P4SMA220 ... P4SMA550CA P4SMA220 ... P4SMA550CA PPPM = 400W PM(AV) = 1.0 W Tjmax = 150°C SMD Transient Voltage Suppressor Diodes SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden VWM = 175 ... 495 V VBR = 220 ... 550 V Version 2016-05-31 ± 0.2 2.2± 0.2 2.1± 0.2 5 0.15 Type Typ 1.5±0.1 2.7± 0.2 1± 0.3 Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade 1) Typische Anwendungen Schutz gegen Überspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausführung 1) Features Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 400 W 400 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Further available: P4SMAJ5.0...170CA Auch erhältlich: P4SMAJ5.0...170CA having VVM = 5.0 ... 170 V mit VWM = 5.0 ... 170 V Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb Conflict Minerals 1) Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE 4.5± 0.3 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled Dimensions - Maße [mm] Type Code = VBR. Cathode mark only at unidirectional types EL V ~ SMA / ~ DO-214AC 7500 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen Typ-Code = VBR. Kathoden-Markierung nur bei unidirektionalen Typen MSL = 1 For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 400 W 3) Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 1W Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz TA = 25°C IFSM 40 A 4) Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Max. instantaneous forward voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung Kennwerte IF = 25 A VBR ≤ 550 V Thermal resistance junction to ambien –Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss 1 2 3 4 5 VF < 3.5 V 4) RthA RthT < 70 K/W 5) < 30 K/W Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 P4SMA220 ... P4SMA550CA Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ unidirectional Kennwerte (Tj = 25°C) Breakdown voltage at IT = 1 mA Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA bidirectional VBR [V] P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA Stand-off Max. rev. current Max. clamping voltage voltage Max. Sperrstrom Max. Begrenzer-Spannung Sperrspannung at / bei VWM at / bei IPPM (10/1000 µs) VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A] VWM = 5.0 ... 170V P4SMA220 P4SMA220C 220 ± 10% 198...242 175 5 344 1.2 P4SMA220A P4SMA220CA 220 ± 5% 209...231 185 5 328 1.2 P4SMA250 P4SMA250C 250 ± 10% 225...275 202 5 360 1.1 P4SMA250A P4SMA250CA 250 ± 5% 237...263 214 5 344 1.2 P4SMA300 P4SMA300C 300 ± 10% 270...330 243 5 430 0.93 P4SMA300A P4SMA300CA 300 ± 5% 285...315 256 5 414 0.97 P4SMA350 P4SMA350C 350 ± 10% 315...385 284 5 504 0.79 P4SMA350A P4SMA350CA 350 ± 5% 332...368 300 5 482 0.83 P4SMA400 P4SMA400C 400 ± 10% 360...440 324 5 574 0.70 P4SMA400A P4SMA400CA 400 ± 5% 380...420 342 5 548 0.73 P4SMA440 P4SMA440C 440 ± 10% 396...484 356 5 631 0.63 P4SMA440A P4SMA440CA 440 ± 5% 418...462 376 5 602 0.66 P4SMA480 P4SMA480C 480 ± 10% 432...528 388 5 686 0.58 P4SMA480A P4SMA480CA 480 ± 5% 456...504 408 5 658 0.61 P4SMA530 P4SMA530C 530 ± 10% 477...583 429 5 764 0.52 P4SMA530A P4SMA530CA 530 ± 5% 503...556 477 5 729 0.55 P4SMA550 P4SMA550C 550 ± 10% 495...605 445 5 793 0.50 P4SMA550A P4SMA550CA 550 ± 5% 522...577 495 5 760 0.53 TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P4SMAJ65 TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P4SMAJ65 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG P4SMA220 ... P4SMA550CA 120 [%] tr = 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 50 100 150 [°C] IPPM/2 PPPM/2 tP 0 t 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) 2 10 [kW] 1 10 1 PPP 0.1 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) unidir. bidir. VR = 4 V [pF] Cj [V] VZ Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3