5010_nc0015d

SM5010 series
水晶発振モジュール用 IC
■概要
SM5010 series は水晶発振モジュール用 IC です。発振回路と出力バッファにより構成され、周波数特性の優れ
た発振容量と帰還抵抗を内蔵していますので、外付け部品をつけることなく、安定した水晶発振を実現します。
目的・用途に合わせて最適化できるよう 7 種類の発振部構成を用意しています。
■特長
• 7 種類の発振部構成
< 基本波発振用 >
− 5010A××：周波数変動が少ないシンプルな構成
− 5010B×× ：RD 内蔵発振回路による低水晶電流
タイプ
− 5010CL×：発振停止機能内蔵
− 5010DN×：発振容量 (CG, C D) 外付けタイプ
− 5010EA×：低消費電流タイプ
<3 倍波発振用 >
− 5010F×× ：3 倍波用、円板型水晶に最適
− 5010H××：帰還抵抗外付けタイプ、外付け Rf に
よりカットオフ周波数を任意に設定
• 動作電源電圧：2.7 ∼ 5.5V
• 発振容量：CG, CD 内蔵
• インバータアンプ部帰還抵抗内蔵
• 出力レベル
− TTL レベル ：AK×, BK×, HK×
− CMOS レベル：AN×, AH×, BN×, BH×, CL×, DN×,
EA×, FN×, FH×, HN×
• 出力周波数
fo ( 発振周波数 ), fo/2, fo/4, fo/8, fo/16 は内部結線
によって一波のみが出力される
• スタンバイ機能
• プルアップ抵抗内蔵
• 8 ピン SOP (SM5010×××S)
• チップフォーム (CF5010×××)
■シリーズ構成
●基本波発振用
バージョン名1
CF5010AN1
CF5010AN2
CF5010AN3
CF5010AN4
CF5010AK1
CF5010AH1
CF5010AH2
CF5010AH3
CF5010AH4
CF5010BN1
CF5010BN2
CF5010BN3
CF5010BN4
CF5010BN5
CF5010BK1
CF5010BH1
CF5010BH2
CF5010BH3
CF5010BH4
CF5010CL1
CF5010CL2
CF5010CL3
CF5010CL4
CF5010CL5
CF5010DN1
CF5010EA1
CF5010EA2
動作電源電圧
範囲
[V]
内蔵容量 [pF]
CG
CD
RD
[Ω]]
出力電流
(VDD = 5V)
[mA]
出力 DUTY
レベル
出力
周波数
CMOS
fo
fo/2
fo/4
fo/8
fo
fo
fo/2
fo/4
fo/8
fo
fo/2
fo/4
fo/8
fo/16
fo
fo
fo/2
fo/4
fo/8
fo
fo/2
fo/4
fo/8
fo/16
fo
fo
fo/2
2.7 ∼ 5.5
29
29
−
16
4.5 ∼ 5.5
29
29
−
16
TTL
2.7 ∼ 5.5
29
29
−
4
CMOS
CMOS/TTL
CMOS
2.7 ∼ 5.5
22
22
820
16
4.5 ∼ 5.5
22
22
820
16
TTL
2.7 ∼ 5.5
22
22
820
4
CMOS
2.7 ∼ 5.5
18
18
−
16
CMOS
2.7 ∼ 5.5
−
−
820
16
CMOS
2.7 ∼ 5.5
10
15
820
4
CMOS
CMOS/TTL
INHN 入力
レベル
(V DD = 5V)
スタンバイモード
発振停止
出力状態
機能
TTL
無
Hi-Z
TTL
無
Hi-Z
TTL
無
Hi-Z
TTL
無
Hi-Z
TTL
無
Hi-Z
TTL
無
Hi-Z
CMOS
有
Hi-Z
TTL
無
Hi-Z
TTL
有
Low
1. パッケージの場合、SM5010×××S となります。
SEIKO NPC CORPORATION —1
SM5010 series
■シリーズ構成
● 3 倍波発振用
内蔵容量 [pF]
CG
CD
帰還抵抗 Rf
[k Ω]]
13
15
4.2
11
17
3.1
13
17
2.2
8
15
2.2
CF5010FHA
13
15
4.2
CF5010FHC
11
17
3.1
13
17
2.2
8
15
2.2
1
バージョン名
動作電源
電圧範囲 [V]
gm 比
CF5010FNA
CF5010FNC
2.7 ∼ 5.5
CF5010FND
CF5010FNE
1.00
4.5 ∼ 5.5
4.5 ∼ 5.5
CF5010FHD
1.00
CF5010FHE
出力電流
(V DD = 5V)
[mA]
出力 DUTY
レベル
16
CMOS
4
CMOS
CF5010HN1
4.5 ∼ 5.5
1.17
13
17
200
16
CMOS
CF5010HK1
4.5 ∼ 5.5
1.17
13
17
200
16
TTL
1. パッケージの場合、SM5010×××S となります。
■オーダーインフォメーション
Device
Package
SM5010 ×××S
8 pin SOP
CF5010×××−1
Chip form
■外形寸法図
(Unit：mm)
• 8 pin SOP
0.4 0.2
6.2 0.3
4.4 0.2
0.15 + 0.1
− 0.05
0.695typ
1.5
0.1
0.05 0.05
5.2 0.3
1.27
0 to 10
0.10
0.4 0.1
0.12 M
SEIKO NPC CORPORATION —2
SM5010 series
■パッド配置図
■ピン配置図
(Unit：µm)
(Top view)
VDD
Y
Q
(920,1180)
HA5010
INHN
1
8
VDD
XT
2
7
NC
XTN
3
6
NC
VSS
4
5
Q
(0,0) INHN XT XTN VSS
X
チップサイズ ：0.92 × 1.18mm
チップ厚
：300 ± 30 µm
チップ裏面 ：V DD レベル
■端子説明・パッド座標
端子
i/o
名称
INHN
i
出力状態制御入力端子
XT
i
アンプ入力端子
XTN
o
アンプ出力端子
VSS
−
( − ) 電源端子
Q
o
出力端子
VDD
−
( + ) 電源端子
パッド座標 (Unit ：µm
m)
説明
"L" でスタンバイ状態、
プルアップ抵抗内蔵。
さらに、
5010CL × の場合は、スタンバイ 時の
消費 電 流 を 低 減で き る パ ワ ーセ ー ブ プ ル
アップ抵抗内蔵
水晶振動子接続端子
XT, XTN の間に水晶振動子を接続
内部結線によって fo, fo/2, fo/4, fo/8, fo/16 の
中から一波を出力
X
Y
195
174.4
385
174.4
575
174.4
765
174.4
757.6
1017.6
165.4
1014.6
SEIKO NPC CORPORATION —3
SM5010 series
■ブロックダイアグラム
●基本波発振用
○ 5010A××, B××, CL×, DN×, EA× series
VDD VSS
XTN
CG
Rf
CD
RD
XT
1/2
1/2
1/2
1/2
Q
INHN
● 3 倍波発振用
○ 5010F××, H ×× series
VDD VSS
XTN
CG
XT
Rf
CD
Q
INHN
SEIKO NPC CORPORATION —4
SM5010 series
■機能説明
●スタンバイ機能
○ 5010AH×, AK×, AN×, BH×, BK×, BN ×, DN×, FN×, FH×, HN×, HK× series
INHN 端子を Low レベルにすることで、Q 端子がハイ・インピーダンスとなります。
発振部は停止しません。
○ 5010CL× series
INHN 端子を Low レベルにすることで、発振部が停止し、Q 端子がハイ･インピーダンスになります。
○ 5010EA× series
INHN 端子を Low レベルにすることで、発振部が停止し、Q 端子が Low になります。
バージョン
INHN
Q
発振部
AH ×, AK ×, AN×, BH×,
BK ×, BN×, DN×, FN×,
FH ×, HN×, HK× series
High (open)
fo, fo/2, fo/4, fo/8, fo/16 の何れか一つ
動作
Low
Hi − Z
動作
High (open)
fo, fo/2, fo/4, fo/8, fo/16 の何れか一つ
動作
Low
Hi − Z
停止
High (open)
fo, fo/2 の何れか一つ
動作
Low
Low
停止
CL × series
EA × series
●パワーセーブプルアップ抵抗 (CL series のみ )
INHN 端子のプルアップ抵抗値は入力レベル ("H" or "L") に応じて変化します。
INHN 端子を LOW レベルにし、スタンバイ状態になった時、プルアップ抵抗値が大きくなり、消費電流
を小さくすることが可能です。
SEIKO NPC CORPORATION —5
SM5010 series
■絶対最大定格
VSS = 0V
項目
記号
電源電圧範囲
定格
単位
V DD
− 0.5 ∼ + 7.0
V
入力電圧範囲
VIN
− 0.5 ∼ VDD + 0.5
V
出力電圧範囲
V OUT
− 0.5 ∼ VDD + 0.5
V
動作温度範囲
T opr
− 40 ∼ + 85
°C
保存温度範囲
T STG
IOUT
出力電流
PD
消費電力
条件
チップフォーム
− 65 ∼ + 150
8 ピン SOP
− 55 ∼ + 125
°C
AH ×, BH ×, FH×, EA×
10
AN ×, AK ×, BN×, BK×, CL×,
DN ×, FN ×, HN×, HK×
25
8 ピン SOP
500
mW
規格
単位
mA
■推奨動作条件
● 3V 動作
VSS = 0V
項目
記号
バージョン
条件
動作電源電圧
VDD
全バージョン
共通
2.7 ∼ 3.6
V
入力電圧
V IN
全バージョン
共通
V SS ∼ V DD
V
5010AN×
5010AH×
− 10 ∼ + 70
5010BN×
動作温度
T OPR
5010BH×
5010CL×
− 20 ∼ + 80
°C
5010DN1
5010EA ×
− 10 ∼ + 70
5010FN×
動作周波数
f
5010AN×
2 ∼ 30
5010AH×
2 ∼ 16
5010BN×
2 ∼ 30
5010BH×
5010CL×
5010DN1
CL ≤ 15pF
2 ∼ 16
MHz
2 ∼ 30
5010EA ×
5010FN×
22 ∼ 40
SEIKO NPC CORPORATION —6
SM5010 series
● 5V 動作
VSS = 0V
項目
記号
バージョン
動作電源電圧
VDD
入力電圧
V IN
条件
規格
単位
全バージョン
共通
4.5 ∼ 5.5
V
全バージョン
共通
V SS ∼ V DD
V
5010AN×
5010AK×
5010AH×
5010BN×
− 40 ∼ + 85
5010BK×
5010BH×
5010CL×
動作温度
T OPR
5010DN1
5010EA ×
5010FN×
5010FH×
CL ≤ 15pF, f = 2 ∼ 40MHz
− 10 ∼ + 70
CL ≤ 50pF, 30MHz ≤ f ≤ 50MHz
− 20 ∼ + 80
CL ≤ 15pF, 50MHz ≤ f ≤ 70MHz
− 15 ∼ + 75
CL ≤ 15pF, 30MHz ≤ f ≤ 50MHz
− 20 ∼ + 80
CL ≤ 15pF, 50MHz ≤ f ≤ 60MHz
− 15 ∼ + 75
5010HN1
− 40 ∼ + 85
5010HK1
5010AN×
5010AK×
5010AH×
5010BN×
5010BK×
5010BH×
5010CL×
動作周波数
f
5010DN1
5010EA ×
5010FN×
5010FH×
°C
CL ≤ 15pF, f = 2 ∼ 30MHz
CL ≤ 50pF
CL ≤ 15pF
CL ≤ 50pF
2 ∼ 30
CL ≤ 15pF
CL ≤ 50pF
MHz
CL ≤ 15pF, Ta = − 40 ∼ + 85°C
2 ∼ 40
CL ≤ 50pF, Ta = − 20 ∼ + 80°C
30 ∼ 50
CL ≤ 15pF, Ta = − 15 ∼ + 75°C
50 ∼ 70
CL ≤ 15pF, Ta = − 20 ∼ + 80°C
30 ∼ 50
CL ≤ 15pF, Ta = − 15 ∼ + 75°C
50 ∼ 60
5010HN1
CL ≤ 50pF
5010HK1
CL ≤ 15pF
22 ∼ 50
SEIKO NPC CORPORATION —7
SM5010 series
■電気的特性
● 5010AN×, BN×, DN × series (3V 動作 )
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 2.7V, IOH = 8mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 2.7V, IOL = 8mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
IZ
IDD
消費電流
MIN
規格
TYP
2.1
2.4
0.3
MAX
V
0.4
2.0
V
V
0.5
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 3.6V 時
単位
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010×N1
5
10
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 15pF,
5010×N2
3.5
7
5010×N3
2.5
5
f = 30MHz
5010×N4
2
4
5010×N5
2
4
V
µA
mA
RUP2
測定回路 4
40
100
250
kΩ
帰還抵抗
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
発振部アンプ出力抵抗
RD
設計値
5010B××
690
820
940
Ω
5010A××
26
29
32
20
22
24
26
29
32
20
22
24
MIN
規格
TYP
MAX
3.9
4.2
INHN 端子 PULL UP 抵抗
CG
内蔵容量
CD
設計値 ( ウェハ ー内モニ ターパ 5010B××
ターンにて保証。本パターン全数
5010A××
測定はしておりません。)
5010B××
pF
● 5010AN×, AK×, BN×, BK×, DN× series (5V 動作 )
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 16mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 16mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
消費電流
IZ
IDD
0.3
V
0.4
2.0
V
V
0.8
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 5.5V 時
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010×N1
15
30
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 50pF,
5010×N2
9
18
5010×N3
6
12
f = 30MHz
5010×N4
5
10
5010×N5
5
10
5010×K1
10
20
測定回路 3, 負荷回路 2,
INHN = OPEN, C L = 15pF,
単位
V
µA
mA
f = 30MHz
RUP2
測定回路 4
40
100
250
kΩ
帰還抵抗
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
発振部アンプ出力抵抗
RD
設計値
5010B××
690
820
940
Ω
5010A××
設計値 ( ウェハ ー内モニ ターパ 5010B××
ターンにて保証。本パターン全数
5010A××
測定はしておりません。)
5010B××
26
29
32
20
22
24
26
29
32
20
22
24
INHN 端子 PULL UP 抵抗
CG
内蔵容量
CD
pF
SEIKO NPC CORPORATION —8
SM5010 series
● 5010AH×, BH× series
○ 3V 動作
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 2.7V, IOH = 2mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 2.7V, IOL = 2mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
IZ
IDD
消費電流
MIN
TYP
2.1
2.4
0.3
MAX
V
0.5
2.0
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 15pF,
f = 16MHz
V
V
0.5
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 3.6V 時
単位
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010×H1
3
6
5010×H2
2
4
5010×H3
1.5
3
5010×H4
1.5
2.5
V
µA
mA
RUP2
測定回路 4
40
100
250
kΩ
帰還抵抗
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
発振部アンプ出力抵抗
RD
設計値
5010B××
690
820
940
Ω
5010A××
26
29
32
設計値 ( ウェハ ー内モニ ターパ 5010B××
ターンにて保証。本パターン全数
5010A××
測定はしておりません。)
5010B××
20
22
24
26
29
32
20
22
24
INHN 端子 PULL UP 抵抗
CG
内蔵容量
CD
pF
○ 5V 動作
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 4mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 4mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
消費電流
IZ
IDD
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 5.5V 時
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 15pF,
f = 30MHz
MIN
TYP
3.9
4.2
0.3
MAX
単位
V
0.5
2.0
V
V
0.8
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010×H1
9
18
5010×H2
6
12
5010×H3
5
10
5010×H4
4
8
V
µA
mA
RUP2
測定回路 4
40
100
250
kΩ
帰還抵抗
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
発振部アンプ出力抵抗
RD
設計値
5010B××
690
820
940
Ω
5010A××
26
29
32
設計値 ( ウェハ ー内モニ ターパ 5010B××
ターンにて保証。本パターン全数
5010A××
測定はしておりません。
）
5010B××
20
22
24
26
29
32
20
22
24
INHN 端子 PULL UP 抵抗
CG
内蔵容量
CD
pF
SEIKO NPC CORPORATION —9
SM5010 series
● 5010CL× series
○ 3V 動作
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 20 ∼ + 80°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 2.7V, IOH = 8mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 2.7V, IOL = 8mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
IZ
IDD
消費電流
スタンバイ電流
INHN 端子 PULL UP 抵抗
IST
RUP1
RUP2
Rf
帰還抵抗
CG
内蔵容量
CD
MIN
TYP
2.2
2.4
0.3
MAX
V
0.4
0.7VDD
V
V
0.3V DD
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 3.6V 時
単位
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010CL1
5
10
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 15pF,
5010CL2
3.5
7
5010CL3
2.5
5
f = 30MHz
5010CL4
2
4
5010CL5
2
4
測定回路 6, INHN = "L"
V
µA
mA
5
µA
2
4
15
MΩ
40
100
250
kΩ
測定回路 5
80
200
500
kΩ
設計値 (ウェハー内モニターパターンにて保証。
本パターン全数測定はしておりません。)
16
18
20
16
18
20
測定回路 4
pF
○ 5V 動作
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 16mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 16mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
消費電流
スタンバイ電流
INHN 端子 PULL UP 抵抗
帰還抵抗
内蔵容量
IZ
IDD
IST
RUP1
RUP2
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 5.5V 時
MIN
TYP
4.0
4.2
0.3
MAX
V
0.4
0.7VDD
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010CL1
15
30
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 50pF,
5010CL2
9
18
5010CL3
6
12
f = 30MHz
5010CL4
5
10
5010CL5
5
10
測定回路 6, INHN = "L"
V
µA
mA
10
µA
1
2
8
MΩ
40
100
250
kΩ
kΩ
Rf
測定回路 5
80
200
500
CG
設計値 (ウェハー内モニターパターンにて保証。
本パターン全数測定はしておりません。)
16
18
20
16
18
20
CD
V
V
0.3V DD
測定回路 4
単位
pF
SEIKO NPC CORPORATION —10
SM5010 series
● 5010EA× series
○ 3V 動作
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 2.7V, IOH = 2mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 2.7V, IOL = 2mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
消費電流
IDD
5010EA1
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, CL = 15pF, f = 30MHz 5010EA2
MIN
TYP
2.1
2.4
0.3
MAX
単位
V
0.5
2.0
V
V
0.5
4
8
2.5
5
V
mA
RUP2
測定回路 4
40
100
250
kΩ
帰還抵抗
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
発振部アンプ出力抵抗
RD
設計値
690
820
940
Ω
9
10
11
13
15
17
INHN 端子 PULL UP 抵抗
CG
内蔵容量
CD
設計値 (ウェハー内モニターパターンにて保証。
本パターン全数測定はしておりません。)
pF
○ 5V 動作
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
規格
条件
MIN
TYP
3.9
4.2
MAX
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 3.2mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 3.2mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
IDD1
5010EA1
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, CL = 15pF, f = 30MHz 5010EA2
6
12
5
10
5010EA1
9
18
6
12
消費電流
0.3
単位
V
0.4
2.0
V
V
0.8
V
mA
IDD2
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, CL = 15pF, f = 40MHz 5010EA2
RUP2
測定回路 4
40
100
250
kΩ
帰還抵抗
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
発振部アンプ出力抵抗
RD
設計値
690
820
940
Ω
9
10
11
13
15
17
INHN 端子 PULL UP 抵抗
内蔵容量
CG
CD
設計値 (ウェハー内モニターパターンにて保証。
本パターン全数測定はしておりません。)
pF
SEIKO NPC CORPORATION —11
SM5010 series
● 5010FN× series
○ 3V 動作
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 2.7V, IOH = 8mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 2.7V, IOL = 8mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
消費電流
INHN 端子 PULL UP 抵抗
帰還抵抗
IZ
IDD
RUP
Rf
CG
内蔵容量
CD
MIN
TYP
2.2
2.4
0.3
単位
MAX
V
0.4
2.0
V
0.5
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 3.6V 時
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
5010FNA, FNC
測定回路 3, 負荷回路 1, f = 30MHz
INHN = OPEN, CL = 15pF 5010FND
f = 40MHz
8
40
100
250
5010FNA
3.57
4.2
4.83
5010FNC
2.63
3.1
3.57
5010FND
1.87
2.2
2.53
5010FNA
11.7
13
14.3
5010FNC
設計値
( ウェハー内モニターパ 5010FND
ターンにて保証。
本 パタ ー ン 全数 測 定 は 5010FNA
しておりません。)
5010FNC
9.9
11
12.1
11.7
13
14.3
13.5
15
16.5
15.3
17
18.7
15.3
17
18.7
5010FND
µA
mA
20
測定回路 5
V
16
10
測定回路 4
V
kΩ
kΩ
pF
SEIKO NPC CORPORATION —12
SM5010 series
○ 5V 動作
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V
30 ≤ f ≤ 50MHz 時：Ta = − 20 ∼ + 80°C, 50 < f ≤ 70MHz 時：Ta = − 15 ∼ + 75°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 16mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 16mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
IZ
INHN 端子 PULL UP 抵抗
帰還抵抗
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 5.5V 時
内蔵容量
CD
0.3
V
0.4
V OL = V SS
10
25
50
23
45
25
50
40
100
250
5010FNA
3.57
4.2
4.83
5010FNC
2.63
3.1
3.57
5010FND
1.87
2.2
2.53
5010FNE
1.87
2.2
2.53
5010FNA
11.7
13
14.3
5010FNC
9.9
11
12.1
5010FND
設計値
( ウェハー内モニターパ 5010FNE
ターンにて保証。
本 パタ ー ン 全数 測 定 は 5010FNA
しておりません。)
5010FNC
11.7
13
14.3
7.2
8
8.8
13.5
15
16.5
15.3
17
18.7
5010FND
15.3
17
18.7
5010FNE
13.5
15
16.5
測定回路 4
測定回路 5
V
V
10
IDD2
CG
4.2
V OH = V DD
5010FNA, FNC
測定回路 3, 負荷回路 1, f = 40MHz
INHN = OPEN, CL = 50pF 5010FND
f = 50MHz
Rf
3.9
単位
MAX
0.8
測定回路 3, 負荷回路 1, 5010FNE
INHN = OPEN, CL = 15pF f = 70MHz
RUP
TYP
2.0
IDD1
消費電流
MIN
V
µA
mA
kΩ
kΩ
pF
SEIKO NPC CORPORATION —13
SM5010 series
● 5010FH× series (5V 動作 )
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V
30 ≤ f ≤ 50MHz 時：Ta = − 20 ∼ + 80°C, 50 < f ≤ 60MHz 時：Ta = − 15 ∼ + 75°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 4mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 4mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
IZ
MIN
TYP
3.9
4.2
0.3
INHN 端子 PULL UP 抵抗
帰還抵抗
IDD
RUP
Rf
CG
内蔵容量
CD
V
0.5
2.0
0.8
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 5.5V 時
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
13
26
測定回路 3, 負荷回路 1, 5010FHD
INHN = OPEN, CL = 15pF f = 50MHz
15
30
5010FHE
f = 60MHz
17
34
40
100
250
5010FHA
3.57
4.2
4.83
5010FHC
2.63
3.1
3.57
5010FHD
1.87
2.2
2.53
5010FHE
1.87
2.2
2.53
5010FHA
11.7
13
14.3
5010FHC
9.9
11
12.1
5010FHD
設計値
( ウェハー内モニターパ 5010FHE
ターンにて保証。
本 パタ ー ン 全数 測 定 は 5010FHA
しておりません。)
5010FHC
11.7
13
14.3
7.2
8
8.8
13.5
15
16.5
15.3
17
18.7
5010FHD
15.3
17
18.7
5010FHE
13.5
15
16.5
測定回路 4
測定回路 5
V
V
5010FHA, FHC
f = 40MHz
消費電流
単位
MAX
V
µA
mA
kΩ
kΩ
pF
SEIKO NPC CORPORATION —14
SM5010 series
● 5010HN×, HK× series (5V 動作 )
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
規格
条件
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, VDD = 4.5V, IOH = 16mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 2, VDD = 4.5V, IOL = 16mA
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
VIL
INHN 端子
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 2, INHN = "L",
VDD = 5.5V 時
MIN
TYP
3.9
4.2
0.3
単位
MAX
V
0.4
2.0
V
V
0.8
V OH = V DD
10
V OL = V SS
10
V
µA
測定回路 3, 負荷回路 2,
IDD1
消費電流
IDD2
INHN = OPEN, C L = 15pF,
f = 50MHz
測定回路 3, 負荷回路 1,
INHN = OPEN, C L = 50pF,
5010HK1
20
40
mA
5010HN1
25
50
f = 50MHz
INHN 端子 PULL UP 抵抗
帰還抵抗
内蔵容量
RUP
測定回路 4
40
100
250
kΩ
Rf
測定回路 5
80
200
500
kΩ
11.7
13
14.3
15.3
17
18.7
CG
CD
設計値 (ウェハー内モニターパターンにて保証。
本パターン全数測定はしておりません。)
pF
SEIKO NPC CORPORATION —15
SM5010 series
■スイッチング特性
● 5010AN×, BN×, DN × series
○ 3V 動作 / DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
MIN
TYP
MAX
単位
出力立ち上がり時間
t r1
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.1VDD → 0.9VDD
3.0
6.0
ns
出力立ち下がり時間
t f1
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.9VDD → 0.1V DD
3.0
6.0
ns
60
%
100
ns
100
ns
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF, f = 30MHz
40
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
1. ロットモニターにて確認
● 5010AN×, AK×, BN×, BK×, DN× series
○ 5V 動作 / DUTY レベル：CMOS (5010AN×, BN×, DN1)
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85 °C
項目
出力立ち上がり時間
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル1
記号
t r1
t r2
t f1
t f2
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
規格
条件
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
MIN
TYP
MAX
CL = 15pF
2.0
4.0
CL = 50pF
4.0
8.0
CL = 15pF
2.0
4.0
CL = 50pF
4.0
8.0
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 50pF, f = 30MHz
単位
ns
ns
45
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
55
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
○ 5V 動作 / DUTY レベル：TTL (5010×K1, AN2, AN3, AN4, BN2, BN3, BN4, BN5)
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
条件
出力立ち上がり時間
t r3
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル1
規格
単位
TYP
MAX
測定回路 6, 負荷回路 2, CL = 15pF, 0.4V → 2.4V
1.5
3.0
ns
t f3
測定回路 6, 負荷回路 2, CL = 15pF, 2.4V → 0.4V
1.5
3.0
ns
DUTY
測定回路 6, 負荷回路 2, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF, f = 30MHz
55
%
100
ns
100
ns
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
測定回路 7, 負荷回路 2, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
MIN
45
1. ロットモニターにて確認
SEIKO NPC CORPORATION —16
SM5010 series
● 5010AH×, BH× series
○ 3V 動作 /DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
MIN
出力立ち上がり時間
t r1
出力立ち下がり時間
t f1
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.9VDD → 0.1V DD
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF, f = 16MHz
単位
TYP
MAX
8
16
ns
8
16
ns
60
%
100
ns
100
ns
40
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
1. ロットモニターにて確認
○ 5V 動作 /DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85 °C
項目
記号
規格
条件
MIN
t r1
出力立ち上がり時間
出力立ち下がり時間
t r2
t f1
t f2
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
単位
TYP
MAX
CL = 15pF
5
10
CL = 50pF
13
26
CL = 15pF
5
10
CL = 50pF
13
26
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF, f = 30MHz
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
ns
ns
45
55
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
SEIKO NPC CORPORATION —17
SM5010 series
● 5010CL× series
○ 3V 動作 / DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 20 ∼ + 80 °C
項目
記号
規格
条件
MIN
出力立ち上がり時間
t r1
t r4
出力立ち下がり時間
t f1
t f4
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間2
tPLZ
出力イネーブル遅延時間 2
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
単位
TYP
MAX
CL = 15pF
2.0
4.0
CL = 30pF
3.0
6.0
CL = 15pF
2.0
4.0
CL = 30pF
3.0
6.0
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF, f = 30MHz
ns
ns
45
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
55
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
2. 発振停止機能を内蔵しているため、INHN を "H" にしても即時に正規の出力はでません。発振開始時間を経た後、正規
の信号が出力されます。
○ 5V 動作 / DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85 °C
項目
記号
規格
条件
MIN
出力立ち上がり時間
t r1
t r2
出力立ち下がり時間
t f1
t f2
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間2
tPLZ
出力イネーブル遅延時間 2
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
単位
TYP
MAX
CL = 15pF
1.5
3.0
CL = 50pF
4.0
8.0
CL = 15pF
1.5
3.0
CL = 50pF
4.0
8.0
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 50pF, f = 30MHz
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
ns
ns
40
60
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
2. 発振停止機能を内蔵しているため、INHN を "H" にしても即時に正規の出力はでません。発振開始時間を経た後、正規
の信号が出力されます。
SEIKO NPC CORPORATION —18
SM5010 series
● 5010EA× series
○ 3V 動作 / DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
MIN
出力立ち上がり時間
tr 1
出力立ち下がり時間
tf 1
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間2
tPLZ
出力イネーブル遅延時間 2
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.1V DD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.9V DD → 0.1V DD
測定回路 6, 負荷回路 1, VDD = 3.0V,
Ta = 25°C, CL = 15pF, f = 30MHz
単位
TYP
MAX
8
16
ns
8
16
ns
60
%
100
ns
100
ns
40
測定回路 7, 負荷回路 1, VDD = 3.0V,
Ta = 25°C, CL = 15pF
1. ロットモニターにて確認
2. 発振停止機能を内蔵しているため、INHN を "H" にしても即時に正規の出力はでません。発振開始時間を経た後、正
規の信号が出力されます。
○ 5V 動作 / DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85 °C
規格
項目
出力立ち上がり時間
記号
tr 1
tr 2
tf 1
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル1
tf 2
条件
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1V DD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9V DD → 0.1V DD
DUTY1 測定回路 6, 負荷回路 1,
DUTY2 V DD = 5.0V, Ta = 25 °C, C L = 15pF
出力ディスエーブル遅延時間2
tPLZ
出力イネーブル遅延時間 2
tPZL
MIN
TYP
MAX
CL = 15pF
5
10
CL = 50pF
13
26
CL = 15pF
5
10
CL = 50pF
13
26
ns
ns
f = 30MHz
45
55
f = 40MHz
40
60
測定回路 7, 負荷回路 1, VDD = 5.0V,
Ta = 25°C, CL = 15pF
単位
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
2. 発振停止機能を内蔵しているため、INHN を "H" にしても即時に正規の出力はでません。発振開始時間を経た後、正
規の信号が出力されます。
SEIKO NPC CORPORATION —19
SM5010 series
● 5010FN× series
○ 3V 動作 /DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 2.7 ∼ 3.6V, VSS = 0V, Ta = − 10 ∼ + 70°C
項目
記号
規格
条件
MIN
出力立ち上がり時間
t r1
出力立ち下がり時間
t f1
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1, CL = 15pF,
0.9VDD → 0.1V DD
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF, f = 40MHz
単位
TYP
MAX
3.0
6.0
ns
3.0
6.0
ns
60
%
100
ns
100
ns
40
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 3.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
1. ロットモニターにて確認
○ 5V 動作 /DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V
30 ≤ f ≤ 50MHz 時：Ta = − 20 ∼ + 80°C, 50 < f ≤ 70MHz 時：Ta = − 15 ∼ + 75°C
規格
項目
記号
t r1
出力立ち上がり時間
t r2
t f1
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル
t f2
1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
条件
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
測定回路 6, 負荷回路 1,
VDD = 5.0V, Ta = 25°C
MIN
TYP
MAX
CL = 15pF
1.5
3.0
CL = 50pF
3.0
6.0
CL = 15pF
1.5
3.0
CL = 50pF
3.0
6.0
ns
ns
CL = 50pF
f = 50MHz
45
CL = 15pF
f = 70MHz
40
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
単位
55
%
60
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
SEIKO NPC CORPORATION —20
SM5010 series
● 5010FH× series
○ 5V 動作 /DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V
30 ≤ f ≤ 50MHz 時：Ta = − 20 ∼ + 80°C, 50 < f ≤ 60MHz 時：Ta = − 15 ∼ + 75°C
項目
記号
規格
条件
MIN
t r1
出力立ち上がり時間
t r2
t f1
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル
1
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
t f2
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
DUTY
測定回路 6, 負荷回路 1,
VDD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
単位
TYP
MAX
CL = 15pF
4
8
CL = 50pF
11
21
CL = 15pF
4
8
CL = 50pF
11
21
ns
ns
f = 50MHz
45
55
f = 60MHz
40
60
%
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
● 5010HN× series
○ 5V 動作 /DUTY レベル：CMOS
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85 °C
規格
項目
出力立ち上がり時間
記号
t r1
t r2
t f1
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル1
t f2
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
条件
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.1VDD → 0.9VDD
測定回路 6, 負荷回路 1,
0.9VDD → 0.1V DD
MIN
TYP
MAX
CL = 15pF
1.5
3.0
CL = 50pF
3.0
6.0
CL = 15pF
1.5
3.0
CL = 50pF
3.0
6.0
測定回路 6, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 50pF, f = 50MHz
測定回路 7, 負荷回路 1, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
単位
ns
ns
45
55
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
SEIKO NPC CORPORATION —21
SM5010 series
● 5010HK× series
○ 5V 動作 /DUTY レベル：TTL
特記なき場合 VDD = 4.5 ∼ 5.5V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85 °C
項目
記号
規格
条件
MIN
t r3
出力立ち上がり時間
t r5
t f3
出力立ち下がり時間
t f5
出力 DUTY サイクル1
DUTY
出力ディスエーブル遅延時間
tPLZ
出力イネーブル遅延時間
tPZL
測定回路 6, 負荷回路 2,
0.4V → 2.4V
測定回路 6, 負荷回路 2,
2.4V → 0.4V
単位
TYP
MAX
CL = 15pF
1.2
2.4
CL = 50pF
2.0
5.0
CL = 15pF
1.2
2.4
CL = 50pF
2.0
5.0
ns
ns
測定回路 6, 負荷回路 2, V DD = 5.0V,
Ta = 25 °C, CL = 15pF, f = 50MHz
45
測定回路 7, 負荷回路 2, V DD = 5.0V, Ta = 25°C,
CL = 15pF
55
%
100
ns
100
ns
1. ロットモニターにて確認
■ NPC 特性確認用標準水晶データ
for Fundamental oscillator
Cb
f [MHz]
R [Ω]
L [mH]
Ca [fF]
Cb [pF]
30
17.2
4.36
6.46
2.26
40
16.8
2.90
5.47
2.08
for 3rd overtone oscillator
L
Ca
R
f [MHz]
R [Ω]
L [mH]
Ca [fF]
Cb [pF]
30
18.62
16.24
1.733
5.337
40
20.53
11.34
1.396
3.989
50
22.17
7.40
1.370
4.105
60
15.37
3.83
1.836
5.191
70
25.42
4.18
1.254
5.170
SEIKO NPC CORPORATION —22
SM5010 series
■測定回路
●測定回路 1
●測定回路 4
VDD
VDD
C1
Signal
Generator
XT
Q
RUP1 =
VDD
IPR
(VIL = 0V)
R2
R1
VSS
INHN
VSS
V
VIH
VIL
VOH
0V
Q output
入力信号 : 2.0Vp-p, 10MHz, サイン波 (3V 動作 )
3.5Vp-p, 10MHz, サイン波 (5V 動作 )
C1 : 0.001µF
R1 : 50Ω
R2 : • 5010AN×, BN×, DN×, AK×, BK×
3V 動作：263Ω
5V 動作：245Ω
• 5010FN×, HN ×, HK×
3V 動作：275Ω
5V 動作：245Ω
• 5010CL×
3V 動作：275Ω
5V 動作：250Ω
• 5010EA×, AH×, BH×
3V 動作：1050Ω
• 5010EA×, AH×, BH×, FH×
5V 動作：975Ω
RUP2 = VDD VIH (V IH = 0.7V DD)
IPR
A
IPR
●測定回路 5
VDD
XT
Rf =
XTN
VSS
A
IRf
●測定回路 6
IST
A
●測定回路 2
CG
VDD
XT
IZ, IOL
VDD
Rfo
IZ
CD
A
Q
INHN VSS
VDD
IRf
X'tal
Q
XTN
INHN
VSS
V VOL
水晶発振
CG , CD : 22pF (5010DN×)
Rfo : 3.0k Ω (5010H××)
●測定回路 3
●測定回路 7
A
IDD
VDD
VDD
C1
Signal
Generator
XT
R1
Q
Signal
Generator
XT
Q
VSS
R1
入力信号 : 2.0Vp-p, 30MHz, サイン波 (3V 動作 )
3.5Vp-p, 30MHz, サイン波 (5V 動作 )
C1 : 0.001µF
R1 : 50Ω
VSS INHN
R1 : 50 Ω
SEIKO NPC CORPORATION —23
SM5010 series
●負荷回路 1
●負荷回路 2
Q output
R
CL
Q output
(Including probe
capacitance)
CL = 15pF :
CL = 30pF :
CL = 50pF :
CL
(Including probe
capacitance)
CL = 15pF : DUTY, IDD , tr3 , tf3
CL = 50pF : tr5 , tf5
R = 400Ω
DUTY, IDD , tr1 , tf1
tr4 , tf4
tr2 , tf2
●スイッチング時間測定波形
○出力 DUTY レベル（CMOS）
Q output
0.9VDD
0.9VDD
0.1VDD
0.1VDD
DUTY measurement
voltage (0.5V DD )
TW
tr
tf
○出力 DUTY レベル（TTL）
Q output
2.4V
2.4V
0.4V
0.4V
DUTY measurement
voltage (1.4V )
TW
tr
tf
○出力 DUTY サイクル（CMOS）
DUTY measurement
voltage (0.5V DD)
Q output
TW
T
DUTY= TW/ T
100 (%)
○出力 DUTY サイクル（TTL）
DUTY measurement
voltage (1.4V )
Q output
TW
T
DUTY= TW/ T
100 (%)
SEIKO NPC CORPORATION —24
SM5010 series
●出力ディスエーブル遅延時間・出力イネーブル遅延時間
INHN
VIH
VIL
tPLZ
tPZL
Q output
INHN input waveform tr = tf
10ns
5010CL ×/5010EA× series はスタンバイ時に発振が停止していますので、スタンバイ解除後、安定した出力
が出るまで時間がかかります。
SEIKO NPC CORPORATION —25
SM5010 series
※このカタログに記載されている製品のご使用に際しては、次の点にご注意くださいますようお願い申し上げます。
1. このカタログに記載されている製品は、
その故障または誤作動が直接人命に関わる製品に使用されることを意図しておりません。
このような使用をご検討の場合には、
必ず事前に当社営業部までご相談ください。
なお、
事前の ご相談なく使用され、そのことに よって発生した損害 等については、当社では一切責 任を負いかねますの でご了承
ください。
2. このカタログに記載されている内容は、
特性、信頼性等の改善のため予告なしに変更されることがありますので予めご了承ください。
3. このカタログに記載されている内容は、第三者の知的財産権その他の権利を侵害していないことを保証するものではありません。
したがって、
その使用に起因する第三者の権利に対する侵害について当社は責任を負いかねますのでご了承ください。
4. このカタログに記載されている回路等の定数は一例を示すものであり、
量産に際しての設計を保証するものではありません。
5. このカタログに記載 されている製品の全 部または一部が、外国為替及び外国 貿易法その他の関係 法令に定める物資に 該当する
場合は、
それ らの法令に基づく輸 出の承認、
許 可が必要になります ので、
お客様 の方でその申請手 続きをお取りくださ るようお
願いいたします。
セ イ コ ー Ｎ Ｐ Ｃ 株 式 会 社
本社・東京営業所
〒 104­0032 東京都中央区八丁堀 1­9­9
TEL 03­5541­6501 FAX 03­5541­6510
那須塩原事業所
〒 329­2811 栃木県那須塩原市下田野 531­1
TEL 0287­35­3111( 代 ) FAX 0287­35­3120
関 西 営 業 所
〒 550­0004 大阪市西区靭本町 2­3­2
大鰹・住友生命なにわ筋本町ビル 8F
TEL 06­6444­6631( 代 ) FAX 06­6444­6680
http://www.npc.co.jp/
Email: [email protected]
NC0015D
2006.04
SEIKO NPC CORPORATION —26