GBS4A

GBS4A ... GBS4M
GBS4A ... GBS4M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2014-12-09
Nominal current – Nennstrom
19
10
Type
Typ
0.25
0.8
5
5
Plastic case
Kunststoffgehäuse
50...1000 V
19 x 10 x 3.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
1.2
8.7- 1.0
= =
_
~
~
+
4A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1
3.5
5
Dimensions - Maße [mm]
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBS4A
35
50
GBS4B
70
100
GBS4D
140
200
GBS4G
280
400
GBS4J
420
600
GBS4K
560
800
GBS4M
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
16 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
80/90 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
32 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
GBS4A ... GBS4M
Characteristics
Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
2.3 A 1)
1.8 A 1)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
4A
3.2 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 2 A
VF
< 1.05 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 40 K/W
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 12 K/W
120
10
2
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
60
1
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
2
2
90a-(2a-1.05v)
-2
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG