US1J-Q US1J-Q Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes (AEC-Q101) Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage (AEC-Q101) Version 2014-10-17 Nominal current – Nennstrom ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 0.15 Type Typ 4.5 1.5 ±0.1 2.7 ± 0.2 1 ± 0.3 ± 0.3 Dimensions - Maße [mm] 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 600 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 600 600 US1J-Q Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30 A Rating for fusing, t < 10 ms - Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Characteristics Type Typ US1J-Q Kennwerte Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 2) < 75 Leakage current Sperrstrom Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] < 1.4 1.5 Tj = 25°C VR = 660 V IR Tj = 100°C VR = VRRM IR < 0.7 µA < 10 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 70 K/W 3) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W 1 2 3 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 US1J-Q 10 120 [% ] [A] 100 1 80 US1J-Q 60 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 Tj = 25°C 10-3 VF [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 12 10 [A] 10 IFRM [A] 8 2x IFAV IFAV T_T = 100°C 1 T_T = 125°C 6 0.5x IFAV 4 Tj = 25°C Tj = 125°C 2 0,1 0,1 1 tp [ms] IRM 10 0 Rep. Peak Forward Current vs pulse duration Periodischer Spitzenstrom über Pulsdauer 0 50 -diF/dt 200 300 [A/µs] Typical reverse recovery current versus -diF /dt Typische Rückstromspitze in Abhängigkeit von -diF/dt 120 -diF/dt = 50A/µs -diF/dt = 200A/µs [ns] 100 80 60 Tj = 125°C 40 Tj = 25°C 20 trr 0 0 IF 0.5 1 1.5 [A] 2 Typical reverse recovery time versus IF Typische Sperrverzugszeit in Abhängigkeit von IF 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG