NJU77806 データシート

NJU77806
5.5nV/√Hz ローノイズ, 500μA ローパワー
出力フルスイング CMOS オペアンプ
特徴
概要
●入力換算雑音電圧
f=10Hz
11nV/√Hz
f=1kHz
5.5nV/√Hz
●消費電流
500μA typ.
●GB 積
4.4MHz
●スルーレート
1.1V/μs
●電源電圧
単電源
1.8V to 5.5V
両電源
±0.9 to ±2.75
●出力フルスイング (RL=10kΩ)
50mV from rail
●グランドセンス
●同相入力電圧範囲
VSS-0.1V to VDD-0.9V
●入力オフセット電圧
2mV max.
●入力オフセット電圧ドリフト
1.5µV/°C typ.
●高 RF ノイズ耐性
●パッケージ
SC-88A
アプリケーション
●ローノイズマイクアンプ
●フォトダイオードアンプ
●ショックセンサーアンプ
●加速度センサーアンプ
●セキュリティ機器
●ワイヤレス LAN
●通信機器
特性例
NJU77806 は、1kHz で 5.5nV/√Hz という非常に小さ
い入力換算雑音電圧を実現した出力フルスイング
CMOS オペアンプで、利得帯域幅積は 4.4MHz、スルー
レートは 1.1V/µsec です。これらの低雑音・広帯域特
性を備えながら、消費電流を 500µA という小さい値に
抑えているため、バッテリー駆動などの消費電力を低
く抑えたいアプリケーションにおいて低雑音と低消費
を実現する電力効率の優れたシステム設計に最適です。
NJU77806 は、低周波数の 10Hz にてわずか 11nV/√Hz
の極めて小さな入力換算雑音電圧を実現しています。
消費電流 500µA という小さい値に抑えながら、1/f 雑音
による低周波数領域の雑音悪化を抑えた高性能オペア
ンプです。これらの特性は低周波数を扱うアプリケー
ションの信号忠実度に有効であり、オーディオ、セン
サ・ベース、またはアクティブフィルタの用途に最適
です。
NJU77806 は、1.8V から 5V 電源電圧範囲での特性
を保証しています。低雑音、且つ低消費電流特性に加
えて、1.8V からの低電圧動作も実現しているため、バ
ッテリーの寿命を最大限に利用できます。
NJU77806 は、高い RF ノイズ耐性を備えており、携
帯電話や無線などを使用する環境においても誤作動を
起こしにくいように対策しています。
NJU77806 は、実装面積の小さい SC-88A パッケー
ジで供給されます。この小型パッケージにより省スペ
ース化を必要とするポータブル機器や携帯電話などの
アプリケーションに最適です。
端子配列
入力換算雑音電圧 対 周波数 特性例
VDD=5.0V
50
(Top View)
入力換算雑音電圧 [nV/ Hz]
45
40
端子配列
35
30
従来ローノイズ
CMOS オペアンプ
25
+INPUT
1
VSS
2
-INPUT
3
5
VDD
4
OUTPUT
20
15
パッケージ
NJU77806
10
5
製品名
0
10
100
1k
周波数 [Hz]
SC-88A
NJU77806F3
10k
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NJU77806
■絶対最大定格
電源電圧
同相入力電圧範囲
差動入力電圧範囲
消費電力
(1)
記号
定格
単位
VDD
7
V
VICM
VSS - 0.3 to VDD + 0.3
VID
±7
(3)
(2-layer)
PD
SC-88A
V
(2)
280
V
mW
動作温度範囲
Topr
-40 to +105
°C
保存温度範囲
Tstg
-55 to +125
°C
(1) 差動入力電圧は+INPUT 端子と-INPUT 端子の電位差です。
(2) 電源電圧が 7V 以下の場合は、電源電圧と等しくなります。
(3) 消費電力は Ta=25°C の時に IC で消費できる電力値で、JEDEC 標準
規格に準拠して測定された値です。Ta>25°C で使用する場合、その
値は 1°C につき PD/(Tstg(MAX)-25)[mW/°C]の割合で減少します。
2-layer: EIA/JEDEC 仕様基板(76.2x114.3x1.6mm, 2 層, FR-4)実装時
ディレーティングカーブ
500
400
消費電力 PD [mW]
項目
300
200
100
0
5
25
45
65
85
周囲温度 [ºC]
105
125
■推奨動作条件(Ta=25°C)
項目
電源電圧
記号
VDD
条件
最小
標準
最大
単位
1.8
-
5.5
V
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[ 2]
NJU77806
■電気的特性(指定なき場合には VDD=1.8V to 5.0V, VSS=0V, VICM=VDD/2, Ta=25°C)
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
-
500
650
µA
-
0.7
2
mV
DC 特性
消費電流
IDD
入力オフセット電圧
VIO
入力オフセット電圧ドリフト
無信号時
ΔVIO/ΔT Ta = -40°C to 105°C
-
1.5
-
µV/°C
入力バイアス電流
IB
-
1
-
pA
入力オフセット電流
IIO
-
1
-
pA
入力容量
CIN
電圧利得
AV
-
17
-
pF
RL=10kΩ to VDD/2
70
100
-
dB
70
100
-
dB
70
100
-
dB
-0.1
-
VDD-0.9
V
同相信号除去比
CMR
VICM=-0.1V to VDD-0.9V
電源電圧除去比
SVR
VDD=1.8V to 5.5V
同相入力電圧範囲
VICM
CMR≥70dB
VOH
最大出力電圧
VOL
RL=10kΩ to VDD/2
VDD-0.1 VDD-0.05
-
Isource=1.5mA
VDD-0.15 VDD-0.1
-
V
RL=10kΩ to VDD/2
-
0.05
0.1
Isink=1.5mA
-
0.1
0.15
GV=14dB
-
1.1
-
V/µs
GV=40dB, f=100kHz
-
4.4
-
MHz
GV=40dB
-
2.4
-
MHz
f=1kHz
-
5.5
-
f=10Hz
-
11
-
f=0.1Hz to 10Hz
-
0.25
-
µVpp
VDD=5.0V, VO=4Vpp
-
0.005
-
%
VDD=1.8V, VO=1.5Vpp
-
0.01
-
AC 特性
スルーレート
利得帯域幅積
ユニティゲイン周波数
入力換算雑音電圧
SR
GBP
fT
VNI
VNIPP
nV/√Hz
GV=20dB, f=1kHz, LPF=80kHz
全高調波歪率 + ノイズ
THD+N
使用上の注意
回路利得は 14dB(5 倍)以上が実用的です。ボルテージフォロワでは発振防止に十分な配慮をしてください。14dB 以下で使用
する場合は、発振防止のために帰還抵抗: RF と並列に 20pF の補償容量: CF を挿入してください。
詳しい説明についてはアプリケーションノートの”入力容量”を参照ください。
CF
RG
RF
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NJU77806
■特性例
消費電流 対 電源電圧
消費電流 対 周囲温度 特性例
GV=0dB
700
600
600
Ta=105ºC
Ta=25ºC
VDD=5V
500
消費電流 [µA]
消費電流 [µA]
500
400
Ta=-40ºC
300
400
300
200
200
100
100
0
VDD=1.8V
0
0
1
2
3
4
電源電圧 [V]
5
6
7
-50
入力オフセット電圧分布 特性例
0
25
50
75
周囲温度 [ºC]
100
125
VDD=5.0V, n=179
40%
35%
30%
30%
25%
25%
頻度
35%
20%
20%
15%
15%
10%
10%
5%
5%
0%
0%
-0.6
-0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
入力オフセット電圧 [mV]
1.8
0.1
入力オフセット電圧 対 周囲温度 特性例
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
2.5
入力オフセット電圧ドリフト [µV/ºC]
入力オフセット電圧 対 電源電圧 特性例
VDD=5.0V, n=80
1.4
VICM=VDD/2
4
3
入力オフセット電圧 [mV]
1.2
入力オフセット電圧 [mV]
-25
入力オフセット電圧温度ドリフト分布 特性例
VDD=5.0V, Ta=25ºC, n=195
40%
頻度
GV=0dB
700
1
0.8
0.6
0.4
0.2
2
Ta=25ºC
Ta=105ºC
1
0
Ta=-40ºC
-1
-2
0
-3
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度 [ºC]
100
125
0
1
2
3
4
電源電圧 [V]
5
6
7
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NJU77806
■特性例
入力オフセット電圧 対 同相入力電圧 特性例
入力オフセット電圧 対 同相入力電圧 特性例
VDD=5.0V
1.4
1.2
1
入力オフセット電圧 [mV]
1.2
入力オフセット電圧 [mV]
VDD=1.8V
1.4
Ta=25ºC
Ta=105ºC
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=105ºC
1
0.8
0.6
0.4
Ta=-40ºC
0.2
Ta=-40ºC
0
0
-0.6
0
0.6 1.2 1.8 2.4 3
同相入力電圧 [V]
3.6 4.2 4.8
-0.6
-0.3
同相信号 / 電源電圧除去比 対 周囲温度 特性例
130
110
電圧利得 [dB]
電源電圧除去比 [dB]
1.2
1.5
100
125
130
120
100
90
80
CMR (VDD=1.8V)
70
0.3
0.6
0.9
同相入力電圧 [V]
RL=10kΩ to VDD/2
140
SVR
CMR (VDD=5.0V)
120
0
電圧利得 対 周囲温度 特性例
VICM=VDD/2
140
VDD=5V
110
100
90
80
70
60
60
50
50
VDD=1.8V
40
40
-50
-25
0
25
50
周囲温度 [ºC]
75
100
-50
125
-25
最大出力電圧 対 出力電流 特性例
4.0
出力電圧 [V]
Ta=105ºC
3.0
2.5
2.0
Ta=105ºC
Ta=-40ºC
0.5
Ta=-40ºC
Ta=25ºC
1.2
Ta=105ºC
1.0
0.8
0.6
Ta=105ºC
0.4
Ta=25ºC
1.0
VOH
1.4
Ta=25ºC
1.5
VDD=1.8V
1.6
Ta=-40ºC
3.5
25
50
75
周囲温度 [ºC]
1.8
VOH
4.5
0
最大出力電圧 対 出力電流 特性例
VDD=5.0V
5.0
出力電圧 [V]
Ta=25ºC
Ta=25ºC
Ta=-40ºC
0.2
VOL
0.0
VOL
0.0
1
10
出力電流 [mA]
100
0.1
1
出力電流 [mA]
10
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NJU77806
■特性例
電圧利得/位相 対 周波数 特性例
VDD=5.0V, Gv=40dB, RS=100Ω, RL=10kΩ
電圧利得/位相 対 周波数 特性例
60
VDD=5.0V, Gv=40dB, RS=100Ω, RF=10kΩ
50
利得
Ta=25ºC
電圧利得 [dB]
30
Ta=105ºC
位相
30
40
0
30
-30
10
-60
0
-90
Ta=-40ºC
-10
Ta=25ºC
Ta=105ºC
-20
-30
1k
10k
100k
周波数 [Hz]
1M
電圧利得 [dB]
Ta=-40ºC
位相 [deg]
40
20
60
利得
30
CL=0pF
0
CL=47pF
位相
20
-30
10
-60
0
-90
-120
-10
-150
-20
-180
10M
-30
-120
CL=0pF
CL=47pF
-150
CL=100pF
1k
10k
位相 [deg]
50
100k
周波数 [Hz]
パルス応答 特性例
過渡応答 特性例
VDD=5.0V, GV=14dB
VDD=5.0V, GV=14dB
-180
10M
1M
CL=0pF
Ta=-40ºC
250mV/div
250mV/div
Ta=25ºC
Ta=105ºC
CL=100pF
1µs/div
10μs/div
入力換算雑音電圧 対 周波数 特性例
0.1Hz to 10Hz 雑音電圧波形 特性例
VDD=5.0V
f=0.1Hz to 10Hz, VDD=5.0V, VICM=2.5V
40
30
25
100nV/div
入力換算雑音電圧 [nV/ Hz]
35
20
15
10
5
0
1
10
100
周波数 [Hz]
1k
10k
1s/div
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NJU77806
■特性例
THD+N 対 出力電圧 特性例
THD+N 対 出力電圧 特性例
VDD=5.0V, GV=20dB, RF=10KΩ, RS=1KΩ, Ta=25ºC, LPF=80kHz
f=1kHz
0.1
f=20kHz
0.01
f=20Hz
0.001
0.01
0.1
1
出力電圧 [Vpp]
1
全高調波歪率 + ノイズ THD+N [%]
全高調波歪率 + ノイズ THD+N [%]
1
10
VDD=1.8V, GV=20dB, RF=10KΩ, RS=1KΩ, Ta=25ºC, LPF=80kHz
0.1
f=20kHz
0.01
f=1kHz
f=20Hz
0.001
0.01
0.1
1
出力電圧 [Vpp]
10
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[ 7]
NJU77806
■アプリケーションノート
■トランスインピーダンスアンプ
NJU77806 は、CMOS 入力段で構成されているので、
きわめて高い入力インピーダンスを備えています。合
わせて、低消費電流にも関わらずに低雑音特性である
ため、バッテリー駆動機器など低消費電力が必要とさ
れるトランスインピーダンス・アプリケーションに最
適なオペアンプです。代表的なトランスインピーダン
ス・アンプを図 1 に示します。アンプの出力電圧は
VOUT=-IIN・RF の式で求められます。アンプの出力振幅
は制限があるので、IIN のすべての値が検知できるよう
に RF を選択してください。
CF
図 2、および図 3 にマイクロホンやオーディオ・プリア
ンプの反転増幅回路と非反転増幅回路を示します。図 2
は反転増幅回路で、10kΩ の帰還抵抗 R2 と 1kΩ の入力
抵抗 R1 が使われているため、-10 倍の利得が得られま
す。図 3 は、非反転増幅回路で、10kΩ の帰還抵抗 R2
と 1kΩ の入力抵抗 R1 が使われているため、11 倍の利
得が得られます。 C1 および R1 によってローパス・フ
ィルタのカットオフ周波数が決まります。また、C2 お
よび R2 によってハイパス・フィルタのカットオフ周波
数が決まります。従いまして、R1 および R2 により利
得を決定し、C1 および C2 を調整することで所望の帯
域のみを通過・増幅させるバンドパス・フィルタ付き
マイクロホン、オーディオ・プリアンプを構成するこ
とが出来ます。
RF
C2
1 nF
R2
10 kΩ
IIN
CIN
+
CD
-
C1
10 µ
F
VOUT
VIN
VB
R1
1 kΩ
C3
+
-
+
R3
-
図 1. トランスインピーダンスアンプ
R4
下図にトランスインピーダンス・アンプ回路において、
CD はフォトダイオードの寄生容量、CIN はアンプの入力
容量です。これらの容量は高周波において動作を不安
定にさせます。発振が起こらないように、トランスイ
ンピーダンス・アンプの回路設計には注意が必要です。
回路の安定性の確保と周波数応答の制御を目的に、補
償容量 CF を RF に並列に追加します。出来るだけフラ
ットな二次応答を実現するために、RF と CF は次式を使
って求めます。
VOUT
V+
R2
R1
AV
10[V / V ]
図 2. 反転マイクロフォン・オーディオアンプ
V+
R3
CF
C IN C D
GBP 2
RF
C3
VIN
+
-
+
R4
-
VOUT
R2
10 kΩ
■バンドパスフィルタ付きマイクロフォン、オーデ
ィオアンプ
NJU77806 は、低消費電流にも関わらず 10Hz の低周波
領域において 11nV/√Hz の優れた低入力換算雑音電圧
を実現しております。 加えて、低電圧動作、広い利得
帯域幅積、および、低高調波歪の特性を備えているた
めマイクロホンやオーディオのプリアンプ・アプリケ
ーションに最適です。500µA の低消費電流であるため
バッテリー駆動の消費電力を抑えたいポータブル機器
において、NJU77806 は低消費設計、且つ、低雑音設
計に最適な選択肢です。
R1
1 kΩ
C1
10 µ
F
C2
1 nF
AV
1
R2
R1
11[V / V ]
図 3. 非反転マイクロフォン・オーディオアンプ
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[ 8]
NJU77806
■アプリケーションノート
■入力容量
Voltage Gain vs. Frequency
VDD=5.0V, AV=-1, CF=OPEN, Ta=25ºC
40
30
RF=RS=100kΩ
Gain [dB]
20
RF=RS=10kΩ
10
0
-10
RF=RS=5kΩ
-20
1k
10k
100k
Frequency [Hz]
1M
10M
図 5. 異なる RF、RS における周波数特性
Voltage Gain vs. Frequency
VDD=5.0V, AV=-1, RF=RS=10kΩ, Ta=25ºC
40
30
CF=0pF
20
Gain [dB]
CMOS 入力段は入力バイアス電流が極めて低い一方で、
入力換算雑音電圧が大きいという性質を備えておりま
す。NJU77806 は 500µA の低消費電流にもかかわらず
5.5nV/√Hz の低入力換算雑音電圧を実現しています。こ
のような性能を達成するために大きな CMOS 入力段を
採用しています。そのため、NJU77806 の代表的な入
力容量は、17pF 程度となっています。この入力容量は
ゲイン抵抗や帰還抵抗など他のインピーダンスと組み
合わさって、アンプの入力部に周波数応答における極
を形成します。
この極は低周波および DC ではアンプの
出力特性にはほとんど影響を及ぼしませんが、高周波
になるにつれて大きな影響が出ます。高周波において、
この極の存在は位相余裕を減少させ、ゲイン・ピーキ
ングを招きます。入力容量を補償して安定性を高くす
るために帰還抵抗の値に合わせた補償容量を帰還パス
に追加して安定性を高くすることを推奨します。
図 4 は代表的な反転アンプ例です。図 4 において帰還
抵抗の選択は図 5 に示しますように、帰還抵抗が大き
いときは周波数帯域が狭く、大きなゲイン・ピーキン
グを持ちます。他方、帰還抵抗が小さい場合では周波
数帯域は広く、ゲイン・ピーキングも小さくなります。
従って、帰還抵抗の値を小さくすることを推奨します。
更に、ゲイン・ピーク特性を減少させるために帰還抵
抗 RF に補償容量 CF を並列に追加する方法があります。
図 6 に、周波数応答における補償容量 CF の影響を示し
ます。20pF の容量を追加するとゲイン・ピーキングを
除去できます。この補償容量 CF の値は、選択した帰還
抵抗および寄生容量等の値に合わせて適切に調整する
必要があります。
NJU77806 は Gv=14dB(5 倍)以上での使用を推奨して
いますが、これらのテクニックを用いることで図 7 の
過渡応答特性に示しますように、低い回路利得でも発
振安定度を向上することが可能です。
CF=5pF
10
CF=10pF
0
-10
CF=20pF
-20
10k
100k
1M
Frequency [Hz]
10M
図 6. 異なる CF における周波数特性
CF
Pulse Response
VDD=5.0V, AV=-1, RS=RF=10kΩ, CF=20pF, Ta=25ºC
RF
CL=100pF
CL=0pF
VIN
+
CIN
-
+
-
VOUT
0.5V/div [V]
RS
CL=220pF
図 4. 反転アンプ
4µs/div
図 7. 異なる CL における過渡応答特性
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[ 9]
NJU77806
■アプリケーションノート
■容量性負荷の駆動
Pulse Response
VDD=5.0V, AV=+1, RISO=330Ω
0.5V/div
RISO=330Ω
CL=330pF
4µs/div
図 9. 過渡応答特性(RISO=330Ω)
Isolation Resistance vs. Capacitive Load
Av=+1, Ta=25ºC
400
Isolation Resistance RISO [Ω]
ボルテージ・フォロワ構成は、容量性負荷から最も影
響を受けやすい回路構成です。アンプ出力に接続され
ている容量性負荷とアンプの出力インピーダンスの組
合せによって、位相余裕を減らす位相遅れが発生しま
す。位相余裕が減少すると、リンギングが発生した状
態か、もしくは発振に至ります。
NJU77806 は低入力換算雑音電圧を実現するために大
きな CMOS 入力段を採用しており、ボルテージフォロ
ワ時に発振を生じることなく駆動出来る容量性負荷は
33pF 程度です。このため、使用する回路利得は 14dB(5
倍)以上が実用的となっております。
しかしながらボルテージ・フォロワ構成において容量
性負荷を駆動するテクニックとして図 8 に示すアイソ
レーション抵抗:RISO を使用する方法があります。この
RISO と容量性負荷:CL が極を形成し、位相遅れの緩和、
またはシステム全体の位相余裕の増加が得られます。
RISO を高抵抗にすると出力電圧はより安定します。た
だし、RISO を高抵抗にすると最大出力振幅範囲、出力
短絡電流が低下するとともに、出力での最大信号周波
数帯域も低下します。
NJU77806 の代表的な RISO の値は 330Ω 以上が実用的
です。図 9 に RISO=330Ω での容量性負荷に対する過渡
応答を示します。図 10 に、ボルテージ・フォロワ構成
において安定動作のために必要なアイソレーション抵
抗 RISO 対 容量性負荷 CL のグラフを示します。発振を
防ぐために、容量性負荷に応じて下右図に示す抵抗値
以上のアイソレーション抵抗を挿入してください(図の
抵抗値は基板の寄生容量を最小にした場合の目安の値
です)。
350
300
250
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800
Capacitive Load CL [pF]
1000
図 10. 容量性負荷安定のための
アイソレーション抵抗
RISO
VOUT
VIN
CL
図 8. 容量性負荷のアイソレーション
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Ver.00
[ 10]
NJU77806
■パッケージ外形図
0.425±0.2
2.0±0.2
1.3±0.2
2
(0.245)
3
0.425±0.2
+0.1
0.23-0.05
0-10°
単位: mm
0.05±0.05
0.9±0.1
+0.2
0.2- 0.1
0.65±0.07
+0.05
0.95- 0.15
1
2.1±0.2
4
1.25±0.1
5
+0.1
0.13-0.03
SC88A パッケージ
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な保証を行うものではありません。とくに応用回路
については、製品の代表的な応用例を説明するため
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