本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–29127–3 DATA SHEET ASSP スペクトラム拡散 クロックジェネレータ MB88151A ■ 概要 MB88151A は , EMI (Electro Magnetic Interference) 対策用のクロックジェネレータです。内蔵の変調器で発振周波数を周 期的にわずかに変動させる ( 変調する ) ことで , 不要輻射ノイズ (EMI) のピークを減衰できます。入力周波数を中心として 変調するセンタスプレッドと入力周波数を超えないように変調するダウンスプレッドの両方に対応しています。 ■ 特長 MB88151A100/101 (1 逓倍 ) 入力周波数 / 出力周波数 変調クロック Cycle-Cycle ジッタ MB88151A200/201 (2 逓倍 ) MB88151A400/401 (4 逓倍 ) MB88151A500/501 (1/2 逓倍 ) MB88151A800/801 (8 逓倍 ) 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz/ 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz/ 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz/ 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz/ 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz/ 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz 33.2 MHz ∼ 66.8 MHz 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 100 ps 未満 100 ps 未満 150 ps 未満 200 ps 未満 150 ps 未満 ・ 変調度：± 0.5％, ± 1.5％ ( センタスプレッド ), − 1.0％, − 3.0％ ( ダウンスプレッド ) から端子設定可能 ・ 発振回路搭載：発振範囲 8.3 MHz ∼ 33.4 MHz ・ 変調クロック出力デューティ：40％∼ 60％ ・ CMOS プロセスによる低消費電流：5 mA (24 MHz：Typ サンプル , 無負荷 ) ・ 電源電圧：3.3 V ± 0.3 V ・ 動作温度：− 40 °C ∼＋ 85 °C ・ パッケージ：SOP 8 ピン Copyright©2007-2009 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2009.6 MB88151A ■ 品種構成 MB88151A には , 逓倍により 5 種類のラインアップがあります。 品名 入力周波数 MB88151A-100/101 MB88151A-200/201 MB88151A-400/401 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz MB88151A-500/501 MB88151A-800/801 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 逓倍率 出力周波数 1 逓倍 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz 2 逓倍 33.2 MHz ∼ 66.8 MHz 4 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 1/2 逓倍 ( 分周 ) 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 8 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz ■ 端子配列図 TOP VIEW XIN 1 8 XOUT VSS 2 7 VDD MB88151A SEL0 3 6 ENS/XPD SEL1 4 5 CKOUT FPT-8P-M02 ■ 端子機能説明 端子記号 I/O 端子番号 XIN I 1 発振子の接続端子 / クロック入力 VSS ⎯ 2 GND 端子 SEL0 I 3 変調度設定端子 SEL1 I 4 変調度設定端子 CKOUT O 5 変調クロック出力端子 ENS/XPD I 6 変調イネーブル設定端子 ( プルアップ抵抗付き ) / パワーダウン端子 ( プルアップ抵抗付き ) ＊ VDD ⎯ 7 電源電圧端子 XOUT O 8 発振子の接続端子 機能説明 ＊：XPD ＝ “L” 時プルアップ抵抗 800 kΩ 2 DS04–29127–3 MB88151A ■ 入出力回路形式 端子 回路形式 SEL0, SEL1 備考 CMOS ヒステリシス入力 ENS ・ プルアップ抵抗 50 kΩ 付き ・ CMOS ヒステリシス入力 50 kΩ XPD ・ プルアップ抵抗 50 kΩ ＋ 800 kΩ 付き 50 kΩ 800 kΩ ( 注意事項 ) XPD に “0” 入力があると , 50 kΩ のプルアップ 抵抗は 切り離されます。 ・ CMOS ヒステリシス入力 CKOUT ・ CMOS 出力 ・ IOL ＝ 4 mA （注意事項）XIN, XOUT 端子については「■ 発振回路」を参照してください。 DS04–29127–3 3 MB88151A ■ デバイスの取扱いについて (1) ラッチアップ防止のために 入力端子や出力端子に VDD より高い電圧や VSS より低い電圧を印加した場合 , または , VDD 端子と VSS 端子との間に定 格を超える電圧を印加した場合に , ラッチアップ現象を生じることがあります。ラッチアップが生じると電源電流が激増 し , 素子の熱破壊にいたることがありますので , 使用に際しては最大定格を超えることのないよう十分に注意してくださ い。 (2) 未使用端子の処理について 使用していない入力端子を開放のままにしておくと誤動作の原因となることがありますので , プルアップまたは，プル ダウンの処理をしてください。 使用していない出力端子は , 開放としてください。 (3) 外部クロック使用時の注意について 外部クロック使用時は , XIN 端子にクロックを入力して , XOUT 端子は開放としてください。 XIN 端子の入力クロックにオーバシュートおよびアンダシュートが発生しないように注意してください。 (4) 電源端子について 電流供給源からできる限り低インピーダンスで本デバイスの電源端子に接続するような配慮をお願いいたします。 本デバイスの近くで , VDD 端子と VSS 端子との間に 0.01 μF 程度のセラミックコンデンサと 10 μF 程度の電解コンデン サを並列に接続し , バイパスコンデンサとして接続することをお勧めいたします。 (5) 発振回路について XIN 端子と XOUT 端子の近辺のノイズは , 本デバイスの誤動作の原因となります。XIN 端子または XOUT 端子と発振子 の配線は , 他の配線とできる限り交差しないようにプリント基板を設計してください。 XIN 端子と XOUT 端子の回りをグランドで囲むようなプリント基板を設計してください。 4 DS04–29127–3 MB88151A ■ ブロックダイヤグラム VDD 変調度設定 SEL1 変調度設定 SEL0 PLL 部 変調イネーブル設定 / パワーダウン設定 ENS/XPD 変調クロック 出力 CKOUT 基準クロック XOUT Rf = 1 MΩ XIN VSS 1 − M 位相 比較 基準クロック 1 − N チャージ ポンプ V/I 変数 IDAC ICO 変調クロック出力 ループフィルタ 1 − L 変調ロジック 変調度設定 / 変調イネーブル 設定 MB88151A PLL 部 グリッチレス IDAC ( 電流出力 D/A コンバータ ) により , 正確な変調をかけることが できるため , 大きな EMI 低減効果が得られます。 DS04–29127–3 5 MB88151A ■ 端子設定 端子設定を変更した場合 , 変調クロック安定待ち時間が必要になります。変調クロックの安定待ち時間は 「■電気的 , 特性 ・交流規格 ロックアップタイム」の最大値を確保してください。 ENS 変調イネーブル設定 (MB88151A-100/200/400/500/800) ENS 変調 L なし H あり （注意事項）ENS 端子を “L” に設定すると , スペクトラム拡散しません。ジッタの少ないクロックが得られます。ENS 端 子はプルアップ抵抗付きですので , 開放または “H” を入力することでスペクトラム拡散します。 XPD パワーダウン設定 (MB88151A-101/201/401/501/801) XPD 状態 L パワーダウン状態 H 動作状態 （注意事項）パワーダウン中は出力端子の CKOUT は “L” 出力固定となります。 SEL0, SEL1 変調度設定 SEL1 SEL0 変調度 変調タイプ L L ± 1.5％ センタスプレッド L H ± 0.5％ センタスプレッド H L − 1.0％ ダウンスプレッド H H − 3.0％ ダウンスプレッド （注意事項）変調度は , 端子のレベルで変更できます。 ・センタスプレッド 拡散なし周波数を中心として , スペクトラムを拡散 ( 変調 ) させます。 変調幅 3.0％ 輻射の強度 −1.5% +1.5% 周波数 拡散なし周波数 変調度± 1.5％のセンタスプレッドの例 6 DS04–29127–3 MB88151A ・ダウンスプレッド 拡散なし周波数以下で , スペクトラムを拡散 ( 変調 ) させます。 変調幅 3.0％ 輻射の強度 −3.0% 周波数 拡散なし周波数 変調度− 3.0％のダウンスプレッドの例 DS04–29127–3 7 MB88151A ■ 絶対最大定格 項目 定格値 記号 最小 最大 単位 電源電圧 * VDD − 0.5 ＋ 4.0 V 入力電圧 * VI VSS − 0.5 VDD ＋ 0.5 V 出力電圧 * VO VSS − 0.5 VDD ＋ 0.5 V 保存周囲温度 TST − 55 ＋ 125 °C 動作接合温度 TJ − 40 ＋ 125 °C 出力電流 IO − 14 ＋ 14 mA オーバシュート VIOVER ⎯ VDD ＋ 1.0 (tOVER ≦ 50 ns) V アンダシュート VIUNDER VSS − 1.0 (tUNDER ≦ 50 ns) ⎯ V ＊：VSS ＝ 0.0 V を基準にしています。 ＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 オーバシュート / アンダシュート tUNDER ≦ 50 ns VIOVER ≦ VDD ＋ 1.0 V VDD 入力端子 VSS tOVER ≦ 50 ns 8 VIUNDER ≦ VSS − 1.0 V DS04–29127–3 MB88151A ■ 推奨動作条件 (VSS ＝ 0.0 V) 項目 記号 端子 条件 VDD VDD 規格値 単位 最小 標準 最大 ⎯ 3.0 3.3 3.6 V VIH XIN, SEL0, SEL1, ENS ⎯ VDD × 0.8 ⎯ VDD ＋ 0.3 V “L” レベル入力電圧 VIL XIN, SEL0, SEL1, ENS ⎯ VSS ⎯ VDD × 0.2 V 入力クロック デューティサイクル tDCI XIN 8.3 MHz ∼ 33.4 MHz 40 50 60 ％ 動作温度 Ta ⎯ ⎯ − 40 ⎯ ＋ 85 °C 電源電圧 “H” レベル入力電圧 ＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条 件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼 性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。 入力クロックデューティサイクル (tDCI ＝ tb/ta) ta tb XIN DS04–29127–3 1.5 V 9 MB88151A ■ 電気的特性 ・直流規格 (Ta ＝− 40 °C ∼＋ 85 °C, VDD ＝ 3.3 V ± 0.3 V, VSS ＝ 0.0 V) 項目 電源電流 記号 ICC 端子 条件 VDD VOH CKOUT 出力電圧 VOL 出力インピーダンス 入力容量 負荷容量 入力プルアップ抵抗 10 規格値 単位 最小 標準 最大 24 MHz 出力時 負荷容量なし MB88151A-100 ⎯ 5.0 7.0 mA パワーダウン時 MB88151A-101 ⎯ 10 ⎯ μA “H” レベル出力 IOH ＝− 4 mA VDD − 0.5 ⎯ VDD V “L” レベル出力 IOL ＝ 4 mA VSS ⎯ 0.4 V ZO CKOUT 8.3 MHz ∼ 133.6 MHz ⎯ 45 ⎯ Ω CIN XIN, SEL0, SEL1, ENS Ta ＝＋ 25 °C, VDD ＝ VI ＝ 0.0 V, f ＝ 1 MHz ⎯ ⎯ 16 pF 8.3 MHz ∼ 66.8 MHz ⎯ ⎯ 15 66.8 MHz ∼ 100 MHz ⎯ ⎯ 10 100 MHz ∼ 133.6 MHz ⎯ ⎯ 7 CL CKOUT RPUE ENS VIL ＝ 0.0 V 25 50 200 RPUP XPD VIL ＝ 0.0 V 500 800 1200 pF kΩ DS04–29127–3 MB88151A ・交流規格 (Ta ＝− 40 °C ∼＋ 85 °C, VDD ＝ 3.3 V ± 0.3 V, VSS ＝ 0.0 V) 項目 発振周波数 入力周波数 記号 端子 条件 fx XIN, XOUT fin XIN 最小 標準 最大 基本波発振 8.3 ⎯ 33.4 外部クロック入力 (1, 2, 4 逓倍 , 2 分周 ) 16.6 ⎯ 33.4 外部クロック入力 (8 逓倍 ) 8.3 ⎯ 16.7 16.6 ⎯ 33.4 33.2 ⎯ 66.8 66.4 ⎯ 133.6 8.3 ⎯ 16.7 66.4 ⎯ 133.6 MB88151A-100/101 (1 逓倍 ) MB88151A-200/201 (2 逓倍 ) 出力周波数 fOUT CKOUT 規格値 MB88151A-400/401 (4 逓倍 ) MB88151A-500/501 (2 分周 ) MB88151A-800/801 (8 逓倍 ) 単位 MHz MHz MHz 出力スルーレート SR CKOUT 0.4 V ∼ 2.4 V 負荷容量 15 pF 0.4 ⎯ 4.0 V/ns 出力クロックデューティ サイクル tDCC CKOUT 1.5 V 40 ⎯ 60 ％ MB88151A-100/101, MB88151A-200/201, MB88151A-400/401, CKOUT MB88151A-500/501 fin/2200 (2200) fin/1900 (1900) fin/1600 (1600) kHz (clks) MB88151A-800/801 fin/880 (880) fin/760 (760) fin/640 (640) kHz (clks) 8.3 MHz ∼ 80 MHz ⎯ 2 5 80 MHz ∼ 133.6 MHz ⎯ 3 8 MB88151A-100/101, MB88151A-200/201 負荷容量なし , Ta ＝＋ 25 °C, VDD ＝ 3.3 V ⎯ ⎯ 100 MB88151A-400/401, MB88151A-800/801 CKOUT 負荷容量なし , Ta ＝＋ 25 °C, VDD ＝ 3.3 V ⎯ ⎯ 150 MB88151A-500/501 負荷容量なし , Ta ＝＋ 25 °C, VDD ＝ 3.3 V ⎯ ⎯ 200 変調周期 (1 変調あたりの入力 クロック数 ) ロックアップタイム サイクル−サイクルジッタ fMOD (nMOD) tLK tJC CKOUT ms ps-rms （注意事項）電源投入後やパワーダウン解除後 , または FREQ( 周波数範囲 ) 設定 , ENS( 変調有無 ) 設定を変更した場合 , 変調クロックの安定待ち時間が必要になります。変調クロックの安定待ち時間は , ロックアップタイムの最 大値を確保してください。 DS04–29127–3 11 MB88151A ＜変調周波数 , 1 変調あたりの入力クロック数の定義＞ fOUT ( 出力周波数 ) 変調波形 t fMOD (Min) クロック数 nMOD (Max) fMOD (Max) クロック数 nMOD (Min) t 本製品では , 良好な EMI 低減効果を実現するために , 変調周期を複合しています。 変調周期 fMOD は , 入力周波数に依存し , fMOD (Min) から fMOD (Max) の間で変動します。 なお , 変調周期 fMOD の平均値は , 電気的特性の標準値と一致します。 12 DS04–29127–3 MB88151A ■ 出力クロックデューティサイクル (tDCC ＝ tb/ta) ta tb 1.5 V CKOUT ■ 入力周波数 (fin ＝ 1/tin) tin 0.8 VDD XIN ■ 出力スルーレート (SR) 2.4 V 0.4 V CKOUT tf tr ( 注意事項 ) SR ＝ (2.4 − 0.4) /tr, SR ＝ (2.4 − 0.4) /tf ■ サイクル−サイクルジッタ (tJC ＝ |tn − tn ＋ 1| ) CKOUT tn tn+1 ( 注意事項 ) サイクル−サイクルジッタは , あるサイクルと直後 ( あるいは直前 ) のサイクルとの差を示します。 DS04–29127–3 13 MB88151A ■ 変調波形 ・変調度 ± 1.5％, センタスプレッドの例 CKOUT 出力周波数 + 1.5 % 変調 off 時の周波数 時間 − 1.5 % fMOD ・変調度 − 1.0％, ダウンスプレッドの例 CKOUT 出力周波数 変調 off 時の周波数 時間 − 0.5 % − 1.0 % fMOD 14 DS04–29127–3 MB88151A ■ ロックアップタイム 3.0 V VDD 入力クロック 安定待ち時間 XIN 設定端子 SEL0, SEL1, ENS VIH tLK ( ロックアップタイム ) CKOUT 設定端子が “H” レベルまたは “L” レベル固定の場合 , 設定したクロックが CKOUT 端子から出力されるのは , 電源投入後 から , 最大で (XIN 端子へ入力するクロック安定待ち時間 ) ＋ ( ロックアップタイム tLK) 後になります。 入力クロック安定待ち時間は , ご使用の発振子または発振器の特性をご確認ください。 XIN ENS VIH VIL tLK ( ロックアップタイム ) tLK ( ロックアップタイム ) CKOUT 通常動作中に , ENS 端子にて変調イネーブル制御を行う場合 , 設定したクロックが CKOUT 端子から出力されるのは , ENS 端子のレベルが決定してから最大でロックアップタイム tLK 後になります。 （注意事項） 端子設定を変更した場合 , CKOUT 端子からの出力クロック安定待ち時間が必要です。出力クロックが安定 するまでの期間は出力周波数 , 出力クロックデューティサイクル , 変調周期およびサイクル−サイクルジッ タを保証できません。よって , ロックアップタイム経過後から , 後段のデバイスリセットを解除するなどの 処置を推奨いたします。 XIN 入力クロック安定 待ち時間 XPD tLK ( ロックアップタイム ) CKOUT XPD 端子にてパワーダウン制御を行う場合 , 所望のクロックが得られるのは , XPD 端子が H レベルになってから最大 でロックアップタイム tLK 経過後になります。 DS04–29127–3 15 MB88151A ■ 発振回路 発振子の接続の一例を下図に示します。発振回路には帰還抵抗 (Rf) を内蔵しています。容量 (C1, C2) の値は個々の発振子 の最適定数に合わせる必要があります。 最適定数に関しましては , 個々の発振子によって異なりますので , ご使用の発振子メーカーにお問い合わせください。 外部クロックを使用する場合 ( 発振子を使用しない場合 ) は , XIN 端子にクロック入力し , XOUT 端子には何も接続し ないでください。 ・発振子使用時 MB88151A LSI 内部 Rf (1 MΩ) XIN 端子 XOUT 端子 MB88151A LSI 外部 C1 C2 ・外部クロック使用時 MB88151A LSI 内部 Rf (1 MΩ) XOUT 端子 XIN 端子 MB88151A LSI 外部 外部クロック OPEN ( 注意事項 ) 入力クロックのジッタ特性によっては , サイクル−サイクルジッタ特性に影響を与える場合が ありますので , ご注意ください。 16 DS04–29127–3 MB88151A ■ 接続回路例 C1 C2 Xtal 1 8 7 2 MB88151A SEL0 3 6 4 5 + ENS R1 SEL1 C4 C1, C2 C3 C4 R1 DS04–29127–3 C3 ：発振安定容量 (「■ 発振回路」を参照 ) ：10 μF 以上のコンデンサ ：0.01 μF 程度のコンデンサ ( 積層セラミックコンデンサなどの高周波 特性の良いものを本デバイスの直近に接続 ) ：基板パターンとのインピーダンスマッチング用抵抗 17 MB88151A ■ スペクトラム特性例 入力周波数＝ 20 MHz ( 出力周波数＝ 20 MHz：MB88151A-100 (1 逓倍 ) 使用 ) 電源電圧＝ 3.3 V, 負荷容量なし , 変調度＝± 1.5％ ( センタスプレッド ) における特性例です。 CKOUT 端子にスペクトラムアナライザ HP4396B を接続し , RBW ＝ 1 kHz で測定した結果です ( − 6 dB のアッテネータ 使用 ) 。 CH B Spectrum 10 dB /REF 0 dBm 変調なし − 6.54 dBm Avg 4 ± 1.5％変調 − 24.45 dBm RBW# 1 kHZ VBW 1 kHZ CENTER 20 MHZ 18 ATT 6 dB SWP 2.505 s SPAN 4 MHZ DS04–29127–3 MB88151A ■ オーダ型格 型格 入力周波数 逓倍率 MB88151APNF-G-100-JNE1 MB88151APNF-G-101-JNE1 MB88151APNF-G-200-JNE1 MB88151APNF-G-201-JNE1 MB88151APNF-G-400-JNE1 MB88151APNF-G-401-JNE1 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz MB88151APNF-G-500-JNE1 MB88151APNF-G-501-JNE1 MB88151APNF-G-800-JNE1 MB88151APNF-G-801-JNE1 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz MB88151APNF-G-100-JNEFE1 MB88151APNF-G-101-JNEFE1 MB88151APNF-G-200-JNEFE1 MB88151APNF-G-201-JNEFE1 MB88151APNF-G-400-JNEFE1 MB88151APNF-G-401-JNEFE1 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz MB88151APNF-G-500-JNEFE1 MB88151APNF-G-501-JNEFE1 MB88151APNF-G-800-JNEFE1 MB88151APNF-G-801-JNEFE1 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz MB88151APNF-G-100-JNERE1 MB88151APNF-G-101-JNERE1 MB88151APNF-G-200-JNERE1 MB88151APNF-G-201-JNERE1 MB88151APNF-G-400-JNERE1 MB88151APNF-G-401-JNERE1 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz MB88151APNF-G-500-JNERE1 MB88151APNF-G-501-JNERE1 MB88151APNF-G-800-JNERE1 MB88151APNF-G-801-JNERE1 DS04–29127–3 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 出力周波数 1 逓倍 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz 2 逓倍 33.2 MHz ∼ 66.8 MHz 4 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 1/2 逓倍 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 8 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 1 逓倍 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz 2 逓倍 33.2 MHz ∼ 66.8 MHz 4 逓倍 パッケージ 備考 プラスチック・ エンボステーピング SOP, 8 ピン 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz (FPT-8P-M02) (EF タイプ ) 1/2 逓倍 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 8 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 1 逓倍 16.6 MHz ∼ 33.4 MHz 2 逓倍 33.2 MHz ∼ 66.8 MHz 4 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz 1/2 逓倍 8.3 MHz ∼ 16.7 MHz 8 逓倍 66.4 MHz ∼ 133.6 MHz エンボステーピング (ER タイプ ) 19 MB88151A ■ パッケージ・外形寸法図 プラスチック・SOP, 8ピン リードピッチ 1.27mm パッケージ幅× パッケージ長さ 3.9 × 5.05mm リード形状 ガルウィング 封止方法 プラスチックモールド 取付け高さ 1.75mm MAX 質量 0.06g (FPT-8P-M02) プラスチック・SOP, 8ピン (FPT-8P-M02) +0.25 注 1）*1 印寸法はレジン残りを含む。 注 2）* 2 印寸法はレジン残りを含まず。 注 3）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。 注 4）端子幅はタイバ切断残りを含まず。 +.010 +0.03 *1 5.05 –0.20 .199 –.008 0.22 –0.07 +.001 .009 –.003 8 5 *2 3.90±0.30 6.00±0.40 (.154±.012) (.236±.016) Details of "A" part 45˚ 1.55±0.20 (Mounting height) (.061±.008) 0.25(.010) 0.40(.016) 1 "A" 4 1.27(.050) 0.44±0.08 (.017±.003) 0.13(.005) 0~8˚ M 0.50±0.20 (.020±.008) 0.60±0.15 (.024±.006) 0.15±0.10 (.006±.004) (Stand off) 0.10(.004) ©2002-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED F08004S-c-4-8 2002 FUJITSU LIMITED F08004S-c-4-7 単位：mm （inches） 注意：括弧内の値は参考値です。 最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。 http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/ 20 DS04–29127–3 MB88151A MEMO DS04–29127–3 21 MB88151A MEMO 22 DS04–29127–3 MB88151A MEMO DS04–29127–3 23 MB88151A 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 プロモーション推進部