保守品 本製品は、生産中止予定製品です。現在ご使用いただいているお客様に のみ、最終ご発注期限を定めて提供しております。新規のご検討を避けて いただき、新製品または既存品でのご検討をお願いします。 ご不明な点がございましたら、弊社営業窓口までご問い合わせ下さい。 新日本無線株式会社 http://www.njr.co.jp/ NJM2726 １回路 超高速・広帯域オペアンプ ■概要 NJM2726 は 500V/μs のスルーレートを有する、超高速・広帯 域特性のオペアンプです。電源電圧±2.5V において、3.5Vp-p の出力振幅が可能です。 パルスアンプ、電流・電圧変換、測定器、通信機器、ビデオ 信号処理、ラインバッファ用途に最適です。 ■特徴 ●動作電源電圧 ●消費電流 ●高スルーレート ●ユニティーゲイン周波数 ●入力オフセット電圧 ●出力電圧 ■外形 NJM2726F ±2.25V～±2.75V 16.0mA Typ. 500V/μs Typ. 150MHz Typ 2mV Typ. VOH：+1.3V Typ. (@V+/V-=±2.5V, RL=500Ω) VOL：-2.2V Typ. (@V+/V-=±2.5V, RL=500Ω) ●バイポーラ構造 ●外形 SOT-23-5 ■端子配列 (Top View) 1 ピン配置 5 2 3 4 1.Vout 2.V－ 3.+INPUT 4.-INPUT 5.V＋ - 1 - NJM2726 ■絶対最大定格 (Ta=25°C) 項 目 電 源 電 差 動 入 力 電 圧 範 同 相 入 力 電 圧 範 消 費 電 動 作 温 度 範 保 存 温 度 範 圧 囲 囲 力 囲 囲 記 号 V+/VVID VICM PD Topr Tstg 定 格 ±3 ±3 ±3 480（注 1) -40 ~ +85 -40 ~ +150 単 位 V V V mW °C °C (注 1) 消費電力は EIA/JEDEC 仕様基板（76.2×114.3×1.6mm、２層、FR-4）実装時 ■推奨動作範囲 (Ta=25°C) 項 目 電 源 電 圧 記 号 V+ / V- 定 格 ±2.25 ~±2.75 単 位 V ■電気的特性 ● ＤＣ特性 (V+/V-=±2.5V, Ta=25°C) 項 目 記号 条件 MIN TYP MAX 単位 - 16 24 mA 流 ICC 入 力 オ フ セ ッ ト 電 圧 VIO - 2 16 mV 入 力 バ イ ア ス 電 流 IB - 15 50 μ A 入 力 オ フ セ ッ ト 電 流 IIO - 200 950 nA 電 得 AV 40 50 - dB 同 相 入 力 電 圧 範 囲 VICM 1.6 1.8 - -1.2 -1.3 - 同 CMR 60 80 - dB dB 消 費 電 圧 相 利 信 号 除 去 比 電 源 電 圧 変 動 除 去 比 最 大 出 力 電 圧 無信号時 RL=2kΩ -1V≦ V I C M ≦ +1V + - V SVR ±2.25V ≤ V / V ≤ ±2.75V 50 60 - VOH RL=500Ω 1.1 1.3 - VOL RL=500Ω -2 -2.2 - 条件 AV=40dB , RF=1.98kΩ , RG=20Ω RL=∞ , CL=5pF AV=40dB , RF=1.98kΩ , RG=20Ω RL=∞ , CL=5pF MIN TYP MAX 単位 - 150 - MHz - 60 - Deg 条件 AV=0dB , RF=0Ω , RG=∞Ω RL=500Ω , CL=1.5pF , Vin=2Vpp MIN TYP MAX 単位 - 500 - V/µs V ● ＡＣ特性 (V+/V-=±2.5V, Ta=25°C) 項 目 記号 ユニティーゲイン周波数 位 相 余 裕 fT ΦM ● 過渡応答特性 (V+/V-=±2.5V, Ta=25°C) 項 ス ル ー 目 レ 記号 ー ト SR - 2 - NJM2726 ■特性例 消費電流 対 電源電圧特性例 消費電流 対 周囲温度特性例 VIN=0V, Ta=25ºC 20 VIN=0V 25 V+/V-=±2.75V 20 消費電流 [mA] 消費電流 [mA] 15 10 5 V+/V-=±2.50V 15 V+/V-=±2.25V 10 5 0 0 0 ±0.5 ±1.0 ±1.5 ±2.0 電源電圧 [V] ±2.5 ±3.0 -50 入力オフセット電圧 対 周囲温度特性例 100 150 V+/V-=±2.5V 30.0 25.0 5.0 入力バイアス電流 [uA] 入力オフセット電圧 [mV] 50 周囲温度 [ºC] 入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 V+/V-=±2.5V 10.0 0 0.0 -5.0 20.0 15.0 10.0 5.0 -10.0 0.0 -50 0 50 周囲温度 [ºC] 100 150 -50 0 50 周囲温度 [ºC] 100 150 入力オフセット電流 対 周囲温度特性例 V+/V-=±2.5V 600 入力オフセット電流 [nA] 400 200 0 -200 -400 -600 -50 0 50 周囲温度 [ºC] 100 150 - 3 - NJM2726 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 最大出力電圧 対 電源電圧特性例 VIN=±0.5V, RL=500Ω, Ta=25ºC 3 V+/V-=±2.5V, VIN=±0.5V, Ta=25ºC 2.5 2.0 1.5 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧 [V] 2 1 0 -1 1.0 0.5 0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2 -2.0 -3 -2.5 0 ±1 ±2 電源電圧 [V] ±3 10 100 1k 負荷抵抗 [Ω] 10k 100k 最大出力電圧 対 周囲温度特性例 V+/V-=±2.5V, Gv=open, VIN=±0.5V, RL=500Ω 電圧利得 対 周囲温度特性例 3.0 V+/V-=±2.5V, RL=2kΩ 50 45 40 35 1.0 電圧利得 [dB] 最大出力電圧 [V] 2.0 0.0 -1.0 30 25 20 15 10 -2.0 5 -3.0 0 -50 0 50 周囲温度 [ºC] 100 150 -50 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 100 150 V+/V-=±2.25V~±2.75V 100 90 90 80 80 正・電源電圧除去比 [dB] 同相信号除去比 [dB] 50 周囲温度 [ºC] 電源電圧除去比 対 周囲温度特性例 V+/V-=±2.5V, -1V≤Vcm≤+1V 100 0 70 60 50 40 30 20 10 70 60 50 40 30 20 10 0 0 -50 0 50 周囲温度 [ºC] 100 150 -50 0 50 周囲温度 [ºC] 100 150 - 4 - NJM2726 40dB電圧利得&位相 対 周波数特性例 (負荷容量) 40dB電圧利得&位相 対 周波数特性例 (周囲温度) V+/V-=±2.5V, VIN=0.02Vpp, GV=40dB, RT=50Ω, RF=1.98kΩ, RG=20Ω, CF=0F, RL=500Ω, Ta=+25ºC V+/V-=±2.5V, VIN=0.02Vpp, GV=40dB, RT=50Ω, RF=1.98kΩ, RG=20Ω, CF=0, RL=150Ω, CL=5pF 電圧利得 [dB] 30 Gain CL=10pF 20 10 CL=5pF 40 135 30 90 20 45 CL=3pF 0 -10 180 0 Phase -45 -20 電圧利得 [dB] 40 180 50 -90 10 Ta=-40ºC Gain 135 Ta=+25ºC Ta=+85ºC 90 45 Phase 0 0 -10 -20 -45 Ta=-40ºC -90 Ta=+25ºC Ta=+85ºC -30 -40 100k 2.0 1M 10M 周波数 [Hz] 100M -135 -30 -180 -40 100k 1G -135 -180 1M 10M 周波数 [Hz] 100M 1G パルス応答特性例 (負荷容量、バッファ) パルス応答特性例 (周囲温度) V+/V-=±2.5V, f=10MHz, VO=2VPP, GV=0dB, RT=50Ω, RF=0Ω, CF=0pF, RL=500Ω, Ta=+25ºC V+/V-=±2.5V, f=10MHz, VO=2VPP, GV=0dB, RT=50Ω, RF=0Ω, CF=0, RG=∞Ω, CL=3pF, RL=500Ω 2.0 6.0 1.0 5.0 0.0 4.0 位相 [deg] 225 位相 [deg] 50 Ta=+85ºC -2.0 3.0 CL=3pF 2.0 CL=5pF -3.0 1.0 CL=10pF -4.0 -5.0 CL=1pF -6.0 0.0 Ta=-40ºC 0.0 -1.0 -1.0 -2.0 時間 10ns/div 出力電圧 [V] input -1.0 出力電圧 [V] 入力電圧 [V] Ta=+25ºC 1.0 -2.0 時間 10ns/div - 5 - NJM2726 ■使用上の注意 非反転アンプ 1.ボルテージホロワで使用する場合は発振する可能性があるため、基板容量、およびプローブ容量含めてオペア ンプの負荷容量が 3pF を超えない範囲での使用を推奨します。 2.20dB 以下で使用する場合は、発振防止のために帰還抵抗 RF に並列に適切な値（1pF～5pF）のコンデンサ（補 償容量 CF）を挿入してください。 3.帰還抵抗 RF は周波数特性のフラット性を維持するためにも 2kΩ以下の値を推奨します。 4.ゲインをかけて使用する場合でも、負荷容量 CL が大きいと周波数特性が悪化し、発振や SR 特性でのリンギ ングが生じますので、負荷容量 CL をできるだけ小さくするようにしてください。 反転アンプ 1.発振の恐れがあるので、20dB 以下のゲインで使用の際には、帰還抵抗 RF に並列に補償容量 CF（推奨 CF=1pF 以上）を挿入して使用してください。 2.補償容量 CF の挿入により帰還抵抗 RF を大きくとっても発振しませんが、周波数特性や SR の低下の原因に なるため、帰還抵抗 RF 値はできるだけ低い値（2kΩ以下を推奨します）に設定してください。 3.10pF 以上の負荷容量がつかないように十分注意してください｡ ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありません。特に応用回路については、製品の代表的 な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 - 6 -