テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPIM™3modulewithfasttrench/fiedstopIGBT³andEmitterControlled3diode 暫定データ PreliminaryData IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 600 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 335 W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,10 0,10 0,10 µs µs µs tr 0,06 0,065 0,07 µs µs µs td off 0,60 0,65 0,70 µs µs µs tf 0,07 0,10 0,12 µs µs µs ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 24 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 24 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 24 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 24 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 24 Ω Tvj = 150°C Eon 4,85 5,70 6,00 mJ mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 24 Ω Tvj = 150°C Eoff 3,70 4,40 4,60 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 700 500 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,14 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 1 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 0,45 K/W K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 600 V IF 100 A IFRM 200 A I²t 1100 990 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,55 1,50 1,45 1,95 A²s A²s 順電圧 Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 50,0 60,0 65,0 A A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 3,00 6,30 7,50 µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 100 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 0,50 1,05 1,30 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,25 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 V V V 0,80 K/W K/W 150 °C Diode、整流器/Diode,Rectifier 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V 最大実効順電流/chip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 100 A 整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 100 A サージ順電流 Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 740 580 A A 電流二乗時間積 I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 2750 1700 A²s A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,10 V IR 1,00 mA /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,155 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 順電圧 Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 100 A 逆電流 Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase 2 0,50 K/W K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 600 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 190 W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,10 0,10 0,10 µs µs µs tr 0,06 0,065 0,07 µs µs µs td off 0,60 0,65 0,70 µs µs µs tf 0,04 0,05 0,06 µs µs µs ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 43 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 43 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 43 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 43 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGon = 43 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon 2,30 2,75 2,90 mJ mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = ±15 V RGoff = 43 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 1,75 2,10 2,15 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C ISC 350 250 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,25 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 3 0,80 K/W K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 600 V IF 30 A IFRM 60 A I²t 90,0 82,0 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,00 A²s A²s 順電圧 Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 22,0 24,0 27,0 A A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,15 2,30 2,70 µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,12 0,30 0,36 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,56 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW V V V 1,80 K/W K/W °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 4 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu Al2O3 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 7,5 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 225 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch min. typ. max. RthCH 0,009 LsCE 60 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 4,00 2,00 mΩ K/W 最大ジャンクション温度 Maximumjunctiontemperature インバータ、ブレーキチョッパー/inverter, brake-chopper 整流器/rectifier Tvj max 175 150 °C °C 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions インバータ、ブレーキチョッパー/inverter, brake-chopper 整流器/rectifier Tvj op -40 -40 150 150 °C °C Tstg -40 125 °C 取り付けネジM5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm 質量 Weight G 300 g preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 保存温度 Storagetemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 5 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 200 200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 160 160 140 140 120 120 100 80 60 60 40 40 20 20 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VCE [V] 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 4,5 20 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 140 14 120 12 E [mJ] 16 100 10 80 8 60 6 40 4 20 2 5 6 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 18 160 0 0,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=24Ω,RGoff=24Ω,VCE=300V 200 IC [A] 100 80 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 180 IC [A] IC [A] 180 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 6 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IC [A] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 26 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 24 22 ZthJC : IGBT 20 18 ZthJC [K/W] E [mJ] 16 14 12 0,1 10 8 6 4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,027 0,1485 0,144 0,1305 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 2 0 0 0,01 0,001 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 RG [Ω] 順電圧特性Diode、インバータ(typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 0,01 0,1 t [s] 1 10 スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=24Ω,VCE=300V 200 1,6 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 160 1,2 140 1,0 E [mJ] IF [A] 120 100 80 0,8 0,6 60 0,4 40 0,2 20 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 0,0 2,0 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 7 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IF [A] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=100A,VCE=300V 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 2,8 1 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,6 ZthJC : Diode 2,4 2,2 2,0 1,8 ZthJC [K/W] E [mJ] 1,6 1,4 1,2 0,1 1,0 0,8 0,6 0,4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,0 0 0,01 0,001 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 RG [Ω] 順方向特性Diode、整流器(典型) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 90 80 140 70 120 60 IC [A] IF [A] 1 10 100 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 160 100 40 60 30 40 20 20 10 0 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 VF [V] preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 8 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 80 0 0,1 t [s] 出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 200 180 0,01 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VCE [V] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData 順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 60 54 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rtyp 48 42 10000 R[Ω] IF [A] 36 30 24 1000 18 12 6 0 100 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 9 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines In fineon preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R06KE3 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.0 11