AG6A ... AG6M AG6A ... AG6M Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung Version 2012-02-22 Ø 5.7-0.2 Nominal current Nennstrom 6A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Weight approx. –Gewicht ca. Ø 5.0-0.3 0.3 g 2.3 max Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] AG6A 50 80 AG6B 100 130 AG6D 200 250 AG6G 400 450 AG6J 600 700 AG6K 800 1000 AG6M 1000 1300 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 6A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 40 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 360/400 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 650 A2s Tj -50...+125°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 6 A VF < 0.95 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA 1 Max. temperature of the cell T = 125°C – Max. Temperatur der Zelle T = 125°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1