Cree® EZ700™ 第 II 代 LED 技术数据表 CxxxEZ700-Sxx000-2 Cree 的 EZBright™ LED 是新一代的固态 LED 发射器，它将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料与 Cree 的专有光学设计及器件技术 相结合，为高亮度 LED 提供了卓越的价值。光学设计最大限度提高了光萃取效率，并可实现朗伯辐射场型。另外，这些 LED 可采用 多种方式贴片，除了可使用焊剂共晶法以外，还可使用导电胶，焊膏或预成型焊片等贴片方式。LED 芯片为垂直结构，正向电压低， 其高度约 170 微米。Cree 的 EZ™ 芯片经检验符合光学和电气规格要求。它们能用于广泛的应用场合，比如常规照明，汽车照明及 LCD 背光。 特点 应用 • • EZBright 功率芯片 LED 辐射通量性能 常规照明 −− 最小 240 mW - 450 & 460 nm −− 飞机 −− 最小 200 mW - 470 nm −− 装饰照明 −− 最小 90 mW - 527 nm −− 任务照明 • 朗伯辐射场型 −− 室外照明 • 贴片选择包括导电胶、焊膏或预成型焊片， −− 投射照明 或者焊剂共晶 • 白光 LED • 正向电压低 - 350 mA 时为 3.6 V（典型值） • 人行横道信号 • 单焊线结构 • 背光 • 整个外延面介质钝化 • 汽车 CxxxEZ700-Sxx000-2 芯片示意图 R3DW Rev. B 技术数据表： CP 俯视图 祼芯片横截面 仰视图 EZBright LED 芯片 680 x 680 µm 阴极 (-) 背面 金属化 金焊盘 150 x 150 µm t = 170 µm 阳极 (+)； 3 µm 金锡 介质钝化 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 最大额定值，TA = 25°C 注 1 CxxxEZ700-Sxx000-2 直流正向电流 750 mA 峰值正向电流 1000 mA 注 3 LED 结温 145°C 反向电压 5V 工作温度范围 -40°C 至 +100°C 储存温度范围 -40°C 至 +120°C 典型电气/光学特征，TA = 25°C，If = 350 mA 注 2 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5 V), μA] 半高全宽 (FWHM) (λD, nm) 最小 典型 最大 最大 典型 C450EZ700-Sxx000-2 3.0 3.5 3.9 2 20 C460EZ700-Sxx000-2 3.0 3.5 3.9 2 21 C470EZ700-Sxx000-2 3.0 3.5 3.9 2 22 C527EZ700-Sxx000-2 3.1 3.5 4.0 2 35 CxxxEZ700-Sxx000-2 机械规格 说明 尺寸 公差 P-N 结面积 (μm) 650 x 650 ±35 芯片面积 (μm) 680 x 680 ±35 芯片厚度 (μm) 170 ±25 150 x 150 ±25 顶部金焊盘 (μm) 金焊盘厚度 (μm) 3.0 ±1.5 背接触金属面积 (μm) 680 x 680 ±35 背接触金属厚度 (μm) 3.0 ±1.5 注： 1. 2. 3. 最大额定值取决于封装。上面的额定值使用镀金的 TO39 管壳，在未密封的情况下测定。其他封装的额定值可能不同。应当在特定封装中了解结温的 特性，以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。请参考 Cree EZBright 应用说明了解组装工艺信息。 当组装后的产品在电流为 350 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越 高，效率越低。提供的典型值在制造商对大批量产品所期望的平均范围内，仅供参考。所有测量值使用镀金的 TO39 管壳，在未密封的情况下测定。 光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。 此峰值正向电流规格基于 1/5 周期的 400-ms 脉宽，结温为 65°C 时确定。 版权所有 © 2008-2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，EZBright、EZ 和 EZ700 是 Cree, Inc. 的商标。 2 CPR3DW Rev. B 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxEZ700-Sxx000-2 标准分档 LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxEZ700-Sxx000-2) 订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxEZ700-0xxx-2) 交付。此处显示和规定的所有辐射通量和主波长值是在 If = 350 mA 条件下测定的。辐射通量值使用镀金的 TO39 管壳，在未密封的情况下测定。 辐射通量 C450EZ700-S24000-2 C450EZ700-0313-2 C450EZ700-0314-2 C450EZ700-0315-2 C450EZ700-0316-2 C450EZ700-0309-2 C450EZ700-0310-2 C450EZ700-0311-2 C450EZ700-0312-2 C450EZ700-0305-2 C450EZ700-0306-2 C450EZ700-0307-2 C450EZ700-0308-2 310 mW 280 mW 240 mW 445 nm 447.5 nm 450 nm 主波长 452.5 nm 455 nm 辐射通量 C460EZ700-S24000-2 C460EZ700-0313-2 C460EZ700-0314-2 C460EZ700-0315-2 C460EZ700-0316-2 C460EZ700-0309-2 C460EZ700-0310-2 C460EZ700-0311-2 C460EZ700-0312-2 C460EZ700-0305-2 C460EZ700-0306-2 C460EZ700-0307-2 C460EZ700-0308-2 310 mW 280 mW 240 mW 455 nm 457.5 nm 460 nm 主波长 462.5 nm 465 nm 辐射通量 C470EZ700-S20000-2 C470EZ700-0309-2 C470EZ700-0310-2 C470EZ700-0311-2 C470EZ700-0312-2 C470EZ700-0305-2 C470EZ700-0306-2 C470EZ700-0307-2 C470EZ700-0308-2 C470EZ700-0301-2 C470EZ700-0302-2 C470EZ700-0303-2 C470EZ700-0304-2 280 mW 240 mW 200 mW 465 nm 467.5 nm 470 nm 主波长 472.5 nm 475 nm C527EZ700-Sxx00-2 C527EZ700-0210-2 C527EZ700-0211-2 C527EZ700-0212-2 C527EZ700-0207-2 C527EZ700-0208-2 C527EZ700-0209-2 C527EZ700-0204-2 C527EZ700-0205-2 C527EZ700-0206-2 C527EZ700-0201-2 C527EZ700-0202-2 C527EZ700-0203-2 辐射通量 150 mW 130 mW 110 mW 90 mW 520 nm 525 nm 530 nm 535 nm 主波长 版权所有 © 2008-2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，EZBright、EZ 和 EZ700 是 Cree, Inc. 的商标。 3 CPR3DW Rev. B 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 特征曲线 这些是 EZBright 功率芯片 LED 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。 Dominant Wavelength Shift vs. Junction Temperature Voltage Shift vs. Junction Temperature Forward Current vs. Forward Voltage 500 Voltage Shift(nm) (V) DW Shift If (mA) 400 300 200 100 0 0 1 2 3 4 5 6 0.100 5 0.000 4 -0.100 3 2 -0.200 1 -0.300 0 -0.400 -1 -0.500 -2 -0.600 25 25 50 50 Vf (V) 110% 175% 105% 150% 100% 125% 100% 75% 50% 25% 0% 95% 90% 85% 80% 75% 70% 0 65% 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 25 50 If (mA) 5 8 4 DW Shift (nm) DW DW Shift Shift (nm) (nm) 6 12 0 -4 -8 100 125 150 Dominant Wavelength Shift vs. Junction Temperature 16 4 75 Junction Temperature (°C) Wavelength Shift vs. Forward Current -12 -16 150 150 Relative Light Intensity vs. Junction Temperature 200% Relative Intensity Relative Relative Intensity Intensity Relative Intensity vs. Forward Current 75 100 125 75 100 125 Junction Temperature (°C) Junction Temperature (°C) 3 2 1 0 -1 0 -2 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750 25 If (mA) 50 75 100 125 150 Junction Temperature (°C) Relative Light Intensity vs. Junction Temperature 110% Relative Intensity 105% 100% 95% 版权所有 © 2008-2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，EZBright、EZ 和 90% EZ700 是 Cree, Inc. 的商标。 4 CPR3DW Rev. B 85% 80% 75% 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 辐射场型 这是 EZBright 功率芯片 LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。 版权所有 © 2008-2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，EZBright、EZ 和 EZ700 是 Cree, Inc. 的商标。 5 CPR3DW Rev. B 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]