US1A

US1A ... US1M
US1A ... US1M
IFAV = 1 A
VF1 < 1.0 V
Tjmax = 150°C
Ultrafast Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 30 A
trr
< 50...75 ns
Version 2015-10-22
± 0.2
2.2 ± 0.2
2.1 ± 0.2
5
0.15
Features
VRRM up to 1000 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Besonderheiten
VRRM bis zu 1000 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
± 0.3
1
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
EL
V
~ SMA / ~ DO-214AC
1.5 ±0.1
2.7 ± 0.2
Mechanical Data 1)
Type
Typ
Taped and reeled
Weight approx.
4.5± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
Mechanische Daten 1)
7500 / 13“
Gegurtet auf Rolle
0.07 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2)
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
US1A
50
50
US1B
100
100
US1D
200
200
US1G
400
400
US1J
600
600
US1K
800
800
US1M
1000
1000
2)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
6 A 3)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
US1A ... US1M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
US1A...US1D
< 50
< 1.0
1
US1G
< 50
< 1.25
1
US1J...US1M
< 75
< 1.7
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
VR = 4 V
Cj
10 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 70 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 30 K/W
10
120
[%]
[A]
100
US1A...D
1
80
US1G
US1J...M
0.1
60
40
10-2
20
IF
IFAV
0
10-3
0
TT
50
100
150
[°C]
Tj = 25°C
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG