BZT52B2V4 BZT52B39 (500 mW 2%)

BZT52B2V4 ... BZT52B39 (500 mW 2%)
BZT52B2V4 ... BZT52B39 (500 mW 2%)
Surface mount Silicon Planar Zener Diodes
Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-13
0 .1 2
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
±0.2
3.8
Type
Code
500 mW
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
2.4...39 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.6±0 .1
0.6 ±0.1
1 .1 ±0 .1
2.7±0.1
~SOD-123
Weight approx.
Gewicht ca.
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
tandard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 standard (~ ±5%).
The devices BZT52B2V4...BZT52B39 are specially selected to ~ ±2% tolerance.
Other voltage tolerances and Zener voltages on request.
Die Standard-Toleranz der Z-Spannung ist gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%).
Die Reihe BZT52B2V4...BZT52B39 ist eine Sonderselektion mit ~ ±2% Toleranz.
Andere Toleranzen oder Zener-Spannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
BZT52-series
Ptot
500 mW 1)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 300 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 240 K/W
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 25°C
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
Marking – Stempelung
1
BZT52B2V4 = 9C
BZT52B6V2 = 9R
BZT52B16 = 0H
BZT52B2V7 = 9D
BZT52B6V8 = 9X
BZT52B18 = 0J
BZT52B3V0 = 9E
BZT52B7V5 = 9Y
BZT52B20 = 0K
BZT52B3V3 = 9F
BZT52B8V2 = 9Z
BZT52B22 = 0M
BZT52B3V6 = 9H
BZT52B9V1 = 0A
BZT52B24 = 0N
BZT52B3V9 = 9J
BZT52B10 = 0B
BZT52B27 = 0P
BZT52B4V3 = 9K
BZT52B11 = 0C
BZT52B30 = 0R
BZT52B4V7 = 9M
BZT52B12 = 0D
BZT52B33 = 0X
BZT52B5V1 = 9N
BZT52B13 = 0E
BZT52B36 = 0Y
BZT52B5V6 = 9P
BZT52B15 = 0F
BZT52B39 = 0Z
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad an jedem Anschluss)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BZT52B2V4 ... BZT52B39 (500 mW 2%)
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Type
Typ
Z-voltage range 1)
Z-Spanngs.-Bereich 1)
IZT = 5mA
(Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 100 nA
Z-current 2)
Z-Strom 2)
TA = 25°C
VZ min [V]
VZ max [V]
ZZK [Ω]
IZK [mA]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
BZT52B2V4
2.20
2.65
< 100
5
-9...-6
1 (<120 µA)
189
BZT52B2V7
2.65
2.95
< 110
5
-9...-6
1 (<120 µA)
169
BZT52B3V0
2.95
3.25
< 120
5
-8...-5
1 (<50 µA)
154
BZT52B3V3
3.25
3.55
< 120
5
-8...-5
1 (<20 µA)
141
BZT52B3V6
3.60
3.84
< 100
5
-8...-5
1 (<10 µA)
130
BZT52B3V9
3.89
4.16
< 100
5
-8...-5
1 (<5 µA)
120
BZT52B4V3
4.17
4.43
< 100
5
-6...-3
1 (<5 µA)
113
BZT52B4V7
4.55
4.75
< 100
5
-5...+2
1 (<2 µA)
105
BZT52B5V1
4.98
5.20
< 80
5
-2...+2
1.5 (<2 µA)
96
BZT52B5V6
5.49
5.73
< 60
5
-5...+5
2.5 (<1 µA)
87
BZT52B6V2
6.06
6.33
< 60
5
-3...+6
3 (<1 µA)
79
BZT52B6V8
6.65
6.93
< 40
5
+3...+7
3.5 (<0.5 µA)
72
BZT52B7V5
7.28
7.60
< 30
5
+3...+7
4 (<0.5 µA)
66
BZT52B8V2
8.02
8.36
< 30
5
+8...+7
5 (<0.5 µA)
60
BZT52B9V1
8.85
9.23
< 30
5
+3...+9
6 (<0.5 µA)
54
BZT52B10
9.77
10.21
< 30
5
+3...+10
7
49
BZT52B11
10.76
11.22
< 30
5
+3...+11
8
45
BZT52B12
11.74
12.24
< 30
5
+3...+11
9
41
BZT52B13
12.91
13.49
< 37
5
+3...+11
10
37
BZT52B15
14.34
14.98
< 42
5
+3...+11
11
33
BZT52B16
15.85
16.51
< 50
5
+3...+11
12
30
BZT52B18
17.56
18.35
< 65
5
+3...+11
13
27
BZT52B20
19.52
20.39
< 85
5
+3...+11
15
25
BZT52B22
21.54
22.47
< 100
5
+4...+12
17
22
BZT52B24
23.72
24.78
< 120
5
+4...+12
19
20
BZT52B27
26.19
27.53
< 150
5
+4...+12
21
18
BZT52B30
29.19
30.69
< 200
5
+4...+12
23
16
BZT52B33
32.15
33.79
< 250
5
+4...+12
25
15
BZT52B36
35.07
36.87
< 300
5
+4...+12
27
14
BZT52B39
37.00
41.00
<100
5
+4...+12
30 (< 2 µA)
12
1
2
2
Tested with pulses (20 ms) – Gemessen mit Impulsen (20 ms)
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad an jedem Anschluss)
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG