直接贴装DA2432™ LED CxxxDA2432-Sxxx00-2 数据表 Cree的DA2432直接贴装LED是下一代固态LED发射器,将高效氮化铟镓材料与Cree的专有设备技术和碳化硅基底结合在一起, 为电视背光和普通照明市场带来了非凡的价值。DA2432 LED是顶部发光市场最亮的LED之一,同时提供较低的正向电压,因此成 为高亮度、高效的解决方案。其接合焊盘朝下设计允许进行共晶芯片粘接,因而无需使用线焊,同时,热量管理的改进带来了卓越的 性能。该设计非常适合行业标准的顶部发光封装。 特点 • 应用 • 矩形LED射频性能 – 450和460 nm – 33 mW min – 大型液晶显示屏背光 – 电视机 470 – 30 mW min • 普通照明 • 高可靠性 - 共晶芯片粘接 • 中型液晶显示屏背光 • 正向电压 (Vf) 低 – 20 mA时典型值为3.1 V – 便携式个人电脑 • 最大正向直流电流 – 100 mA – 显示器 • 1000-V ESD额定阈值 • LED视频显示器 • 氮化铟镓结点朝下设计, • 白光LED 改进了热量管理 • 无需线焊 • 出色的温度性能 CxxxDA2432-Sxxx00-2芯片图 阳极 (+) 170 x 60 μm 240 x 320 μm 数据表:CPR3F M Rev - 间隙60 μm 厚度 140 μm 俯视图 阴极 (-) 145 x 105 μm 侧视图 若有更改,恕不另行通知。 www.cree.com 仰视图 1 CxxxDA2432-Sxxx00-2 TA = 25°C时的最大额定值注1、3和4 正向直流电流 100 mA 正向峰值电流 (1/10暂载率,1 kHz 时) 150 mA LED结温 150°C 反向电压 5V -40°C到+100°C 工作温度范围 -40°C到+100°C 储存温度范围 静电放电阈值 (HBM) 1000 V 注2 静电放电分类 (MIL-STD-883E) 2类 注2 TA = 25°C、If = 20 mA时的典型电气/光学特性注3 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5V), μA] 半峰全宽 (λD, nm) 最小值 典型值 最大值 最大值 典型值 C450DA2432-Sxxx00-2 2.8 3.1 3.4 2 20 C460DA2432-Sxxx00-2 2.8 3.1 3.4 2 21 C470DA2432-Sxxx00-2 2.8 3.1 3.4 2 21 CxxxDA2432-Sxxx00-2 机械规格 描述 尺寸 公差 P-N结点面积 (μm) 210 x 280 ±35 芯片底部面积 (μm) 240 x 320 ±35 芯片顶部面积 (μm) 110 x 190 ±35 140 ±15 60 ±15 芯片厚度 (μm) 焊盘宽度 – 阳极 (um) 焊盘长度 – 阳极 (um) 170 ±35 焊盘宽度 – 阴极 (um) 105 ±35 焊盘长度 – 阴极 (um) 145 ±35 焊盘间隙 (um) 60 ±15 焊盘厚度 (um) 3 ±0.5 注: 1. 160 最大额定值取决于具体的封装。上述额定值采用MCPCB上的子镶嵌芯片(硅酮 树脂封装和光通量共晶芯片粘接)来确定,用于反映其特性。其他封装的额定 140 值可能不同。应描述具体封装中的结温特性,以确定极限。组装加工温度不得 2. 根据HBM,产品防静电性能是通过快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟静电释放 (ESD) 来测量的。RAET程序旨在大致反映所示的最大ESD额定值。 3. 在上面所示的最大额定值内以50 mA组装和工作时,所有产品均符合所列电气 及光学特性方面的最小和最大规格要求。电流增大时光效下降。所给出的典型 120 最大正向电流 (mA) 超过325°C (< 5秒) 。 100 80 Rth j-a = 10 Rth j-a = 20 Rth j-a = 30 Rth j-a = 40 60 40 值在制造商对大量产品预计的平均值范围内,此数据仅供参考。所有尺寸均取 自通孔封装(采用Hysol OS4000密封剂和光通量共晶芯片粘接)。光学特性 是在采用照度E的积分球中测量的。 4. 最大正向电流由LED结点与环境之间的热阻决定。最终产品的设计务必要尽量 20 0 50 75 减小LED结点到环境的热阻,以优化产品性能。 版权所有© 2011 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标, DA和DA2432是Cree, Inc.的商标。 2 CPR3FM Rev - ºC/W ºC/W ºC/W ºC/W 100 125 150 175 环境温度 (ºC) Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话:+1.919.313.5300 www.cree.com CxxxDA2432-Sxxx00-2的标准分档 LED芯片分类为辐射通量和主波长分档,如图所示。分类晶粒表只包含一个分档的晶粒。订购分类晶粒套件 (CxxxDA2432-Sxxxxx-2) 时可附带订购该套件中包含的任何或所有分档 (CxxxDA2432-xxxxx-2) 。下表中列出和指定的所有辐射通量和主波长均指If = 20 mA 时的值。 辐射通量 (mW) C450DA2432-S3300-2 C450DA2432-0713-2 C450DA2432-0714-2 C450DA2432-0715-2 C450DA2432-0716-2 C450DA2432-0709-2 C450DA2432-0710-2 C450DA2432-0711-2 C450DA2432-0712-2 C450DA2432-0705-2 C450DA2432-0706-2 C450DA2432-0707-2 C450DA2432-0708-2 40 36 33 445 447.5 450 452.5 455 主波长 (nm) 辐射通量 (mW) C460DA2432-S3300 C460DA2432-0713-2 C460DA2432-0714-2 C460DA2432-0715-2 C460DA2432-0716-2 C460DA2432-0709-2 C460DA2432-0710-2 C460DA2432-0711-2 C460DA2432-0712-2 C460DA2432-0705-2 C460DA2432-0706-2 C460DA2432-0707-2 C460DA2432-0708-2 40 36 33 455 457.5 460 462.5 465 主波长 (nm) 辐射通量 (mW) C470DA2432-S3000-2 C470DA2432-0713-2 C470DA2432-0714-2 C470DA2432-0715-2 C470DA2432-0716-2 C470DA2432-0709-2 C470DA2432-0710-2 C470DA2432-0711-2 C470DA2432-0712-2 C470DA2432-0705-2 C470DA2432-0706-2 C470DA2432-0707-2 C470DA2432-0708-2 C470DA2432-0701-2 C470DA2432-0702-2 C470DA2432-0703-2 C470DA2432-0704-2 40 36 33 30 465 467.5 470 472.5 475 主波长 (nm) 版权所有© 2011 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标, DA和DA2432是Cree, Inc.的商标。 3 CPR3FM Rev - Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话:+1.919.313.5300 www.cree.com 特性曲线 以下为本DA LED产品的代表性测量结果。各种辐射通量和主波长分档的实际曲线略有不同。 正向电流与正向电压 正向电流与正向电压 正向电流与正向电压 150 150 150 IfIfIf(mA) (mA) (mA) 100 100 100 75 75 75 50 50 50 25 25 25 222 333 444 11 100 100 100 If IfIf(mA) (mA) (mA) 主波长位移 主波长位移 主波长位移(nm) (nm) 125 125 125 000 50 -2 -2 0 0 00 00 00 55 0 25 25 50 50 2 22 75 75 75 3 33 100 100 100 125 125 4125 44 150 150 150 5 55 5 Relative相对光强与波长 Intensity vs. Wavelength Wavelength Relative Intensity Intensity vs. vs. Wavelength 100 100 100 100 500% 500% 500% 80 80 80 80 Relative Intensity Relative Intensity 相对光强 Relative Intensity 400% 400% 400% 300% 300% 300% 200% 200% 200% 60 60 60 60 40 40 40 40 20 20 20 20 100% 100% 100% 0 00 25 25 25 50 50 50 75 75 75 100 100 100 125 125 125 150 150 150 0 0 00 350 350 350 350 If (mA) (mA) IfIf (mA) 版权所有© 2011 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标, DA和DA2432是Cree, Inc.的商标。 4 111 Vf (V) (mA) Vf Vf (V) IfIf (mA) Vf (V) (V) (mA) 相对光强与正向电流 相对光强与正向电流 相对光强与正向电流 600% 600% 600% 0% 0% 0% 00 50 -150 -1 Vf(V) (V) Vf (V) Vf 相对光强 相对光强 相对光强 波长位移与正向电流 Forward Current Current vs. Forward Forward Voltage Voltage 波长位移与正向电流 波长位移与正向电流 Forward vs. vs. Forward Voltage 2 150 2150 150 CPR3FM Rev - 400 400 400 400 450 450 450 450 500 500 500 500 550 550 550 550 600 600 600 600 Wavelength (nm) (nm) Wavelength 波长 (nm) Wavelength (nm) Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话:+1.919.313.5300 www.cree.com 辐射方向图 以下为DA LED产品的代表性辐射方向图。每种芯片的实际辐射方向图略有不同。 径向 Theta /° 版权所有© 2011 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标, DA和DA2432是Cree, Inc.的商标。 5 CPR3FM Rev - Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 美国电话:+1.919.313.5300 www.cree.com