GBV15A GBV15M

GBV15A ... GBV15M
GBV15A ... GBV15M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2012-08-01
21.6
3.4
±0.3
0.5±0.05
GBV...
~ ~
+
±0.2
1.8
±0.2
2.4
–
5.6
10
±0.2
±0.3
3.7
Nominal current
Nennstrom
±0.7
1.1
2±0.2
2.6
max
±0.2
5.08
±0.2
18.5±0.5
±0.1
15 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
21.5 x 3.4 x 18.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
3.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBV15A
35
50
GBV15B
70
100
GBV15D
140
200
GBV15G
280
400
GBV15J
420
600
GBV15K
560
800
GBV15M
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
42 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
210/240 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
1
Tj
TS
M3
220 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T A = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
GBV15A ... GBV15M
Characteristics
Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
10.5 A 1)
7.4 A 1)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TC = 100°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
15.0 A
12.0 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 7.5 A
VF
< 1.1 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Type
Typ
RthC
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
< 2.2 K/W
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [Ω]
GBV15A
25000
0.2
GBV15B
10000
0.5
GBV15D
5000
1.0
GBV15G
2500
2.0
GBV15J
1666
3.0
GBV15K
1250
4.0
GBV15M
1000
5.0
120
103
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
2
10
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10-1
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
2
2
250a-(7.5a-1,05v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T A = 50°C gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG