MUR860 MUR860 IFAV = 8 A VF1 < 1.4 V Tjmax = 175°C Superfast Efficient Rectifier Diodes Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad VRRM = 600 V IFSM = 90/100 A trr1 < 50ns Version 2016-01-22 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High efficient switching stages Free-wheeling diodes Commercial grade 1) ±0.3 Type Typ 0.42 3 4 Features Very low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) ±0.1 1.3 1 3 Besonderheiten Sehr niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE ±0.1 13.9±0.3 1 2.67±0.2 2.8 ±0.3 Ø 3.8±0.2 4 8.7 ±0.3 4.5 14.9 ±0.7 ±0.2 10.1 3.9 ±0.3 ±0.2 1.2 EL V TO-220AC Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Freilaufdioden Standardausführung 1) Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) ±0.2 0.8 5.08±0.1 Dimensions - Maße [mm] Packed in tubes 50 Weight approx. 1.8 g Verpackt in Stangen Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 600 600 MUR860 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C IFAV 8 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom MUR860 f > 15 Hz IFRM 18 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle MUR860 TA = 25°C IFSM 90 / 100 A Rating for fusing Grenzlastintegral, t < 10 ms MUR860 TA = 25°C i2t 40 A2s Characteristics Leakage current Sperrstrom Kennwerte VR = VRRM MUR860 Tj = 25°C IR < 5 µA Tj = 150°C IR < 500 µA Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 75 K/W 3) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.0 K/W 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MUR860 Characteristics Type Typ Kennwerte Reverse recovery time Sperrverzugszeit Reverse recovery time Sperrverzugszeit Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns] 1) trr [ns] 2) VF [V] @ IF = 5 A VF [V] @ IF = 8 A < 50 < 60 < 1.4 < 1.5 MUR860 Junction capacitance – Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj typ. 220 pF 100 120 [%] [A] 100 10 80 Tj = 150°C Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TC 50 100 150 [°C] VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses 10 2 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG