ROHM BD7966EKV_11

1/18
構
造
STRUCTURE
製 品 名
PRODUCT SERIES
形
名
T Y P E
外形寸法図
PACKAGE OUTLINES
熱軽減率曲線
POWER DISSIPATION
ブロック図
BLOCK DIAGRAM
応用回路図
APPLICATION
測定回路図
TEST CIRCUIT
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
シリコンモノリシック集積回路
Silicon Monolithic Integrated Circuit
カーCD,カーDVD 用パワードライバ
Power Driver for car CDs, DVDs
BD7966EKV
BD7966EKV
図1
Figure1
図2
Figure2
図3
Figure3
図4
Figure4
図5
Figure5
◆機能
・Act(2ch)/Loading(3ch)/Sled用(Stepping モータ専用)ドライバ(2ch)を搭載した1chipIC
・Act用ドライバ/Sled用ドライバの ON/OFF の独立 MUTE 制御可能
・3.3V レギュレータ内蔵(1ch)
・パッケージは 装着面に放熱用メタルがある HTQFP64V を採用
・サーマルシャットダウン回路を内蔵
・地絡保護回路を内蔵
◆FUNCTION
・Single chip IC with drivers for Act(2ch)/Loading(3ch)/Sled(2ch)(for Stepping motor).
・Separated Mute control for turned ON/OFF at Act/Sled
・Built in 3.3V regulator (1ch)
・Adopting the package: HTQFP64V equipped with a radiating metal on the mount side
・Built in thermal-shut-down circuit.
・Built in Protection circuit for GND fault
REV. B
2/18
<ローディング部><Loading block>
・LDCTL 端子により出力電圧の設定が可能
The LDCTL terminal is used to specify the output voltage.
・F,R の 2 線制御インターフェース
2-line control interface of F and R.
<スレッド部><Sled block>
・2 相のステッピングモータ専用
This Sled terminal is for 2-phase stepping motors
・リニア入力対応
Supporting linear input
・PWM 駆動方式により高効率ドライブが可能
Efficient drive by current feedback PWM drive
<アクチュエータ部><Actuator block>
・リニア入力対応
Linier BTL drive systems
◎絶対最大定格 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
POWER MOS 電源電圧
POWER MOS power supply voltage
Pre 部/Pow 部電源電圧
Pre-block and Pow-block Power Supply Voltage
許容損失
Power dissipation
動作温度範囲
Operating temperature range
保存温度範囲
Storage temperature range
*ローム標準基板(70×70[mm],厚さ 1.6[mm])
ROHM standard board (size: 7070 [mm], thickness: 1.6 [mm])
Symbol
Limits
Unit
SLRNF
12
V
VCC,AVM,LDVM
15
V
Pd
1.9*
W
Topr
-40~85
℃
Tstg
-55~150
℃
◎推奨動作範範囲 RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(電源電圧に関しては、許容損失を考慮の上設定してください)
(Set the power supply voltage taking allowable dissipation into considering)
Parameter
POWER MOS 電源電圧
POWER MOS power supply voltage
Pre 部/Pow 部電源電圧
Pre-block and Pow-block Power Supply Voltage
Symbol
MIN
TYP
MAX
Unit
SLRNF
4.5
8
10
V
VCC,AVM,LDVM
4.5
8
10
V
*VCC≧LDVM
REV. B
3/18
◎ 電気的特性 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(特に指定のない限り Ta=25℃, VCC=POWVCC(LD,SL)=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω)
(Unless otherwise noted Ta=25℃, VCC=POWVCC(LD,SL)=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Condition
IQ1
-
26.5
38.4
mA
VCC=REGVCC=PowVCC=8[V]
IST1
-
19.5
28.3
mA
VCC=REGVCC=PowVCC=8[V]
55
mV
0.130 (0.43)
A/V
(V/V)
回路電流 Circuit current
無入力時回路電流
Quiescent current
MUTE 時回路電流
MUTE Circuit Current
送りモータドライバ部 Sled driver block
入力不感帯幅(片側)
Input dead zone (one side)
入出力ゲイン
Input output gain
出力ON抵抗(上側)
Output ON resistor (upper)
出力ON抵抗(下側)
Output ON resistor (lower)
出力リミット電流
Output limit current
PWM周波数
PWM frequency
VDZSL
5
30
gmSL
0.082
(0.27)
0.106
RONUSL
-
2.4
3.6
Ω
IL=500mA
SLRNF=3.3Ω
RONLSL
-
0.7
1.1
Ω
IL=-500mA
ILIMSL
0.105
(0.35)
0.136
0.167
(0.55)
A
(V)
SLRNF=3.3Ω
fosc
-
100
-
kHz
VOFFT
-50
0
50
mV
VOHFT
-
0.45
0.8
V
IL=500mA
VOLFT
-
0.45
0.8
V
IL=-500mA
GVFT
10.0
11.5
13.0
dB
IBIAS
-
75
120
μA
VOPOF
-5
0
+5
mV
IOPIB
-
-
300
nA
VOPICM
0.3
-
VCC-1.2
V
ISOURCE
500
800
-
μA
ISINK
2
-
-
mA
SR
-
0.8
-
V/μs
IINL
-
87
130
μA
LDIN=5V
ILDCL
-
-
0.5
mA
LDCTL=5V
VOFLD
-50
0
50
mV
VOHLD
-
1.1
1.4
V
IL=500mA
V
IL=-500mA
dB
LDCTL=1V
V
IL=200mA
アクチュエータドライバ部 Actuator driver block
出力オフセット電圧
Output offset voltage
出力飽和電圧H
Output saturation voltage ‘H’
出力飽和電圧L
Output saturation voltage ‘L’
電圧利得
Voltage gain
バイアス端子流入電流
Bias terminal input current
VBIAS=2.5V
オペアンプ部 Operational amplifier block
入力オフセット電圧
Input offset voltage
入力バイアス電流
Input bias current
同相入力電圧範囲
Common mode input range
最大出力ソース電流
Max output source current
最大出力シンク電流
Max output sink current
スルーレート
Slew rate
ローディングドライバ部 Loading driver block
入力端子流入電流
Input terminal input current
LDCTL 端子流出電流
LDCTL terminal output current
出力オフセット電圧
Output offset voltage
出力飽和電圧H
Output saturation voltage ‘H’
出力飽和電圧L
Output saturation voltage ‘L’
電圧利得
Voltage gain
VOLLD
GVLD
-
0.45
0.8
7.5
9.0
10.5
3.13
3.3
3.47
レギュレーター Regulator
REG 出力電圧
REG output voltage
VREG
*耐放射線設計はしておりません。This product is not designed for protection against radioactive rays.
REV. B
4/18
◎ 電気的特性 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(特に指定のない限り Ta=25℃, VCC=POWVCC(LD,SL)=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω)
(Unless otherwise noted Ta=25℃, VCC=POWVCC(LD,SL)=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Condition
VIH1
2.0
-
-
V
VIL1
-
-
0.4
V
IIH1
-
180
270
uA
VMUTE1=5V
IIL1
-10
0
10
uA
VMUTE1=0V
VIH2
2.0
-
-
V
VIL2
-
-
0.5
V
IIH2
-
86
130
uA
VMUTE2=5V
IIL2
-10
0
10
uA
VMUTE2=0V
MUTE1
入力 High レベル電圧 1
Input High level voltage
入力 Low レベル電圧 1
Input Low level voltage
入力 High レベル電流 1
Input High level current
入力 Low レベル電流 1
Input Low level current
MUTE2
入力 High レベル電圧 2
Input High level voltage
入力 Low レベル電圧 2
Input Low level voltage
入力 High レベル電流 2
Input High level current
入力 Low レベル電流 2
Input Low level current
*耐放射線設計はしておりません。This product is not designed for protection against radioactive rays.
REV. B
5/18
BD7966EKV
LOT.No
図 1 外形寸法図
Fig.1 Package outlines
REV. B
6/18
3
Power dissipation : Pd(W)
許容損失Pd(W)
2.5
ローム標準基板実装
基板サイズ 70×70×1.6mmt
Θja=65.8℃/W
2
ROHM standard board (size: 7070 [mm]),
thickness: 1.6 [mm])
Θja=65.8℃/W
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
85
100
周囲温度 Ta (℃)
AMBIENT TEMPERATURE : Ta(℃)
図 2 熱軽減率曲線
Fig.2 Power dissipation
REV. B
125
150
35
34
PowGND3
36
PowGND3
37
SLO1-
38
SLO1+
SLO2-
39
SLO2+
40
PowGND4
41
PowGND4
42
AVM
43
AVM
44
OUT1R
45
OUT1F
46
OUT2R
47
OUT2F
48
PowGND5
PowGND5
7/18
33
OPII2
SLRNF1
49
LEVEL
SHIFT
OPOUT2
32
LEVEL
SHIFT
50
OPII1
51
PRE
LOGIC
PRE
LOGIC
FF
FF
SLRNF1
31
SLRNF2
30
OSC
OPOUT1
SLRNF2
52
29
TEST
SLIN2-
53
28
SLIN2O
Temp.
Monitor
54
TMON
27
VCC
SLIN1-
55
26
LIMIT
LIMIT
MUTE1
SLIN1O
56
MUTE1
25
MUTE2
24
MUTE2
PreGND
57
VC
LDI3F
58
23
LDI3R
OPIN3
59
22
LDI2F
OPII3
60
21
LDI2R
OPOUT3
61
20
OPIN4
62
OPII4
63
Loding
Control
Loding
Control
Loding
Control
LEVEL
SHIFT
LEVEL
SHIFT
LEVEL
SHIFT
LDI1F
19
LDI1R
18
OPOUT4
LDVM2
図.3 ブロック図
Fig.3 Block diagram
REV. B
15
LDCTL3
14
LDCTL2
13
LDCTL1
12
LDO1R
11
LDO1F
10
PowGND2
9
LDO2R
8
LDO2F
7
LDVM1
6
LDO3R
5
LDO3F
4
PowGND1
3
REGGND
2
REGOUT
1
REGVCC
17
REGVCC
64
16
8/18
◎ 端子説明 PIN DESRIPTION
No.
Symbol
1
REGVCC
2
REGVCC
3
REGOUT
4
REGGND
5
PowGND1
6
LDO3F
7
LDO3R
8
LDVM1
9
LDO2F
10
LDO2R
11
PowGND2
12
LDO1F
13
LDO1R
14
LDCTL1
15
LDCTL2
16
LDCTL3
17
LDVM2
18
LDI1R
19
LDI1F
20
LDI2R
21
LDI2F
22
LDI3R
23
LDI3F
24
MUTE2
25
MUTE1
26
VCC
27
TMON
28
TEST
29
SLRNF2
30
SLRNF2
31
SLRNF1
32
SLRNF1
Description
レギュレーター部 PowPMOS 用電源
Power supply for regulator PowPMOS
レギュレーター部 PowPMOS 用電源
Power supply for regulator PowPMOS
レギュレーター出力
Regulator output
レギュレーター部 GND
GND for Regulator
ローディング部パワーGND1
Power GND1for Loading block
ローディング部 Ch3 フォワード出力端子
Loading block Ch3 forward output terminal
ローディング部 Ch3 リバース出力端子
Loading block Ch3 reverse output terminal
ローディング部パワー電源 1
Power supply 1 for Loading block
ローディング部 Ch2 フォワード出力端子
Loading block Ch2 forward output terminal
ローディング部 Ch2 リバース出力端子
Loading block Ch2 reverse output terminal
ローディング部パワーGND2
Loading block power GND2
ローディング部 Ch1 フォワード出力端子
Loading block Ch1 forward output terminal
ローディング部 Ch1 リバース出力端子
Loading block Ch1 reverse output terminal
ローディング部出力電圧設定端子 CH1
Loading block output voltage setting terminal CH1
ローディング部出力電圧設定端子 CH2
Loading block output voltage setting terminal CH2
ローディング部出力電圧設定端子 CH3
Loading block output voltage setting terminal CH3
ローディング部パワー電源 2
Power supply 2 for Loading block
ローディング部 Ch1 リバース入力端子
Loading block Ch1 reverse input terminal
ローディング部 Ch1 フォワード入力端子
Loading block Ch1 forward input terminal
ローディング部 Ch2 リバース入力端子
Loading block Ch2 reverse input terminal
ローディング部 Ch2 フォワード入力端子
Loading block Ch2 forward input terminal
ローディング部 Ch3 リバース入力端子
Loading block Ch3 reverse input terminal
ローディング部 Ch3 フォワード入力端子
Loading block Ch3 forward input terminal
MUTE 端子 2
Terminal MUTE2
MUTE 端子 1
Terminal MUTE1
Pre 部電源
Power supply for Pre-block
温度モニター
Temperature monitor
TEST
送り部電流検出端子 2
Sled block current detection terminal 2
送り部電流検出端子 2
Sled block current detection terminal 2
送り部電流検出端子 1
Sled block current detection terminal 1
送り部電流検出端子 1
Sled block current detection terminal 1
No.
Symbol
64
OPOUT4
63
OPII4
62
OPIN4
61
OPOUT3
60
OPII3
59
OPIN3
58
VC
57
PreGND
56
SLIN1O
55
SLIN1-
54
SLIN2O
53
SLIN2-
52
OPOUT1
51
OPII1
50
OPOUT2
49
OPII2
48
PowGND5
47
PowGND5
46
OUT2F
45
OUT2R
44
OUT1F
43
OUT1R
42
AVM
41
AVM
40
PowGND4
39
PowGND4
38
SLO2+
37
SLO2-
36
SLO1+
35
SLO1-
34
PowGND3
33
PowGND3
REV. B
Description
OP 出力 4
OP output 4
OP 反転入力端子 4
OP inverting input terminal4
OP 非反転入力端子 4
OP non-inverting input terminal4
OP 出力 3
OP Output3
OP 反転入力端子 3
OP inverting input terminal 3
OP 非反転入力端子 3
OP non-inverting input terminal3
バイアス入力端子
Bias input terminal
Pre 部 GND
GND for Pre-block
SLIN1 前段 OP 出力
SLIN1 pre-OP output
SLIN1 前段 OP 反転入力端子
SLIN1 pre-OP inverting input terminal
SLIN2 前段 OP 出力
SLIN2 pre-OP output
SLIN2 前段 OP 反転入力端子
SLIN2 pre-OP inverting input terminal
BTL 部 Ch1 前段 OP 出力
BTL block Ch1 pre-OP output
BTL 部 Ch1 前段 OP 反転入力端子
BTL block Ch1 pre-OP inverting input terminal
BTL 部 Ch2 前段 OP 出力
BTL block Ch2 pre-OP output
BTL 部 Ch2 前段 OP 反転入力端子
BTL block Ch2 pre-OP inverting input terminal
アクチュエータ部パワーGND5
Power GND5 for Actuator block
アクチュエータ部パワーGND5
Power GND5 for Actuator block
BTL 部 Ch2 非反転出力端子
BTL block Ch2 non-inverted output terminal
BTL 部 Ch2 反転出力端子
BTL block Ch2 inverted output terminal
BTL 部 Ch1 非反転出力端子
BTL block Ch1 non-inverted output terminal
BTL 部 Ch1 反転出力端子
BTL block Ch1 inverting output terminal
アクチュエータ部パワー電源
Power supply for Actuator block
アクチュエータ部パワー電源
Power supply for Actuator block
アクチュエータ部パワーGND4
Power GND4 for Actuator block
アクチュエータ部パワーGND4
Power GND4 for Actuator block
送り部 Ch2 正出力端子
Sled block Ch2 non-inverted output terminal
送り部 Ch2 負出力端子
Sled block Ch2 inverted output terminal
送り部 Ch1 正出力端子
Sled block Ch1 non-inverted output terminal
送り部 Ch1 負出力端子
Sled block Ch1 inverted output terminal
送り部パワーGND3
Power GND3 for Sending block
送り部パワーGND3
Power GND3 for Sending block
9/18
PowVCC(ACT)=5V
35
34
PowGND3
36
PowGND3
SLO1-
37
SLO1+
38
SLO2-
39
SLO2+
40
PowGND4
41
PowGND4
42
AVM
43
AVM
44
OUT1R
45
OUT1F
46
OUT2R
47
OUT2F
48
PowGND5
PowGND5
M
33
OPII2
SLRNF1
49
LEVEL
SHIFT
OPOUT2
32
LEVEL
SHIFT
PRE
LOGIC
50
OPII1
FF
51
SLRNF1
PRE
LOGIC
31
SLRNF2
FF
30
OSC
OPOUT1
SLRNF2
52
29
TEST
SLIN2-
53
28
SLIN2O
Temp.
Monitor
54
VCC
SLIN1-
55
26
LIMIT
LIMIT
MUTE1
SLIN1O
56
MUTE1
25
MUTE2
24
MUTE2
PreGND
57
VC
LDI3F
58
23
LDI3R
OPIN3
59
22
LDI2F
OPII3
60
21
LDI2R
OPOUT3
61
20
OPIN4
62
OPII4
63
Loding
Control
Loding
Control
Loding
Control
LEVEL
SHIFT
LEVEL
SHIFT
LEVEL
SHIFT
LDI1F
19
LDI1R
18
OPOUT4
LDVM2
M
M
REGVCC=5V
図.4 応用回路図
Fig.4 Application circuit
REV. B
M
14
15
LDCTL3
13
LDCTL2
12
LDCTL1
11
LDO1R
10
LDO1F
9
PowGND2
8
LDO2R
7
LDO2F
6
LDVM1
5
LDO3R
4
LDO3F
3
PowGND1
2
REGGND
1
REGOUT
17
REGVCC
64
REGVCC
VC=1.65V
TMON
27
16
VCC(Pre)=8V
10/18
REV. B
11/18
◎ 測定回路図(全体)Test circuit (All)
SLO1+
37
36
35
PowGND3
38
PowGND3
39
SL UNIT
SLO2-
SLO2+
40
PowGND4
41
PowGND4
42
AVM
43
AVM
44
OUT1R
45
SL UNIT
BTL UNIT
OUT1F
46
OUT2R
47
OUT2F
48
PowGND5
PowGND5
BTL UNIT
SLO1-
AM
AVM
34
33
OPII2
SLRNF1
PRE
LOGIC
FF
51
31
SLRNF2
FF
30
OSC
OPOUT1
SLRNF2
52
29
OP AMP
UNIT
SLIN2-
SLOP
TEST
53
28
SLIN2O
Temp.
Monitor
54
27
MUTE1
MUTE2
24
MUTE2
LDI3F
LEVEL
SHIFT
LDI1F
19
LDI1R
LEVEL
SHIFT
FWD
1
LEVEL
SHIFT
63
Loding
Control
18
OPOUT4
LDVM2
17
VCC2
A
AM
REG IL
LOADING
UNIT
B
AM
8
LOADING
UNIT
VM3
SW8
図.5-1 測定回路図
Fig.5-1 Test circuit
REV. B
LOADING
UNIT
14
15
LDCTL3
13
LDCTL2
12
LDCTL1
11
LDO1R
10
LDO1F
9
PowGND2
8
LDO2R
7
LDO2F
6
LDVM1
5
LDO3R
4
LDO3F
3
PowGND1
REGGND
2
REGOUT
1
REGVCC
REGVCC
AM
17
64
REV
1
62
OPII4
Loding
Control
REV
2
20
Loding
Control
OPIN4
AM
20
61
FWD
2
21
LDI2R
OPOUT3
AM
21
60
REV
3
22
LDI2F
OPII3
AM
22
59
FWD
3
23
LDI3R
AM
23
58
OPIN3
AM
19
VC
VC
VCC1
MUTE
1
25
MUTE
2
MUTE1
A
M2
5
56
A
M2
4
SLIN1O
VCC
AM
26
26
LIMIT
LIMIT
AM
18
OP AMP
UNIT
55
56
OP AMP UNIT
TMON
SLIN1-
PreGND
OP AMP UNIT
SLRNF
UNIT
PRE
LOGIC
50
SLRNF
UNIT
OPII1
32
LEVEL
SHIFT
PIN
CHECK
Act OP
LEVEL
SHIFT
PIN
CHECK
OP AMP
UNIT
OPOUT2
OP AMP
UNIT
SLRNF1
49
16
AM
14
AM
15
AM
16
LD
CTL1
LD
CTL2
LD
CTL3
12/18
◎ 測定回路図(UNIT部)Test circuit (Unit)
SW P.C.
A
B
IP
SLOP&ActOPの+端子はIC内部でVCと接続されている
SLOP&ActOP+ terminal is connected with VC in IC.
VP
(27,28)
C
A
IPIN
60,63
49,51
VNFR(1,2,3,4)
59,62
PIN CHECK
VOF(3,4)
SW7
B
VSLRNF
AMRNF
(CH1,CH2)
B
A
A
VC
RSLRNF
=3.3Ω
VM
(61,64)
(50,52)
B 10K
A
C
OPOUT
A
SW1
VCC1
61,64
50,52
1M
C
SW3
10K
AM
(59,62)
SW4
VBOP
SW2
A
A
B
A
B
SLRNF
C
A
VPIN
IL+
VIN
SLRNF UNIT
-
RL=8Ω
+
VM
(43,45)
(7,10,13)
VM
(35,37)
VM
(36,38)
SW5
C
D
A
RL
D
AM(6,9,12)
(44,46)
0.2V
A
A
LOADING UNIT
ILR
B
C
A
IL+
A
ILF
B
AM(7,10,13)
(43,45)
B A
RL
AM
(36,38)
47uH
IL-
0.2V
0.2V
BTL UNIT
REV. B
B
AM
(35,37)
0.2V
SL UNIT
図.5-2 測定回路図
Fig.5-2 Test circuit
C
D
A
SW6
C
-
VOSL(1,2)
VO(1,2) or VOLD(1,2,3)
VM
(44,46)
(6,9,12)
D
0.2V
OP AMP UNIT
RL=8Ω
+
AM
(61,64)
(50,52)
A
13/18
◎ 測定回路図スイッチ表 TABLE OF MEASURE CIRCUIT SWITCHES POSITION
(特に指定のない限り Ta=25℃, Vcc1(Vcc,LDVM)=8V,Vcc2(REGVCC,AVM)=5V VC=1.65V VBOP=2.5V RL=8Ω指定のないスイッチは”A”)
(Unless otherwise noted Ta=25℃, Vcc1(Vcc,LDVM)=8V,Vcc2(REGVCC,AVM)=5V VC=1.65V VBOP=2.5V RL=8ΩThe switch not specified ”A”)
項目
Designation
無入力時回路電流
Quiescent current
MUTE 時回路電流
Circuit current at MUTE
記号
Symbol
SWITCH
条 件
Condition
1
2
3
4
5
6
7
8
IQ1
A
A
A
A
A
A
A
A
IST1
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
VDZSL
A
B
B
A
A
A
B
A
gmSL
↓
↓
↓
↓
↓
↓
C
↓
RONUSL
↓
↓
↓
↓
D
↓
B
↓
IC=500mA
RONLSL
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
IC=500mA
ILIMSL
↓
↓
↓
↓
A
↓
C
↓
fosc
↓
↓
↓
↓
B
↓
A
↓
MUTE=1.9V,VIN=1.45V
MUTE=GND
送りモータドライバ部 Sled driver block
入力不感帯幅(片側)
Input dead zone (one side)
入出力ゲイン
Input output gain
出力ON抵抗(上側)
Output ON resistor (upper)
出力ON抵抗(下側)
Output ON resistor (lower)
出力リミット電流
Output limit current
PWM周波数
PWM frequency
アクチュエータドライバ部 Actuator driver block
出力オフセット電圧
Output offset voltage
出力飽和電圧H
Output saturation voltage ‘H’
出力飽和電圧L
Output saturation voltage ‘L’
電圧利得
Voltage gain
バイアス端子流入電流
Bias terminal input current
VOFFT
A
A
A
A
A
B
A
A
(VM50,VM52)-VC
VOHFT
↓
B
B
↓
↓
D
↓
↓
VIN=0V,IL=0.5A
VOLFT
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
VIN=0V,IL=0.5A
GVFT
↓
↓
↓
↓
↓
B
↓
↓
IBIAS
↓
A
C
↓
↓
A
↓
↓
VOPOF
A
A
A
A
A
A
A
A
(VM61,VM64)-VC,MUTE=1.9V
IOPIB
B
↓
C
↓
↓
↓
↓
↓
MUTE=1.9V,VC=1.65V,VBOP=1.65V
VOPICM
↓
↓
A
↓
↓
↓
↓
↓
VBOP をスイープ、VOF を測定
VBOP sweep, VOF measurement
ISOURCE
A
↓
↓
C
↓
↓
↓
↓
ISINK
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
オペアンプ部 Operational amplifier block
入力オフセット電圧
Input offset voltage
入力バイアス電流
Input bias current
同相入力電圧範囲
Common mode input range
最大出力ソース電流
Max output source current
最大出力シンク電流
Max output sink current
ローディングドライバ部 Loading driver block
入力端子流入電流
Input terminal input current
LDCTL 端子流出電流
Terminal LDCTL output current
出力オフセット電圧
Output offset voltage
出力飽和電圧H
Output saturation voltage ‘H’
出力飽和電圧L
Output saturation voltage ‘L’
電圧利得
Voltage gain
IINL
A
A
A
A
A
A
A
A
LDCTL=5.0V
ILDC1
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
MUTE=REV=FOR=0.6V
VOFLD
↓
↓
↓
↓
↓
B
↓
↓
MUTE=0.6V,REV=1.9V FOR=0.5V
or FOR=1.9V REV=0.5V
VOHLD
↓
↓
↓
↓
↓
D
↓
↓
IL=500mA
VOLLD
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
↓
IL=500mA
GVLD
↓
↓
↓
↓
↓
B
↓
↓
MUTE=0.6V,FOR=1.9V,REV=0.6V,
LDCTL=2.0V
VREG
A
A
A
A
A
A
A
B
IL=200mA
レギュレーター Regulator
REG 出力電圧
REG output voltage
REV. B
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◎ 機能説明 Functional description
1. MUTE1,2 (Pin 25,24)
この端子にHレベル(2V 以上)または、Lレベル(0.5V 以下)を入力することで各ドライバのON/OFFの切替ができます。
MUTE1 は ACT 部の ON/OFF を制御します。
MUTE2 は送り部の ON/OFF を制御します。
※
MUTE1,2 はローディング部の制御は行っていません。
Each driver's ON/OFF can be switched by inputting combinations of H-level signal (higher than 2V)
and L-level signal (lower than 0.5V) to this terminal.
MUTE1 controls ON/OFF in the ACT block.
MUTE2 controls ON/OFF in the sled block.
※
Neither MUTE1, 2 control the loading block.
モード切替の内容は以下の通りです。The content of the mode switch is as follows.
MUTE1,2
L
各ドライバ
Each driver
MUTE_ON
H
MUTE_OFF(ACTIVE)
2. ローディング部 Loading block
入力端子にHレベル(2V以上)または、Lレベル(0.5V 以下)を入力することでローディングドライバの F/R の切替(正転・反転)ができます。
Loading driver's F/R (normal rotation and reverse) can be switched by inputting H level (higher than 2V) or L levels (lower than 0.5V) to
the input terminal.
モード切替の内容は以下の通りです。The content of the mode switch is as follows.
LDI*F
LDI*R
LDO*F
LDO*R
MODE
L
L
HiZ
HiZ
L
H
L
H
H
L
H
L
H
H
1/2LDVM
1/2LDVM
オープン
Open
フォワード
Forward
リバース
Reverse
ブレーキ
Brake
出力電圧は 1/2LDVM 基準です。The output voltage is 1/2LDVM standard.
本ICのLD ForR入力には、信号時間を10ms 以上取って下さい。特に入力信号のチャタリングにはご注意下さい。
また10ms より速い周期のPWM信号の入力は避けて下さい。
The LD F/R input of this IC need the signal time more than 10ms. Especially, note the chattering of the input signal.
Please do not input PWM signal of the cycle that is faster than that of 10ms
REV. B
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3. 送り部 Sled block
1)トルク指令(SLIN)/出力電流検出端子(SLRNF)
Torque command(SLIN)/ Output current detection terminals(SLRNF)
(トルク指令入力 SLIN) 対 (出力電流検出端子 SLRNF)は次のようになります。
The relation between the torque command input (SLIN) and the output current detection terminals
input (SLRNF) is as follow:
SLRNF
入力不感帯+ (Dead zone+)
入力不感帯- (Dead zone-)
VC
SLIN
入出力伝達ゲインgmSL および出力リミット電流ILIMSL は SLRNF(出力電流検出抵抗)により決まります。
The input-output gain (gmSL) and the output-limit current (ILIMSL) depend on the resistance of SLRNF
(output current detection resistor).
下記の表の計算式を参考にして下さい。
Refer to the formula in the following table.
2)ゲイン計算式 Gain formula (Typ.)
Sled
入出力ゲイン
0.35 /SLRNF (A/V)
Input-output gain
出力リミット電流
Output-limit current
3) PWM発振周波数 PWM oscillation frequency
0.45 / SLRNF (A)
The PWM oscillation for driving the spindle is internal oscilating system.
送り部のPWM発振は内部で自走発振しています。発振周波数は 100kHz(Typ.)です。
The oscillating frequency is 100 kHz (Typ.).
3. サーマルシャットダウン Thermal-shutdown
ICを熱破壊から防ぐ為、サーマルシャットダウン(温度保護回路)を内蔵しています。必ずパッケージの許容損失内でご使用いただきたい
のですが、万が一、許容損失を超えた状態で放置されますと、ジャンクション温度が上昇し、175℃(Typ.)でサーマルシャットダウンが動作
します(全てのチャンネルの出力をOFFにします)。
この動作は、TMON(27pin)にてモニターできます。High 出力でサーマルシャットダウン中、Low 出力でサーマルシャットダウン解除中です。
A thermal shutdown circuit (over-temperature protection circuit) is built in to prevent the IC from thermal breakdown. Use the IC under the
power dissipation. If the IC is left running over the power dissipation, the package temperature rises, and the thermal-shutdown circuit works at
the junction temperature of 175℃ (Typ.) (the outputs of all the channels are turned off).
This operation can be detected with TMON(27pin). A thermal shutdown is operating if the High output. A thermal shutdown is no-operating if
the Low output.
TMON 出力
TMON output
L
H
状態
State
T.S.D 解除中(全回路 MUTE OFF)
T.S.D is no-operating.(All circuits MUTE OFF)
T.S.D 中(全回路 MUTE ON)
T.S.D is operating.(All circuits MUTE ON)
REV. B
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4. 各種ミュート Muting functions
1) VCC 降下ミュート VCC-drop muting
VCC(Pin26)電圧が 3.9V(Typ.)以下になると、全てのチャンネルの出力がハイインピーダンスになります。その後、電圧が 4.1V(Typ)
以上になると再び動作します。
When the voltage at VCC terminal (pin 26) drops to a value lower than 3.9V (Typ.), the outputs of all the channels are
turned high-impedance.
When the voltages rise to more then 4.1V (Typ.), the IC starts operating again.
2) VC 降下ミュート VC-drop muting
VC 端子(Pin58)電圧が 0.7V(Typ.)以下になると、BTL 部、送り部の出力がハイインピーダンスになります。VC 端子電圧は 1.0V 以上
に設定して下さい。
When the voltage at VC terminal (pin 58) drop to lower than 0.7V (Typ.) , the outputs of BTL block and Sending block are
turned high-impedance. Set the VC terminal voltage to larger than 1.0V.
5. 地絡保護回路 Protection circuit for GND fault
本ICは、出力ピン-GND間ショート(地絡)による破損を防ぐため、地絡保護回路を内蔵しています。
必ず出力ピンをGNDにショートすることを避けていただきたいのですが、万が一地絡されても、内部回路により電流制限を行い、
IC破損を防ぎます。(アクチュエータ部、ローディング部のみ)
Protection circuit for GND fault is contained to prevent from breaking caused by short between output pin and GND. Make sure
output pin should not short to GND.
However in case GND fault occurs, internal circuit prevents IC from breaking by limiting current.
(Only the actuator block and the loading block)
REV. B
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◎ 使用上の注意 CAUTIONS ON USE
1.バイパスコンデンサ Bypass Capacitor
供給電源間には本ICのピンの直近にバイパスコンデンサ(0.1μF)を接続して下さい。また、パワー電源端子の直近には電源のインピー
ダンスを下げるために容量が大きく、ESRの小さいコンデンサ(10μF~)を付けて下さい。
Connect bypass capacitor (0.1F) close to the IC pin between power supplies. Also, adopting capacitor which is greater capacity and small ESR
close to power supply terminal for reducing impedance.
2.天絡、地絡、出力端子間ショート Supply fault, ground fault, and short-circuit between output terminals.
出力ピン-VCC間ショート(天絡)、出力ピン-GND間ショート(地絡)、及び出力ピン間ショート(負荷ショート)は避けて下さい。
また、ICを基板に装着する際はICの向きには十分ご注意下さい。ICが破損し、場合によっては発煙する恐れがあります。
Short-circuits between output pin-VCC, output pin-GND, or output terminals (load short) must be avoided.
Make sure that the ICs are installed on the board in proper directions. Mounting the ICs in improper directions may damage them or produce smoke.
3.TEST 端子 TEST terminal
TEST 端子は IC 内部でプルダウンされておりますので、オープンもしくは GND とショートしてご使用下さい。
The TEST terminal is pulled down in IC, therefore use it as open or shorted with GND.
4. レギュレータ出力-GND 間に接続するコンデンサは発振防止をかねていますので、温度特性の良いものをご使用下さい。
The capacitor connected between GND and regulator output avoided oscillating, so use the good one of the temperature characteristic.
5.基本的には、IC のサブ電位以下の電圧を端子に印加することは避けてください。
Basically, please avoid impressing the voltage below the sub potential of IC to the terminal.
各ドライバの出力が負荷の逆起電力により、IC のサブ電圧(GND)以下に下がる場合は動作マージン考慮の上ご検討下さい。
Examine it after considering the operation margin when the output of each driver falls as follows sub voltage (GND) of IC by the counter electromotive
force of the load.
6.絶対最大定格について About absolute maximum ratings
印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合、破壊の可能性があります。破壊したショートモードもしくは
オープンモードなど、特定できませんので絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど、物理的な安全対策を
施すようお願い致します。
Exceeding the absolute maximum ratings, such as the applied voltage or the operating temperature range, may cause permanent device damage.
As these cases cannot be limited to the broken short mode or the open mode, if a special mode where the absolute maximum ratings
may be exceeded is assumed, it is recommended to take mechanical safety measures such as attaching fuses.
7.電源ラインについて About power supply lines
モータの逆起電力により回生した電流の戻りが生じるため、回生電流の経路として電源-GND 間にコンデンサを入れるなどの対策をし、
容量値は電解コンデンサには低温での容量ぬけが起こることなど諸特性に問題のないことを十分にご確認のうえ、決定してください。
As a measure against the back current regenerated by a counter electromotive force of the motor, a capacitor to be used as a regenerated-current
path can be installed between the power supply and GND and its capacitance value should be determined after careful check that any problems,
for example, a leak capacitance of the electrolytic capacitor at low temperature, are not found in various characteristics.
8.GND 電位について About GND potential
GND 端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。
The electric potential of the GND terminal must be kept lowest in the circuitry at any operation states.
9.熱設計について About thermal design
実際の使用状態での許容損失(Pd)を考え、十分マージンを持った熱設計を行ってください。
With consideration of the power dissipation (Pd) under conditions of actual use, a thermal design provided with an enough margin should be done.
10.強電界中での動作について About operations in a strong electric field
強電界中のご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。
When used in a strong electric field, note that a malfunction may occur.
11.ASO
本 IC を使用する際には、出力 Tr が絶対最大定格及び ASO を超えないように設定してください。
When using this IC, the output Tr must be set not to exceed the values specified in the absolute maximum ratings and ASO.
REV. B
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12.熱遮断回路 Thermal shutdown circuit (Thermal shutdown: TSD)
本 IC は熱遮断回路(TSD 回路)を内蔵しています。チップ温度が下記の温度になるとモータへのコイル出力をオープン状態にします。
熱遮断回路は、あくまでも熱的暴走から IC を遮断する事を目的とした回路であり、IC の保護及び保証を目的とはしておりません。
よって、この回路を動作させて以降の連続使用及び動作を前提とした使用はしないでください。
This IC built in a thermal shutdown circuit (TSD circuit).
When the chip temperature reaches the value shown below, the coil output to the motor will be set to open.
The thermal shutdown circuit is designed only to shut off the IC from a thermal runaway and not intended to protect or guarantee the entire IC functions.
Therefore, users cannot assume that the TSD circuit once activated can be used continuously in the subsequent operations.
TSD ON 温度[℃](typ.)
TSD ON Temperature [C] (typ.)
ヒステリシス温度[℃](typ.)
Hysteresis Temperature [C] (typ.)
175
25
13.アース配線パターンについて About earth wiring patterns
小信号 GND と大電流 GND がある場合、大電流 GND パターンと小信号 GND パターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による
電圧変化が小信号 GND の電圧を変化させないように、セットの基準点で一点アースすることを推奨します。
外付け部品の GND 配線パターンも変動しないように注意してください。
When a small signal GND and a large current GND are provided, it is recommended that the large current GND pattern and the small signal GND pattern
should be separated and grounded at a single point of the reference point of the set in order to prevent the voltage of the small signal GND from being
affected by a voltage change caused by the resistance of the pattern wiring and the large current.
Make sure that the GND wiring patterns of the external components will not change, too.
14.各入力端子について About each input terminal
本 IC はモノシリック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと P 基盤を有しています。この P 層と各素子の N 層とで
PN 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。IC の構成上、寄生素子は電位関係によって必然的に形成されます。
寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因となり得ます。したがって、入力端子にグランド
(GND;P 基盤)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。
また、IC に電源電圧を印加していない時、入力端子に電圧を印加しないでください。同様に電源電圧を印加している場合にも、各入力端子は
電源電圧以下の電圧もしくは電気的特性の保証値内としてください。
This IC is a monolithic IC which has a P+ isolations and P substrate to isolate elements each other. This P layer and an N layer in each element
form a PN junction to construct various parasitic elements. Due to the IC structure, the parasitic elements are inevitably created by the potential
relationship. Activation of the parasitic elements can cause interference between circuits and may result in a malfunction or, consequently, a fatal
damage. Therefore, make sure that the IC must not be used under conditions that may activate the parasitic elements, for example, applying
the lower voltage than the ground level (GND, P substrate) to the input terminals.
In addition, do not apply the voltage to input terminals without applying the power supply voltage to the IC. Also while applying the power supply
voltage, the voltage of each input terminal must not be over the power supply voltage, or within the guaranteed values in the electric characteristics.
REV. B
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