US1A ... US1M US1A ... US1M IFAV = 1 A VF1 < 1.0 V Tjmax = 150°C Ultrafast Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug VRRM = 50...1000 V IFSM = 30 A trr < 50...75 ns Version 2015-10-22 ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 0.15 Features VRRM up to 1000 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Standardausführung 1) Besonderheiten VRRM bis zu 1000 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE ± 0.3 1 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High speed switching Commercial grade 1) EL V ~ SMA / ~ DO-214AC 1.5 ±0.1 2.7 ± 0.2 Mechanical Data 1) Type Typ Taped and reeled Weight approx. 4.5± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] US1A 50 50 US1B 100 100 US1D 200 200 US1G 400 400 US1J 600 600 US1K 800 800 US1M 1000 1000 2) Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 3) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 US1A ... US1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] US1A...US1D < 50 < 1.0 1 US1G < 50 < 1.25 1 US1J...US1M < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA VR = 4 V Cj 10 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 70 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W 10 120 [%] [A] 100 US1A...D 1 80 US1G US1J...M 0.1 60 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TT 50 100 150 [°C] Tj = 25°C VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG