SFE1A ... SFE1M SFE1A ... SFE1M Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2015-01-23 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.5 _ 0.4 Type Typ 0.5 _ 0.4 0.1 2.5 +_ 0.2 5.0±0.3 1A 50...1000 V Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SFE1A 50 50 SFE1B 100 100 SFE1D 200 200 SFE1G 400 400 SFE1J 600 600 SFE1K 800 800 SFE1M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TS Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SFE1A ... SFE1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] SFE1A...SFE1D < 50 < 1.0 1 SFE1G < 50 < 1.25 1 SFE1J...SFE1M < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 10 K/W 10 120 [%] [A] 100 SFE1A...D 1 80 SFE1G 60 SFE1J...M 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 2 Tj = 25°C -3 10 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG