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WLP(Wafer
(
Level Package)
g )
New Product Leaflet
XC6602,XC9235/36/37 Series
数码相机
智能手机
笔记本电脑
WLP是晶片级封装（Wafer Level Package）的略称，是超小型芯片尺寸
的封装组件。
在XC6602系列产品(LDO电压调整器)，XC9235/XC9536/XC9237系列产
品(降压DC/DC转换器)选用了WLP封装。
XC6602系列产品是超低导通电阻的高速LDO电压调整器，从0.5V的输入
电压即可开始工作，输出高达1A的最大输出电流，最适合于需要在低电压
带高效率地输出大电流的应用目的。
XC9235/XC9236/XC9237系列产品是同步整流降压DC/DC转换器，内置
了0.42ΩP沟道MOS驱动晶体管及0.52ΩN沟道MOS开关晶体管，能得到
最大输出电流600mA的高效率稳定电源。
WLP-5-03
(1.26x1.06x0.4mm)
WLP-5-02
(1.25x0.88x0.4mm)
WLP(Wafer Level Package)
1
WLP（WL-CSP）是指 Chip Scale Package，芯片尺寸封装件。
由于采用了 WLP，可以满足超小型，超薄型，高传导性概念进而扩展产品系列。
工艺由①电路表面的聚酰亚胺保护，②重新配线，③重新配线之后的聚酰亚胺保护，④贴装锡球组成。( 图 1)
在硅表面直接进行激光打标的简单结构，能确立小型，薄型，低成本的工艺。
因为电路表面和电路板的连接部位 ( 焊锡球 ) 之间的距离短，比相同尺寸的元件放热快，有利于散热处理设计。
( 图 2：参照结构图 )
结构图 (图2)
Redistribution Layer (图1)
Pl2
(Polyimide)
Solder ball
(Sn-3Ag-0.5Cu)
晶片状态
④贴装锡球组成
①电路表面的聚酰亚胺保护
形成UBM(焊锡球设置台)
Pl1
(Polyimide)
Wefer pad opening
(AI)
Under Bump Metal
(Cu+Ti)
Sillicon Chip
(Si)
③重新配线之后的聚酰亚胺保护
②重新配线
Re-Distribution Layer
(Cu+Ti)
XC6602 主要特点
1A(1.3A Limit)
0.15Ω@VBIAS=3.6V,VOUT=1.2V
纹波抑制
偏置电压范围
2.5V～6.0V
消耗电流
100μA (VBIAS), 6.5μA (VIN)@VOUT=1.2V
输入电压范围
待机电流
输出电压范围
0.5V～3.0V
0.5V～1.8V(0.1V 间隔)
功能
输出电压精度
±0.015V@VOUT＜1.2V
0.01μA(VBIAS), 0.01μA (VIN)
软启动, CL 高速放电
CE带下拉电阻(高电平有效)
封装
USP-6C, SOT-26W, SOT-89-5, WLP-5-02
最大输出电流
ON电阻
±0.020V@VOUT≧1.2V
XC9235/XC9236/XC9237 主要特点
2.0V～6.0V
最大Duty
100%
0.8V～4.0V
0.42ΩP-ch 駆動晶体管
功能
限定电流 (恒流+积分闩锁)
0.52ΩN-ch 駆動晶体管
控制方式
输入电压范围
输出电压范围
内置晶体管
高效率
60dB @ ｆ =1kHz (VBIAS_PSRR)
75dB @ ｆ =1kHz (VIN_PSRR)
CL高速放电功能,高速软启动
92%(TYP.)
输出电流
600mA
振荡频率
1.2MHz, 3.0MHz (±15%)
PWM固定(XC9235)
PWM/PFM 自动切换控制(XC9236)
封装
PWM/PFM 外部切换(XC9237)
SOT-25, USP-6C, USP-6EL, WLP-5-03
www.torex.co.jp/chinese/ February 2013
● Values shown in this sheet can be changed without any prior notice.
New Product Leaflet
WLP(Wafer Level Package) XC6602, XC9235/36/37 Series
2
XC6602 Series
XC
XC6602系列产品是对应于低输入电压(0.5V~)
的1A高速LDO电压调整器。由于采用了偏置电压驱动，即使是在低输出电压状态，
也能在低导通电阻工作。
此外，减轻了由于负载变动而带来的输入输出线路的电压下降，比既往产品更利于在低输入输出电位差状态的工作。而且，即使
是在需要大电流时，也能提供稳定的输出电压。因为WLP-5-02封装采用了金属配线而不是焊接线，与既往的封装相比减小了导通
电组，从而改善了Dropout Voltage和VOUT-IOUT特性。(图3,4)
Dropout Voltage (图3)
Output Voltage vs.Output Current (图4)
XC6602A121xR-G
XC6602A121xR-G
Ta=25℃,VIN=1.5V,VBIAS=VCE=3.6V,CBIAS=CIN=1.0μF,CL=2.2μF
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1.60
WLP-5-02
SOT-26W
200
400
Output Voltage: VOUT[V]
Dropout Voltage: Vdif [mV]
Ta=25℃,VBIAS=VCE=3.6V,CBIAS=CIN=1.0μF,CL=2.2μF
600
800
1000
1.50
WLP-5-02
SOT-26W
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
0
200
Output Current:IOUT[mA]
3
400
600
800
1000
Output Current:IOUT[mA]
XC9235/XC9236/XC9237 Series
4
WLP-5-03封装因为采用了金属配线而不是焊接线，与既往
的封装组件相比，导通电阻减小了0.03Ω~0.05Ω(图5)，在
重负载条件下能实现提高2~3%的效率。
实现了小型化
使用WLP封装可小型省空间。
XC6602
86％減
0.8
ON resistance(Ω)
0.7
1.25mm
ON resistance Characteristics (IOUT=100mA)
2.8mm
P沟道驱动导通电阻(随VIN变化) (图5)
SOT-26W
0.88mm
USP-6C
WLP-5-03
0.6
WLP-5-02
0.5
2.9mm
0.4
XC9235/XC9236/XC9237
0.3
0.2
63％減
0.1
2
3
4
VIN(V)
5
6
7
2.0mm
1
USP-6C
1.8mm
1.26mm
0.0
WLP-5-03
1.06mm
www.torex.co.jp/chinese/ February 2013
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