2SA1694

2SA1694
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4467とコンプリメンタリ)
VEBO
IC
−10max
μA
V
IEBO
VEB＝−6V
−10max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC＝−50mA
−120min
−8
A
hFE
−3
80(Tc＝25℃)
150
−55∼＋150
IC＝−3A, IB＝−0.3A
fT
VCE＝−12V, IE＝0.5A
20typ
MHz
℃
COB
VCB＝−10V, f＝1MHz
300typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
5.45±0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
10
–4
–10
5
–0.4
0.4
0.14typ
1.40typ
0.21typ
–2
–3
0
–4
0
200
100
50
–0.5
–1
–5
–8
125 ˚C
25 ˚C
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5 –8
f T – I E 特性（代表 例 ）
温度
ース
（ケ
1
0.5
0.3
1
10
100
1000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
–1.5
3
300
100
–1.0
θ j-a – t特 性
(V C E = – 4V)
直流電流増幅率 h F E
Typ
–0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE = – 4V)
–0.1
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
30
–0.02
0
–0.1 –0.2 –0.3 –0.4 –0.5 –0.6 –0.7 –0.8 –0.9 –1.0
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
–1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
直流電流増幅率 h FE
度）
–2A
0
）
）
–4A
0
ス温
温度
–2
I C =–8A
0˚C
I B =–10mA
–1
−3
–2
–4
ース
–25mA
（ケ
–50mA
–4
–6
–2
5˚C
–7 5m A
–6
コレクタ電流 I C (A)
mA
12
–100
コレクタ電流 I C (A)
–
(V CE = – 4V)
–8
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
m
50
–3
–2
0
15
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–3
A
C
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
–8
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
m
00
2
3
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
2.0±0.1
ø3.2±0.1
ケー
Tstg
VCE(sat)
4.8±0.2
ロ
˚C（
Tj
−1.5max
A
W
イ
25
PC
V
50min※
VCE＝−4V, IC＝−3A
15.6±0.4
9.6
1.8
−120
VCB＝−120V
5.0±0.2
VCEO
ICBO
2.0
V
単位
4.0
−120
規格値
19.9±0.3
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0max
単 位
IB
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
80
–20
30
10
60
0.5
1
エミッ タ電流 I E (A)
28
5
8
–0.1
–5
–10
付
0.05 0.1
40
20
放熱板なし
自然空冷
0
0.02
板
–0.5
熱
–1
放
最大許容損失 P C (W)
DC
s
大
コレクタ電流 I C (A )
–5
m
限
10
100ms
無
遮断周波数 f T (MH Z )
Typ
20
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150