AG12A ... AG12M AG12A ... AG12M Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung Version 2007-07-26 Ø 6.8 Nominal current Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Weight approx. – Gewicht ca. 0.3 g Ø 5.5 2.3 max Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] AG12A 50 80 AG12B 100 130 AG12D 200 250 AG12G 400 450 AG12J 600 700 AG12K 800 1000 AG12M 1000 1300 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 12 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 500/550 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 1250 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12 A VF < 0.95 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA 1 Max. temperature of the cell T = 150°C – Max. Temperatur der Zelle T = 150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1