SI-E8000/3600-4 SI-E8000/3600-4 High Voltage Silicon Rectifier Diodes Si-Hochspannungs-Gleichrichterdioden Version 2014-01-21 Dimensions - Maße [mm] Nominal current – Nennstrom 4A Alternating input voltage – Eingangswechselspannung 8000 V Plastic case – Kunststoffgehäuse Ø 49 x 257 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 600 g Compound has classification UL94V-0 – Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Suitable for oil cooled operation – Für Betrieb unter Öl geeignet Standard packaging bulk – Standard Lieferform lose im Karton Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Rated DC voltage Anschlussgleichspg. VRD [V] Alternat. input voltage Eingangswechselspg. VVRMS [V] 3600 8000 SI-E8000/3600-4 Rep. peak reverse voltage Period. Spitzensperrspg. VRRM [V] 24000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 45°C IFAV 4A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 45°C IFSM 200/220 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 45°C i2t 200 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M8 < 72 lb.in. < 8 Nm Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 45°C VR = VRRM Tj = 150°C VR = VRRM © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ IF = 4 A VF < 12 V IR IR < 5 µA < 1 mA 1