MUR120 ... MUR160 MUR120 ... MUR160 IFAV = 1 A VRRM = 200...600 V VF < 0.85...1.25 V IFSM = 32/35 A Tjmax = 175°C trr < 25...50 ns Superfast Efficient Rectifier Diodes Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad Version 2015-11-20 -0.1 +0.1 5.1 -0.5 Type +0.5 Ø 0.77±0.07 Features Very low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Standardausführung 1) RoHS Pb EE WE 62.5 -4.5 Ø 2.6 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High efficient switching stages Commercial grade 1) EL V ~DO-41 / ~DO-204AC Besonderheiten Sehr niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) Taped in ammo pack 5000 Weight approx. 0.35 g Gegurtet in Ammo-Pack Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen Dimensions - Maße [mm] MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] MUR120 200 200 MUR130 300 300 MUR140 400 400 MUR160 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 1 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 32/35 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MUR120 ... MUR160 Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) trr [ns] 2) VF [V] MUR120 < 25 < 35 < 0.875 1 MUR130 ... MUR160 < 50 < 75 < 1.25 1 Leakage current Sperrstrom Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität at / bei IF = [A] VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 9 pF Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 45 K/W 3) Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 10 120 [%] [A] 100 MUR120 1 80 MUR130...160 60 0.1 40 10 -2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Tj = 25°C VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 10 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 3 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG