ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 ■概要 ELM832B 是共模输入电压范围广和推挽输出、消耗功率低的 CMOS 功率运算放大器。该 IC 能使电源 电路设计容易 , 只要有 1.2V 的单电源就可以工作。它适合于需要低消耗电力和单电源工作的携带型机 器等使用。 ■特点 ■用途 · 单电源工作 · 电池供电设备 · 工作电压低 : 1.2V≦Vdd≦6.0V · 低功率信号处理 · 消耗电流低 : Typ.25μA(Vdd=3.0V) · 低电压模拟电路 · 共模输入范围 · 简易电压追随器 · 输出方式 : Vss～Vdd-0.3V(Vdd=1.5V) : Vss～Vdd-0.1V(Vdd=3.0V) : 推挽输出 · 增益带宽积 · 封装小 : Typ.200kHz : SOT－25 ■绝对最大额定值 项目 记号 Vdd Vin Vout 电源电压 输入电压 输出电压 输出短路电路 容许功耗 工作温度 保存温度 规格范围 10 Vss-0.3～Vdd+0.3 Vss-0.3～Vdd+0.3 连续 300 -20～+70 -55～+125 Pd Top Tstg ■产品型号构成 ELM832B-x 记号 a 项目 产品版本 b 包装卷带中 IC 引脚置向 描述 ■标准电路图 ��� SOT-25(俯视图) � � � � � ELM832 B - x ↑ ↑ a b B S: 参考封装资料 N: 参考封装资料 ■引脚配置图 � 单位 V V V Sec. mW ℃ ℃ � 引脚编号 1 2 3 4 5 引脚名称 OUT VDD IN+ INVSS � ������� � ����� ���� 10 - 1 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 ���� ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 ■电特性 Vdd=1.5V 项目 输入漂移电压 输入偏置电流 共模输入电压范围 记号 Vio Iib Vcmr 最大输出电压 Vouts 大信号电压增益 共模抑制比 Avd CMRR 电源纹波抑制比 PSRR 消耗电流 增益带宽积 电压转换速率 Iss GBW SR 条件 Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 For CMRR≧50dB Vid=100mV RL=10kΩ～Vss RL=10kΩ～Vss RL=10kΩ～Vss RL=10kΩ～Vss Vdd=1.35V～6.0V Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 RL=100kΩ, CL=20pF 记号 Vio Iib Vcmr 最大输出电压 Vouts 大信号电压增益 共模抑制比 Avd CMRR 电源纹波抑制比 PSRR 消耗电流 增益带宽积 电压转换速率 Iss GBW SR 1.40 80 Vdd=3.0V 项目 输入漂移电压 输入偏置电流 共模输入电压范围 Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 ±6 mV 1.0 nA 0.00 1.20 V 条件 Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 For CMRR≧50dB Vid=100mV, RL=10kΩ～Vss RL=10kΩ～Vss RL=10kΩ～Vss RL=10kΩ～Vss Vdd=2.7V～6.0V Vin+=Vdd/2, 单位增益缓冲器 RL=100kΩ, CL=20pF V 95 70 dB dB 95 dB 22 200 120 2.90 80 V 100 70 dB dB 100 dB 25 150 100 SOT-25 � � � 印字 B 0～9 0～9 μA kHz mV/μs Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 ±6 mV 1.0 nA 0.00 2.90 V ■封装印字说明 记号 a b c 40 表示内容 ELM832B 生产批号 生产批号 10 - 2 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 45 μA kHz mV/μs ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 ■注意事项 1) 共模输入电压范围 ELM832B 的共模输入电压范围是由 CMRR≧50dB 以上的条件来决定的 , 当不考虑 CMRR 的劣化时 , 输入也可以超过规格范围工作。即使输入电压超过正或负的电源电压 , 也不会造成输出的反转等事 故现象。 作为绝对最大额定 , 输入电压的范围可以是（Vss-0.3）～（Vdd+0.3）之间。 2) 单电源工作 ELM832B 可以在双电源下工作，但该 IC 是为适合单电源工作而设计的。由于这个原因 , 本产品可 以和逻辑电路共用一个电源。但在使用时为了避免相互间电源噪声的影响 , 应各自单独配置电源线 , 并使用去耦电容（旁路电容）。电容器的使用可以改善 10kHz ～ 100kHz 之间或这以上的频率里的电 源纹波抑制比。 3) 反馈 运算放大器在和反馈电阻一起使用时 , 象单位增益缓冲器这样的反馈量多的电路里面可能会产生 振荡现象。 a) 当使用高值反馈电阻时 , 由于运算放大器输入部分的寄生容量的关系 , 会减少相位裕量。在这种场 合下需要如图 1 那样将反馈电阻和电容器并联使用 ; b) 如果在容量负荷的情况下 , 像图 2 那样串联一个电阻（R=300Ω ～ 500Ω）可有效防止振荡现象 ; c) 将 ELN832B 作为单位增益缓冲器来使用的情况下 , 从设计上已考虑到即使直接驱动 100pF 的容量 负荷也不会产生振荡的现象。 图2 图1 ��� ��� � ���� ������� � ������� � ���� � � �� �� 10 - 3 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 ■标准特性曲线图 Iss - Top Iss - Vdd 45 Vcm=Vdd/2, No-Load 40 35 Iss(�A) Iss(�A) Top=-20°C 30 25 +70°C 20 15 +25°C 10 5 0 1 2 3 4 5 34 32 30 28 26 24 22 20 18 16 14 12 Vcm=Vdd/2, No-Load Vdd=3V Vdd=1.5V -20 -10 0 6 Top(°C) Vdd(V) Short-Circuit Output Current - Top Short-Circuit Output Current(mA) Percent(%) Vos - Distribution 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 40 35 Vdd=6V Short to VDD 30 25 Short to VSS 20 15 10 5 Vdd=3V SR(mV/�s) 160 RL=100k�, CL=20pF to VSS Av=+1, Vin=1Vp-p Rising Edge 140 120 Falling Edge 100 80 60 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C) SR - Top 180 Short to VDD Short to VSS 0 -20 -10 0 Vos(mV) 200 10 20 30 40 50 60 70 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C ) 10 - 4 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 ■Vdd=1.5V 的特性曲线图 Isource - Vout 10 1 0.1 0.01 0.001 0.001 0.1 0.01 0.01 0.1 1 0.001 0.001 10 0.01 0.1 Vout(V) Minimum Vout(mV) Vdd - Maximum Vout(mV) 1000 RL to VSS RL=10k� RL=100k� 1 -20 -10 0 100 10 RL to VDD RL=10k� RL=100k� 1 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C ) Avd - Frequency 120 Top=25°C RL=10k� to VSS Avd(dB) 80 60 40 20 0.01 0.1 1 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C ) 100 0 10 Minimum Vout - Top Maximum Vout - Top 10 1 Vout(V) 1000 100 Top=25°C 1 Isink(mA) Isource(mA) Isink - Vout Top=25°C 10 10 100 1000 Frequency(kHz) 10 - 5 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 CMRR - Vcm CMRR - Frequency Top=25°C 100 100 Vcm=Vdd/2, RL to VSS 80 CMRR(dB) CMRR(dB) RL=10k� to VSS 90 90 RL=100k� 70 RL=10k� 60 80 70 60 50 50 0.01 0.1 1 10 40 0 100 0.5 Top=25°C 120 RL=10k� or 100k� to VSS CMRR, PSRR(dB) PSRR(dB) RL=10k� to VSS 110 100 80 60 40 20 100 PSRR 90 80 CMRR 70 60 50 0.1 1 10 -20 -10 0 100 SR - Top 200 RL=100k�, CL=20pF to VSS Av=+1, Vin=1Vp-p SR(mV/�s) 180 Rising Edge 140 120 Falling Edge 100 80 60 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C) Frequency(kHz) 160 1.5 CMRR, PSRR - Top PSRR - Frequency 120 1 Vcm(V) Frequency(kHz) 0.01 Top=25°C 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C ) 10 - 6 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 Gain & Phase - Frequency 50 120 40 CL=20pF Phase 30 20 Gain 10 90 60 30 0 0 -10 CL=200pF -20 1 10 100 Gain(dB) Gain(dB) 40 Top=25°C 180 Av=-100, RL=100k� to VSS 150 60 Phase(deg) 50 Top=25°C 180 Av=-100, RL=10k� to VSS 150 30 20 -60 -20 0 -30 CL=200pF 1 10 100 -60 1000 Frequency(kHz) Frequency(kHz) Large Signal Pulse Response Large Signal Pulse Response Top=25°C RL=10k� to VSS Av=+1, Vin=1Vp-p 10�s/Div 500mV/Div 500mV/Div 500mV/Div 500mV/Div ( Inverting ) ( Non-Inverting ) Small Signal Pulse Response Top=25°C RL=10k� to VSS Av=+1, Vin=100mVp-p 10�s/Div Top=25°C RL=10k� to VSS Av=-1, Vin=1Vp-p 10�s/Div Small Signal Pulse Response Top=25°C RL=10k� to VSS Av=-1, Vin=100mVp-p 10�s/Div 50mV/Div 50mV/Div 50mV/Div 50mV/Div ( Non-Inverting ) 90 30 0 -10 120 60 Gain 10 -30 1000 CL=20pF Phase ( Inverting ) 10 - 7 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 Phase(deg) Gain & Phase - Frequency 60 ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 ■Vdd=3.0V 的特性曲线图 Isource - Vout 10 1 0.1 0.01 0.001 0.001 0.1 0.01 0.01 0.1 1 0.001 0.001 10 0.01 0.1 Maximum Vout - Top 10 RL to VSS RL=1k� RL=100k� 100 RL=10k� 10 RL=100k� 1 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C) Avd - Frequency 120 Top=25°C RL=10k� to VSS Avd(dB) 80 60 40 20 0.01 0.1 1 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C) 100 0 RL to VDD RL=1k� RL=10k� 1 -20 -10 0 10 Minimum Vout - Top 1000 Minimum Vout(mV) Vdd - Maximum Vout(mV) 100 1 Vout(V) Vout(V) 1000 Top=25°C 1 Isink(mA) Isource(mA) Isink - Vout Top=25°C 10 10 100 1000 Frequency(kHz) 10 - 8 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 CMRR - Vcm CMRR - Frequency Top=25°C 100 100 Vcm=Vdd/2, RL to VSS 90 80 CMRR(dB) RL=100k� 70 RL=1k� or 10k� 60 80 70 60 50 50 0.01 0.1 1 10 40 0 100 0.5 1 Top=25°C 120 RL to VSS RL=1k� 60 40 20 0.01 RL=10k� to VSS 110 CMRR, PSRR(dB) PSRR(dB) 80 PSRR 100 90 CMRR 80 70 60 50 0.1 1 10 -20 -10 0 100 10 20 30 40 50 60 70 Top(°C) Frequency(kHz) Gain & Phase - Frequency SR - Top 200 50 Top=25°C 180 Av=-100, RL=1k� to VSS 150 40 160 Gain(dB) SR(mV/�s) 60 RL=100k�, CL=20pF to VSS Av=+1, Vin=1Vp-p 180 140 3 2.5 CMRR, PSRR - Top PSRR - Frequency RL=100k�, 10k� 2 Vcm(V) Frequency(kHz) 120 1.5 Rising Edge 120 100 Falling Edge 10 60 30 0 0 CL=200pF -20 1 10 20 30 40 50 60 70 90 Gain -10 80 60 -20 -10 0 30 20 CL=20pF 120 Phase 10 100 Frequency(kHz) Top(°C) 10 - 9 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 -30 -60 1000 Phase(deg) CMRR(dB) 90 100 Top=25°C RL=10k� to VSS ELM832B CMOS 低功耗运算放大器 Gain & Phase - Frequency 50 Top=25°C 180 Av=-100, RL=10k� to VSS 150 50 40 CL=20pF 120 40 20 90 60 Gain 10 30 0 0 -10 CL=200pF -20 1 10 100 Gain(dB) 30 Phase(deg) Gain(dB) Phase Top=25°C 180 Av=-100, RL=100k� to VSS 150 60 30 20 90 60 Gain 10 30 0 0 -30 -10 -60 -20 -30 CL=200pF 1 1000 CL=20pF 120 Phase 10 100 -60 1000 Frequency(kHz) Frequency(kHz) Large Signal Pulse Response Large Signal Pulse Response Top=25°C RL=10k� to VSS Av=+1, Vin=2Vp-p 10�s/Div 1V/Div 1V/Div 1V/Div 1V/Div ( Non-Inverting ) ( Inverting ) Small Signal Pulse Response Small Signal Pulse Response Top=25 °C RL=10k� to VSS Av=+1, Vin=100mVp-p 10�s/Div Top=25 °C RL=10k� to VSS Av=-1, Vin=2Vp-p 10�s/Div Top=25 °C RL=10k� to VSS Av=-1, Vin=100mVp-p 10�s/Div 50mV/Div 50mV/Div 50mV/Div 50mV/Div ( Non-Inverting ) ( Inverting ) 10 - 10 如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。 Phase(deg) Gain & Phase - Frequency 60