SAMWIN SW8800 绿色电源 离线式开关电源控制器 主要特性 满足85v到265v宽AC输入范围 电磁炉电源板 单芯片集成730v功率MOSFET 空调电源板 内部集成高压电流源能够自启动 AC/DC LED驱动 电流反馈PWM控制 10v－39v宽VCC工作电压范围 固定55KHz开关频率 轻负载时自动调节开关周期. 内部集成了过温，过压，过流保护功能 内部集成欠压锁定功能 封装形式 Type SOP8 DIP8 European (195-265 Vac) 8W 13W US (85-265 Vac) 5W 8W 应用领域 充电器 典型应用电路 中国·深圳市天安数码时代广场Ａ座２００５ 电话：+86(７５５)8３９８１８１８ 网址：http://www.ｓａｍｗｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍ 1- SAMWIN SW8800 引脚封装图 引脚定义 管脚标号 管脚名 管脚功能描述 1,2 GND 3 COMP 4 VCC 内部控制电路电源，连接到变压器的辅助线圈上。在芯片启动时由芯片内 部电路供电，当芯片正常工作时，由变压器供电。 5,6,7,8 SW 功率管的漏极，能够直接连接在变压器的初级线圈上，最高的开关电压可 以达到 700V。 功率管的源极，同时是内部控制电路的公共地。 反馈输入脚 内部框图 中国·深圳市天安数码时代广场Ａ座２００５ 电话：+86(７５５)8３９８１８１８ 网址：http://www.ｓａｍｗｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍ 2- SAMWIN SW8800 绝对最大值 (环境温度Ta=25°C,特殊情况另行说明) 符号 参数 数值 单位 VSW SW端最高电压 -0.3 ... 730 V ID 功率管电流 Internally limited A VCC VCC电源电压 0...50 V ICOMP 反馈电流 3 mA VESDMM 机械模式ESD电压 (R=0Ω; C=200pF) 200 V VESDHBM 人体模式ESD电压 2000 V Tj 结温 Internally limited °C Tc 工作温度 -40 to 150 °C Tstg 存储温度 -55 to 150 °C 电气特性 （功率部分） (环境温度Ta=25°C,VCC=18V,特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 BVDSS 开关管最大耐压 IDSS 最小 典型 最大 单位 ID=1mA; VCOMP=2V 730 V 开关管关态漏电流 Vsw=500V; VCOMP=2V; 100 μA RDSON 开关管导通电阻 VGS=10V ID=0.4A; 27 30 Ω Tr 开关管上升时间 ID=0.1A; VIN=300V 50 Tf 开关管下降时间 ID=0.2A; VIN=300V 100 COSS 开关管输出电容 Vsw=25V 40 ns pF 电气特性 （控制部分） (环境温度Ta=25°C,VCC=18V,特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小. 典型 最大 单位 VCC工作电压 VSTART 欠压保护上限 VCOMP=0V 14 15.5 17 V VSTOP 欠压保护下限 VCOMP=0V 8 9 10 V VHYS 欠压保护滞回 5.8 6.5 7.2 V 48 55 62 kHz ±10 % 振荡频率 FOSC 工作频率 VSTOP≤VCC≤35V; 0≤Tj≤ 100°C ΔF/ΔT 频率温度变化率 -25°C ≤ Tj ≤ +85°C ±5 COMP脚关断电流 Tj=25°C, 0.9 反馈回路 ICOMP 中国·深圳市天安数码时代广场Ａ座２００５ 电话：+86(７５５)8３９８１８１８ 网址：http://www.ｓａｍｗｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍ mA 3- SAMWIN SW8800 VCOMP = 0V RCOMP COMP脚输入阻抗 ID=0mA 1.4 kΩ 限流 GID 电流采样比例 ILIM 电流限制峰值 Tj = 25°C TD 开关管关闭瞬间电流采样延迟时间 ID=0.2A TB TONMIN 320 0.48 A 200 ns 前沿消隐时间 500 ns 最小开通时间 700 ns - °C 0.32 0.40 保护功能 TSD 温度保护温度阈值 THYST 温度保护滞回 VOVP 过压保护阈值 140 170 °C 40 39 43 47 V 工作电流 启动电流 Vsw=100V; VCC=0V ICHOFF 过温保护状态下启动电流 VCC=5V; Vsw=100V Tj > TSD IOP0 开关管开关状态下控制电路部分工 作电流 VCOMP = 0V 4 IOP1 开关管关闭状态下控制电路部分工 作电流 VCOMP = 2V 2.6 ICH -1 mA 0.2 mA mA 5 mA 功能描述 反馈回路 启动 SW8800P 采样的是电流工作模式而不是传统 PWM 控制芯片所使用的电压模式，芯片的 COMP 脚采样功率管的漏极电流，采样通过一个和功率管 并联的采样 MOSFET 来实现，因此采样电阻 R2 得 到的是功率管的比例电流， 同时 R2 还采样从 COMP 脚过来的外部反馈电流， R2 上的电压与内部基准 进行比较，当 R2 上采样电压大于基准时，过流保 护电路开始工作，功率管关闭。 SW8800P 内部集成一个由功率管漏极提供电流的高 压电流源。在芯片尚未进入正常工作状态时，该电 流源给芯片 VCC 脚外接电容充电，VCC 电压上升， 当 VCC 上升到 15.5V（典型值）时，芯片正常工作， 此时 VCC 由辅助线圈提供能量，内部高压电流源关 闭。 图 1 启动电路 图 2 反馈回路 中国·深圳市天安数码时代广场Ａ座２００５ 电话：+86(７５５)8３９８１８１８ 网址：http://www.ｓａｍｗｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍ 4- SW8800 SAMWIN 前沿消隐 温度保护 在功率管开通的瞬间，由于初级的寄生电容和次级 的反向返回电压的影响，功率管会流过一个大电流 尖峰，如果采样 MOSFET 采样到该信号，芯片会过 入过流保护状态，从而导致功率管无法正好开启， 为了屏蔽掉该电流尖峰，过流保护电路在功率管开 通一段时间（典型值 500ns）后才开始工作。 采样 MOSFET 和控制电路在同一个硅片上，能 保证温度采样电路更准确的采样功率管的温度信 号，从而更及时的对功率管进行保护。当芯片结温 超过 170℃时（典型值） ，芯片进入过温保护状态， 在结温回到 140℃（典型值）时，芯片重新开始工 作，温度保护存在滞回，保证芯片不会出现热振荡 现象。 欠压锁定 当由于异常情况导致功率管被关闭后，采样 MOSFET 也处于关闭状态，VCC 脚电压由于辅助线 圈没有提供能量将会一直下降，当 VCC 电压下降到 欠压锁定电路的下限值（典型值（9V）时，欠压锁 定电路被复位，内部高压电流源重新开始给 VCC 提 供能量，当 VCC 电压上升到欠压锁定电路的上限 （典型值 15.5V）时，芯片开始正常工作，功率管 正常开启和关闭。通过这种控制方法，芯片在异常 情况消除后能自动重启动。 过压保护 当变压器次级输出出现失效或者反馈回路由于焊接 出现等问题出现的开路等问题而导致进入 COMP 脚 的电流几乎为零时，芯片会增大功率管导通时间， 从而使得次级输出能量超过设计限度，烧毁次级回 路的外围元件。由于次级线圈和辅助线圈是同向的， 因此次级输出增加会导致辅助线圈能量的增加，在 这种情况下，过压保护电路检测 VCC 脚的电压，当 VCC 电压大于 43V（典型值），芯片进入过压保护 状态，功率管关闭。 参考电路 中国·深圳市天安数码时代广场Ａ座２００５ 电话：+86(７５５)8３９８１８１８ 网址：http://www.ｓａｍｗｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍ 5- SAMWIN SW8800 封装（DIP8） Size Size Min(mm) Max(min) symbol Min(mm) Max(min) symbol A 9.30 A1 1.524 A2 0.39 A3 9.50 C2 0.50 C3 3.3 C4 1.57TYP 2.54 D 8.2 8.8 A4 0.66TYP D1 0.2 0.35 A5 0.99TYP D2 7.62 7.87 B 6.3 Θ1 8ºTYP C 7.2 Θ2 8ºTYP C1 3.3 Θ3 5ºTYP 0.53 6.5 3.5 中国·深圳市天安数码时代广场Ａ座２００５ 电话：+86(７５５)8３９８１８１８ 网址：http://www.ｓａｍｗｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍ 6-