SA261 ... SA265 SA261 ... SA265 Fast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Schnelle Silizium-Gleichrichter für die Oberflächenmontage Version 2010-04-13 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.5 1200...2000 V Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.5 Type Typ 2.5 5.0 2A Dimensions - Maße [mm] 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SA261 1200 1200 SA262 1400 1400 SA263 1600 1600 SA264 1800 1800 SA265 2000 2000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 2A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 45/50 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 10 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SA261 ... SA265 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 2 A VF < 1.8 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 500 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 15 K/W 2 10 120 [%] [A] 100 10 80 Tj = 125°C 1 60 40 Tj = 25°C 10 20 IF IFAV 0 -1 35a-(1a-1.3v) 10-2 0 TT 50 100 150 [°C] 0.4 Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG