
4.0±0.2
1.35±0.15
−30
Tstg
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
80min
C(
IB
80
0.8±0.2
VCB=
VEBO
4.2±0.2
2.8 c0.5
±0.2
ICBO
10.1±0.2
μA
10max
V
80
単位
3.9
60
規 格 値
2SC3852 2SC3852A
試 験 条 件
25˚
VCEO
記 号
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記号
単 位
2SC3852 2SC3852A
VCBO
V
80
100
16.9±0.3
■絶対最大定格
用途:ソレノイド、モータ駆動、シリーズレギュレータ、一般用
外形図 FM20(TO220F)
(Ta=25℃)
13.0min
High hFE
LOW VCE (sat)
10
放熱板なし
自然空冷
0.1
0
–0.005 –0.01
–0.05 –0.1
エミッタ電流 I E (A)
78
放熱板なし
0.05
–0.5
–1
–2
3
5
10
50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
100
0
0
50
100
周囲温度 Ta( ˚C)
150