NJW4841 J

NJW4841
1ch ゲートドライバ
 概要
NJW4841 は、出力ピーク電流 2A の電流を供給できる
ゲートドライバです。
40V耐圧で幅広い動作電圧(4Vから20V)や、
高速スイッチングが可能です。
サーマルシャットダウン機能を搭載しており、モータ駆動、
スイッチング電源などに最適なゲートドライバです。
 特







長
出力ピーク電流
動作電圧範囲
高速スイッチング
3V / 5V 系ロジック対応
サーマルシャットダウン
低電圧誤動作防止回路
高放熱パッケージ
■
外形
NJW4841R
±2A (peak)
4V to 20V
tr/tf=25ns/20ns(typ.) at CL=2200pF
VSP8
 端子配列
1
8
2
7
3
6
4
5
1. GND
2. GND
3. GND
4. IN
5. GND
6. GND
7. OUT
8. VDD
 ブロック図
VDD
Control
Logic
IN
OUT
UVLO
TSD
GND
Ver.2015-02-27
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NJW4841
 絶対最大定格
項
目
(Ta=25C)
電源電圧
入力電圧
記 号
VDD
VIN
消費電力
PD
接合部温度範囲
動作温度範囲
保存温度範囲
Tj
Topr
Tstg
定
格
40
0.3 to 6
720 (*1)
1100 (*2)
40 to 150
40 to 85
50 to 150
単 位
V
V
備 考
VDD-GND端子
IN-GND端子
mW
–
C
C
C
–
–
–
(*1): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(2層 FR-4)でEIA/JEDEC 準拠による
(*2): 基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(4層 FR-4)でEIA/JEDEC 準拠による (4層基板内箔：74.2×74.2mm)
 推奨動作条件
項
目
動作電源電圧
入力電圧
-2-
(Ta=25C)
記 号
VDD
VIN
最 小
4.0
0
標 準
–
–
最 大
20
5.5
単 位
V
V
備 考
VDD-GND 端子
IN-GND 端子
Ver.2015-02-27
NJW4841
 電気的特性
項
(特記事項なき場合、VDD=16V, Ta=25C)
目
記 号
条
件
最小
標準
最大
単位
VIN=5V
VIN=0V
–
–
1.5
1.3
2.5
2.3
mA
mA
Pulse Width 10s, VOUT=0V
Pulse Width 10s, VOUT=16V
IO-SOURCE=100mA
IO-SINK=100mA
–
–
–
–
60
2
2
2.1
1.5
100
–
–
3.9
2.8
140
A
A


k
全体
電源電流
IQ1
IQ2
出力部
出力プルダウン抵抗
IPK1
IPK2
RDSH
RDSL
ROUTPD
入力回路部
IN端子 High電圧
IN端子 Low電圧
入力プルダウン抵抗
VIHIN
VILIN
RINPD
2.0
0
60
–
–
100
5.5
0.8
140
V
V
k
VUVLO2
VUVLO1
ΔVUVLO
2.8
2.5
–
3.3
3.0
0.3
3.8
3.5
–
V
V
V
–
–
–
–
25
20
40
45
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
出力ピーク電流
出力オン抵抗
低電圧誤動作防止(UVLO) 回路
UVLO 解除電圧
UVLO 動作電圧
UVLO ヒステリシス電圧幅
出力立ち上がり/立ち下がり特性
出力立ち上がり時間
出力立ち下がり時間
立ち上がり遅延時間
立ち下がり遅延時間
Ver.2015-02-27
tr
tf
td_ON
td_OFF
VUVLO2  VUVLO1
CL=2200pF, VIN=0 to 5V
CL=2200pF, VIN=5 to 0V
CL=2200pF, VIN=0 to 5V
CL=2200pF, VIN=5 to 0V
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NJW4841
 タイミングチャート
90%
IN
10%
tr
OUT
tf
90%
90%
10%
10%
td_ON
td_OFF
 応用回路例
V+
VDD
VDD
IN
10F
IN
0.1F
FET
NJW4841
OUT
GND
GND
V+
VDD
VDD
IN
10F
0.1F
IN
IGBT
NJW4841
OUT
GND
GND
大電流、高速スイッチングを行う NJW4841 のアプリケーションは、出力の立ち上がり/立ち下がりに応じて電流が流
れるため基板レイアウトが重要な項目です。
NJW4841 は、スイッチング時の損失を抑えるためにゲートを高速駆動しています。ハイサイド、ローサイド SW に
流れる高速の電流変化が、配線の寄生インダクタンスによって過渡電圧を発生させるため、大電流の流れるラインは太
く、短くし、電流ループ面積を最小限にすることで過渡電圧の低減を図ってください。 あわせて、過渡電圧発生によ
る誤動作・最大定格の超過を防ぐために、電源ライン(VDD 端子)−GND 間にはバイパスコンデンサを挿入してくださ
い。バイパスコンデンサには高周波特性の優れた 0.1µF 以上のセラミックコンデンサを推奨します。
エネルギー吸収用のバイパスコンデンサとして、10µF の電解コンデンサを標準としていますが、負荷の特性やアプリ
ケーション環境に応じてこれ以上の容量を確保してください。これらのバイパスコンデンサは、VDD 端子の近傍に接続
する必要があります。
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Ver.2015-02-27
NJW4841
 特性例
電源電流1 対 周囲温度
電源電流1 対 電源電圧
3
3
VIN=5V
Ta=25C
VDD=16V
2.5
電源電流1：IQ1 [mA]
電源電流1：IQ1 [mA]
2.5
2
1.5
1
2
1.5
1
0.5
0.5
0
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
40
-25
0
25
50
75
100 125 150
周囲温度：Ta [C]
電源電圧：VDD [V]
電源電流2 対 電源電圧
電源電流2 対 周囲温度
3
3
VDD=16V
VIN=0V
Ta=25C
2
1.5
1
0.5
VIN=0V
VDD=4V
2.5
電源電流2：IQ2 [mA]
2.5
電源電流2：IQ2 [mA]
VIN=5V
VDD=4V
2
1.5
1
0.5
0
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
電源電圧：VDD [V]
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
周囲温度：Ta [ºC]
出力ピーク電流 対 周囲温度
4
VDD=16V
出力ピーク電流: Ipk1(ハイサイド)
出力ピーク電流：IPK1/IPK2 [A]
3.5
出力ピーク電流: Ipk2(ローサイド)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
Ver.2015-02-27
-25
0
25 50 75 100 125 150
周囲温度：Ta [ºC]
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NJW4841
 特性例
出力オン抵抗(ローサイド) 対 周囲温度
出力オン抵抗(ハイサイド) 対 周囲温度
5
5
VDD=16V
4.5
4.5
出力オン抵抗：RDSL [Ω]
4
出力オン抵抗：RDSH [Ω]
VDD=16V
Iout=100mA
VIN=5V
VDD=4V
3.5
3
2.5
2
1.5
Iout=100mA
VIN=0V
VDD=4V
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
1
0.5
0.5
0
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
IN端子High/Low電圧 対 周囲温度
IN端子High/Low電圧：V IHIN/ VILIN [V]
3
IN端子High電圧
VDD=16V
IN端子Low電圧
2.5
2
1.5
1
0.5
0
100 125 150
UVLO解除電圧/動作電圧 対 周囲温度
5
VIN=5V
UVLO解除電圧
4.5
UVLO動作電圧
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
周囲温度：Ta [ºC]
VIN=0 to 5V
VDD=16V
CL=2200pF
出力立ち上がり時間
出力立ち下がり時間
50
75
100 125 150
立ち上がり/立ち下がり伝播遅延時間 対 周囲温度
80
70
60
50
40
30
20
10
立ち上がり/立ち下がり伝播遅 延時間
：td_ON/ td_OFF [ns]
100
90
25
周囲温度：Ta [ºC]
出力立ち上がり/立ち下がり時間 対 周囲温度
出力立ち上が り/立ち下がり時間 ：tr/ tf [ns]
75
0
-50
100
立ち上がり伝播遅延時間
90
VIN=0 to 5V
VDD=16V
CL=2200pF
立ち下がり伝播遅延時間
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度：Ta [ºC]
-6-
50
周囲温度：Ta [ºC]
UVLO解除/動作電圧：VUVLO2/ VUVLO1 [V]
周囲温度：Ta [ºC]
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
周囲温度：Ta [ºC]
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NJW4841
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