SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%) SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%) Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2015-05-13 Type Typ 2W Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung 10...200 V Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.5 _ 0.4 5.0±0.3 0.5 _ 0.4 0.1 2.5 +_ 0.2 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung Dimensions - Maße [mm] 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%. Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte SMZ-series Power dissipation Verlustleistung TA = 50°C Ptot 2 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 1 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms TA = 25°C PZSM 60 W Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS +150°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA <45 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT <15 K/W Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite 2 1 2 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%) Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte (Tj = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Zener voltage 2) Zener-Spannung 2) IZ = IZtest (Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert) Test current Meßstrom Dynamic resistance Diff. Widerstand IZtest / f = 1 kHz Temp. Coeffiz. of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse volt. Sperrspanng. IR = 1 μA Z-current 1) Z-Strom 1) TA = 50°C αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA] Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] SMZ10B 9.79 10.21 50 2 (<4) +5…+9 >5 189 SMZ11B 10.79 11.21 50 4 (<7) +5…+10 >5 172 SMZ12B 11.79 12.21 50 4 (<7) +5…+10 >7 157 SMZ13B 12.68 13.32 50 5 (<10) +5…+10 >7 142 SMZ15B 14.68 15.32 50 5 (<10) +5…+10 > 10 128 SMZ16B 15.68 16.32 25 6 (<15) +6…+11 > 10 117 SMZ18B 17.58 18.42 25 6 (<15) +6…+11 > 10 105 SMZ20B 19.58 20.42 25 6 (<15) +6…+11 > 10 94 SMZ22B 21.58 22.42 25 6 (<15) +6…+11 > 12 86 SMZ24B 23.48 24.52 25 7 (<15) +6…+11 > 12 78 SMZ27B 26.48 27.52 25 7 (<15) +6…+11 > 14 69 SMZ30B 29.38 30.62 25 8 (<15) +6…+11 > 14 63 SMZ33B 32.3 33.8 25 8 (<15) +6…+11 > 17 57 SMZ36B 35.2 36.8 10 16 (<40) +6…+11 > 17 53 SMZ39B 38.1 39.9 10 20 (<40) +6…+11 > 20 49 SMZ43B 42.0 44.0 10 24 (<45) +7…+12 > 20 43 SMZ47B 46.0 48.0 10 24 (<45) +7…+12 > 24 40 SMZ51B 49.9 52.1 10 25 (<60) +7…+12 > 24 37 SMZ56B 54.8 57.2 10 25 (<60) +7…+12 > 28 33 SMZ62B 60.7 63.3 10 25 (<80) +8…+13 > 28 30 SMZ68B 66.5 69.5 10 25 (<80) +8…+13 > 34 28 SMZ75B 73.4 76.6 10 30 (<100) +8…+13 > 34 25 SMZ82B 80.3 83.7 10 30 (<100) +8…+13 > 41 23 SMZ91B 89.1 92.9 5 40 (<200) +9…+13 > 41 21 SMZ100B 97.9 102.1 5 60 (<200) +9…+13 > 50 19 SMZ110B 108 112 5 80 (<250) +9…+13 > 50 18 SMZ120B 118 122 5 80 (<250) +9…+13 > 60 16 SMZ130B 127 133 5 90 (<300) +9…+13 > 60 15 SMZ150B 147 153 5 100 (<300) +9…+13 > 75 13 SMZ160B 157 163 5 110 (<350) +9…+13 > 75 12 SMZ180B 176 184 5 120 (<350) +9…+13 > 90 11 SMZ200B 196 204 5 150 (<350) +9…+13 > 90 10 1 2 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%) 120 [%] 10 100 18 24 30 36 43 51 56 62 68 75 82 91 100 IZmax 80 60 Tj = 25°C IZT 40 Typical breakdown characteristic – tested with pulses Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen 20 Ptot 0 0 TA 100 50 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1 ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1 ) 102 [A] Tj = 125°C 10 Tj = 25°C 1 10-1 IF 10-2 0.4 30a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] VR = 0V VR = 4V VR = 20V VR = 40V Cj VZ [V] Junction capacitance vs. zener voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3