MUR860

MUR860
MUR860
IFAV = 8 A
VF1 < 1.4 V
Tjmax = 175°C
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
VRRM = 600 V
IFSM = 90/100 A
trr1 < 50ns
Version 2016-01-22
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
±0.3
Type
Typ
0.42
3
4
Features
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
±0.1
1.3
1
3
Besonderheiten
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
±0.1
13.9±0.3
1
2.67±0.2
2.8 ±0.3
Ø 3.8±0.2
4
8.7 ±0.3
4.5
14.9 ±0.7
±0.2
10.1
3.9 ±0.3
±0.2
1.2
EL
V
TO-220AC
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data 1)
±0.2
0.8
5.08±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Packed in tubes
50
Weight approx.
1.8 g
Verpackt in Stangen
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
600
600
MUR860
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 150°C
IFAV
8 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
MUR860
f > 15 Hz
IFRM
18 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
MUR860
TA = 25°C
IFSM
90 / 100 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral, t < 10 ms
MUR860
TA = 25°C
i2t
40 A2s
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
Kennwerte
VR = VRRM
MUR860
Tj = 25°C
IR
< 5 µA
Tj = 150°C
IR
< 500 µA
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 75 K/W 3)
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 2.0 K/W
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MUR860
Characteristics
Type
Typ
Kennwerte
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns] 1)
trr [ns] 2)
VF [V] @ IF = 5 A
VF [V] @ IF = 8 A
< 50
< 60
< 1.4
< 1.5
MUR860
Junction capacitance – Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
Cj
typ. 220 pF
100
120
[%]
[A]
100
10
80
Tj = 150°C
Tj = 25°C
60
1
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TC
50
100
150
[°C]
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses
10
2
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V
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© Diotec Semiconductor AG