2SC3835

2SC3835
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (スイッチングトランジスタ)
VCEO
120
V
IEBO
8
V
V(BR)CEO
A
hFE
VCE＝4V, IC＝3A
70∼220
7(パルス14)
IC
試 験 条 件
単位
VCB＝200V
100max
μA
VEB＝8V
100max
μA
IC＝50mA
120min
V
A
VCE(sat)
IC＝3A, IB＝0.3A
0.5max
70(Tc＝25℃)
W
VBE(sat)
IC＝3A, IB＝0.3A
1.2max
V
Tj
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−0.5A
30typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
110typ
pF
3
Tstg
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
50
16.7
3
10
–5
0.3
–0.6
0.5max
3.0max
0.5max
1.05 +0.2
-0.1
V CE ( sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ）
1
(V CE =4V)
7
6
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
0
1
2
3
0
0.005 0.01
4
0.05
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
0.1
0.5
0
1
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性 （代表 例 ）
(V C E =4V)
100
50
温度）
5
1 2 5 ˚C
25
100
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
Typ
ケース
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
300
1.0 1.1
0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
200
˚C （
ス温
ケー
1
−30
2
1
度）
）
温度
ース
3
C（
I B =10mA
A
2
1
4
（ケ
20 mA
5A
3
3A
40m
25˚
A
4
5
5˚C
60mA
12
5
2
コレクタ電流 I C (A)
mA
I C= 1
コレクタ電流 I C (A)
1.4
E
A
50m
100
直流電流増幅率 h FE
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
6
0
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
2.6
2
2
3
B
VCC
(V)
A
00m
ø3.2±0.1
5.45±0.1
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
2.0±0.1
V
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
7
イ
4.8±0.2
ロ
PC
IB
15.6±0.4
9.6
4.0max
VEBO
記 号
1.8
ICBO
5.0±0.2
V
2.0
200
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
規格値
4.0
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途： 加湿器、DC-DCコンバータ、一般用
˚C
–30
˚C
50
1
0.5
20
0.02
0.1
0.5
1
5
20
0.01
7
0.05
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5 7
0.4
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE =12V)
20
10
P c – Ta定 格
70
0µ
s
最大許容損失 P C (W)
コレクタ電流 I C (A )
付
遮断周波数 f T (MH Z )
板
–5
熱
76
–1
30
20
放熱板なし
0.05
–0.5
40
10
0.1
エミッタ電流 I E (A)
放
放熱板なし
自然空冷
大
0.5
限
1
50
無
ms
10
10
20
1000 2000
100
60
5
–0.05 –0.1
10
時間 t(ms)
10
0
–0.01
1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 （代表 例 ）
30
0.1
5
10
50
120
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150