SD101B ... SD101C SD101B ... SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2012-07-03 Nominal current Nennstrom 15 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.9 62.5 Glass case Glasgehäuse ~ DO-35 ~ SOD-27 Weight approx. Gewicht ca. ±0.4 ±3 Ø 1.9±0.1 40...50 V 0.04g Equivalent SMD version Äquivalente SMD-Ausführung Ø max 0.5 LL101B...LL101C Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] / IF = 1 mA VF [V] / IF = 15 mA SD101C 40 < 0.39 < 0.9 SD101B 50 < 0.4 < 0.95 Power dissipation Verlustleistung TA = 25°C Ptot 400 mW 1) Peak forward surge current, 10 µs square pulse Stoßstrom für einen 10 µs Rechteckimpuls TA = 25°C IFSM 2A Leakage current, Tj = 25°C Sperrstrom SD101C SD101B VR = 30 V VR = 40 V IR IR < 200 nA < 200 nA Junction Capacitance Sperrschichtkapazität VR = 0 V f = 1 MHz Cj < 2.2 pF IF = 5 mA through/über IR = 5 mA to IR = 0.5 mA trr typ. 1 ns Tj TS +200°C -55...+200°C RthA <300 K/W 1) Reverse recovery time Sperrverzugszeit Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Thermal Resistance Junction – Ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1