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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
EasyPIM™2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
EasyPIM™2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3Diode
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 75°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
50
65
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
175
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
3,10
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,095
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
tr
0,015
0,018
0,02
µs
µs
µs
td off
0,19
0,21
0,215
µs
µs
µs
tf
0,10
0,135
0,14
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 8,2 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,55
0,75
0,85
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 8,2 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,20
1,50
1,60
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
350
250
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
0,75
0,85 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,70
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
1
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
50
A
IFRM
100
A
I²t
370
330
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 2800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
78,0
82,0
84,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 2800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
2,25
4,00
4,40
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 2800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,58
1,00
1,10
mJ
mJ
mJ
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,10
1,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,90
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
Diode、整流器/Diode,Rectifier
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 100°C
IFRMSM 60
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 100°C
IRMSM 60
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
370
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
685
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,05
V
IR
1,00
mA
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,05
1,15 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,95
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 50 A
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
2
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 75°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
50
65
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
175
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
3,10
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,095
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,045
0,045
0,045
µs
µs
µs
tr
0,03
0,035
0,04
µs
µs
µs
td off
0,31
0,32
0,33
µs
µs
µs
tf
0,13
0,135
0,14
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
1,50
2,00
2,10
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
1,20
1,50
1,60
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
350
250
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
0,75
0,85 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,70
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
3
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
22,5
20,5
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,00
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
23,0
25,0
26,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,80
1,40
1,70
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 1600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,16
0,28
0,37
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
2,25
2,50 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
質量
Weight
G
39
g
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
90
IC [A]
IC [A]
90
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
80
90
100
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=300V
100
4,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
90
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
80
3,0
70
2,5
E [mJ]
IC [A]
60
50
40
2,0
1,5
30
1,0
20
0,5
10
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
6
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
7,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
6,0
ZthJH : IGBT
5,0
E [mJ]
ZthJH [K/W]
4,0
3,0
1
2,0
1,0
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
10
20
30
40
50
RG [Ω]
60
70
80
0,1
0,001
90
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=150°C
1
10
100
IC, Modul
IC, Chip
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
90
90
80
80
70
70
60
60
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
110
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,01
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
7
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=8.2Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=50A,VCE=300V
2,0
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,2
1,6
1,0
1,4
0,8
E [mJ]
E [mJ]
1,2
1,0
0,6
0,8
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
10
20
30
40
50 60
IF [A]
70
80
90
0,0
100
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
10
20
30
40
50
RG [Ω]
60
70
80
90
1,4
1,6
順方向特性Diode、整流器（典型)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
100
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
90
80
70
IF [A]
ZthJH [K/W]
60
1
50
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,166 0,359 0,821 0,654
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
100
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
24
70
21
60
18
50
15
40
12
30
9
20
6
10
3
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
IF [A]
IC [A]
90
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
9
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
VF [V]
1,5
1,8
2,1
2,4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
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ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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Terms&Conditionsofusage
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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MB
revision:2.0
11