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カソードマーク
Cathode mark
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品名略号
Type No.
ロット記号
(例)
Date code
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管理番号
(例)
Control No.
2.0
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"(3".4
逆方向特性
Tl=175℃
(MAX)
Tl=175℃
(TYP)
Tl=25℃
(MAX)
(TYP)
Tl=25℃
0.
01
Pulse measurement Per diode
0.
5
1
1.
5
D=tp/T
T
Tj=175℃
DC
D=0.
05
0.
1
0.
2
0.3
0.
3
0.
5
0.2
SIN
0.
8
0.1
0
0
20
40
60
80
ディレーティングカーブ Ta-Io
IO
VR
3
D=tp/T
tp
T
On alumina substrate
DC
DC
D=0.
8
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
2 SIN
0.
3
VR=50V
1.5 0.
2
1
1 0.
0.
0.
0
0
5
5
0.5
0
40
Tl=75°
C(TYP)
C(TYP)
Tl=50°
0.1
Tl=25°
C(TYP)
0.01
Pulse measurement
20
40
60
80
120
VR
tp
D=tp/T
T
VR=50V
D=0.
8
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0.
5
SIN
0.
3
0.
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0.
1
0.
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0
40
80
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40
1
0.5
1
2
3
4
5
Derating Curve Ta-Io
IO
0
0
VR
2
0.
5
1.5
T
On alumina substrate
D=0.
8
SIN
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
0.
3
1
D=tp/T
tp
DC
VR=50V
0.
2
0.
1
0.5
0.
05
0
0
40
80
120
160 180
Ambient Temperature Ta〔℃〕
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
100
30
20
10
0
1
0.
1
1000
Non-repetitive
Tj=25℃
50
0.
05
0.
5
0.
3
Junction Capacitance
10ms10ms
1cycle
60
0.
2
2
DC
接合容量
Sine wave
70
SIN
2.5
1.5
D=0.
8
D=tp/T
T
3 Tj=175℃
ディレーティングカーブ Ta-Io
160 180
Peak Surge Forward Current Capability
80
tp
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Lead Temperature Tl〔 ℃〕
せん頭サージ順電流耐量
IO
0
10
100
Number of Cycles〔cycle〕
10
0.1
Per diode
1
10
Reverse Voltage VR〔V〕
100
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Transient Thermal Impedance
1000
1000
θja
θja
100
IO
0
0
3.5
0
0
100
5 DC
160 180
過渡熱抵抗
80
Reverse Voltage VR〔V〕
6
Ambient Temperature Ta〔℃〕
θja
θja
100
θjl
θjl
10
θjl
θjl
10
1
On alumina substrate
0.1
0.01 -4
10 10-3
Tl=100°
C(TYP)
1
120
0
0
Derating Curve Ta-Io
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
100
Reverse Voltage VR〔V〕
0.
5
10
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Reverse Power Dissipation PR〔W〕
VR
tp
Tl=125°
C(TYP)
ディレーティングカーブ Tl-Io
Derating Curve Tl-Io
Reverse Power Dissipation
0
Tl=150°
C(TYP)
100
0.001
0
2
Forward Voltage VF〔V〕
逆電力損失曲線
Trancient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕
θjl
Tl=175°
C(TYP)
IFSM
0.
001
0
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
0.
1
Forward Power Dissipation PF〔W〕
Reverse Current IR〔μA〕
1
2.5
4
1000
Trancient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕
θjl
Forward Current IF〔A〕
10
0.4
Forward Power Dissipation
10000
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
30
0.5
順電力損失曲線
Reverse Current
Forward Voltage
Junction Capacitance Cj〔pF〕
順方向特性
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
1
On alumina substrate
0.1
0.01 -4
10 10-3
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
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ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
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