MURS320 MURS360

MUR320 ... MUR360
MURS320 ... MURS360
Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes
Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-12-20
Nominal current – Nennstrom
7.9±0.2
2.2
2.1
±0.3
±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.15
5.8
Type
Typ
200...600 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMC
~ DO-214AB
Weight approx. – Gewicht ca.
0.21g
3
±0.2
1.2
3A
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
±0.5
7.2
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 3 A
MURS320
200
200
< 0.90
MURS340
400
400
< 1.25
MURS360
600
600
< 1.25
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
3A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
20 A2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
100A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
1
2
TS
50 A2s
-50...+175°C
-50...+175°C
Tj = 25°C
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MUR320 ... MUR360
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
MURS320
MURS340 , MURS360
IR
< 5 µA
< 150 µA
Tj = 150°C
MURS320
MURS340 , MURS360
IR
< 10 µA
< 250µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
MURS320
MURS340 , MURS360
trr [ns]
< 25 ns
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 50 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 11 K/W
CJ
typ. 75pF
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4V
120
f = 1MHz
102
[%]
[A]
100
MURS320
10
80
1
60
MURS340 , MURS360
40
10-1
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10-2
0.6
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
VF
1.0
1.2
1.4
1.6
[V] 2.0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
[pF]
[mA]
Tj = 125°C
1
10-1
Cj
Ir
VR
10-2
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
1
2
Tj = 25°C
0
VRRM
40
60
80
100
[%]
Typ. leakage current vs. reverse voltage
Typ. Sperrstrom in Abh. v. d. Sperrspannung
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG