SI-E8000

SI-E8000/3600-4
SI-E8000/3600-4
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Si-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2014-01-21
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom
4A
Alternating input voltage – Eingangswechselspannung
8000 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Ø 49 x 257 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
600 g
Compound has classification UL94V-0 – Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Suitable for oil cooled operation – Für Betrieb unter Öl geeignet
Standard packaging bulk – Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Rated DC voltage
Anschlussgleichspg.
VRD [V]
Alternat. input voltage
Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
3600
8000
SI-E8000/3600-4
Rep. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspg.
VRRM [V]
24000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 45°C
IFAV
4A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 45°C
IFSM
200/220 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 45°C
i2t
200 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M8
< 72 lb.in.
< 8 Nm
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 45°C VR = VRRM
Tj = 150°C VR = VRRM
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
IF = 4 A
VF
< 12 V
IR
IR
< 5 µA
< 1 mA
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